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集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积
1
作者
孙捷
孙迎春
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第10期78-79,共2页
介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用,并报道了一些最新研究成果。
关键词
集成电路
薄膜工艺
化学液相淀积
半导体器件
可靠性
下载PDF
职称材料
题名
集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积
1
作者
孙捷
孙迎春
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
山东大学外国语学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第10期78-79,共2页
文摘
介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用,并报道了一些最新研究成果。
关键词
集成电路
薄膜工艺
化学液相淀积
半导体器件
可靠性
Keywords
chemical liquid phase deposition,oxide,integrated circuits
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积
孙捷
孙迎春
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003
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