微波等离子体化学气相淀积纳米级 ZrO_2薄膜

以β-二酮螯合物 Zr(DPM)_4为挥发性源,利用微波等离子体化学气相淀积方法成功地在低温(<300℃)下合成了 ZrO_2薄膜,SEM 观测表明薄膜形貌呈细粒结构,其晶粒尺寸为纳米量级.XRD指出,淀积物中除单斜相 ZrO_2外,还存在亚稳态的四方相.XPS 测量了 Zr3d 的电子结合能,发现较之标准 ZrO_2样品低约0.5eV,XPS 定量分析显示薄膜中含有一定量的 C 及过量的 O(?)对其原因以及在不同的淀积条件、薄膜的形成机制等进行了讨论.

化学气相淀积技术合成AIN超细粉末

在700～1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。结果表明:(1)粉末的形态受反应温度和[NH_3]/[AlCl_3]的影响;⌒2)粉末的粒度与分布宽度随反应温度的增加、总流量的增加以及AlCl_3浓度的减小而减小;(3)产物AlN粉末中晶态AlN的含量随反应温度的升高而增加;(4)产物A1N中副产物NH_4Cl可经600℃热处理除去;(5)非晶态AlN在1450℃下可转变为晶态AlN,其粒径小于250nm,几何标准方差GSD小于1.3,氮含量大于33.5％,氧含量小于1％,氯含量小于0.1％,阳离子杂质含量小于1.5×10^(-2)％。

化学气相淀积反应器中超细粒子的形态控制 Ⅰ.TiO_2超细粒子的制备

利用Ti(OC)4H_9)4高温气相裂解反应合成了TiO_2超细粒子粉末,确立了无定形、锐钛、金红石三种形式的TiO_2粒子合成工艺条件。对淀积物进行了XRD、BET、TEM和激光光散射分析,系统地研究了反应温度、反应物初始浓度和停留时间对产物形态、晶体组成的影响。

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 .

聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜

通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随之降低 ,最后趋向恒定 .

高频等离子体化学气相淀积法制备TiO_2超细粒子

利用ＴｉＣｌ＿４＋Ｏ＿２体系，在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的ＴｉＯ＿２粒子。考察了工艺条件对ＴｉＯ＿２粒子物性的影响；探讨了ＴｉＯ＿２粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制，减少ＴｉＯ＿２单体浓度可提高金红石型质量分数；也可通过在原料ＴｉＣｌ＿４中添加ＡｌＣｌ＿３等晶型转化剂，使产品转化为单一金红石型ＴｉＯ＿２。

化学气相淀积反应器内TiCl_4氧化反应动力学

采用原位红外测试技术,在线观测了化学气相淀积反应器内TiCl4的均相氧化反应。捕获了两种重要活性中间体TiCl3和TiOCl2,从而导出该反应的机理模型。并采用尾气红外定量分析方法得到了TiCl4氧化反应的动力学方程及反应活化能。反应活化能:66.8 kJ/mol,指前因子:2.45×102/s。

TiCl_4-O_2-H_2O体系化学气相淀积TiO_2超细粒子

研究了反应参数对TiO_2超细粒子化学成分、平均粒径、粒径分布、粒子形貌和结构等的影响规律。结果表明:粒径随着TiCl_4分压的降低、氧气分压和反应温度的升高而减小;随着水分压的变化,粒径存在一最小值。合成的TiO_2粒子呈锐钛型,经950℃热处理后转变为金红石。

微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

采用微波等离子体增强的化学气相淀积法，在Si（111）衬底上生长了（002）择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下。

化学气相淀积制备Si_3N_4超细粉末

本文研究了ＳｉＣｌ４－ＮＨ３－Ｎ２－Ｈ２系统平衡热力学，确定了Ｓｉ３Ｎ４合成的最佳热力学条件．采用电阻炉化学气相淀积法制备了Ｓｉ３Ｎ４超细粉末，并考察了工艺条件对颗粒形貌的影响．

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长．通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察，研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程．实验结果表明，不同的衬底材料淀积效果不同，钼的淀积效果较好，硅的较差．此外。

化学气相淀积在无机新材料制备中的应用

本文讨论了化学气相淀积在超细粉，纳米复合材料及梯度功能材料制备中的应用，并结合实例分析了化学气相淀积的工艺特性及所制备材料的性能、显微组织特点。

氯参与的化学气相淀积金刚石的热力学分析

用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在ＣＨＣｌ体系中的生长，计算所得ＣＨＣｌ体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好．

双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制

本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点。该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,是IV族半导体材料生长和研究的强有力工具。

等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料

本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。

低压化学蒸气淀积(LPCVD)反应器的模拟和分析

本文利用低压化学蒸气淀积(LPCVD)反应器中衬底间隙内的扩散-反应过程和环形通道内的质量、热量传递过程的数学模型对片内和片间均匀性问题进行了分析。结果表明:片内均匀性h和片内效率因子n均可用体积变化准数和扩散准数的函数表示。合理设置管外加热装置,可改善片间均匀性或提高反应气流的转化率。这些结果可用于指导低压化学蒸气淀积反应器的设计和操作参数的选择 ,

化学气相淀积反应器中超细粒子的形态控制 Ⅲ.TiO_2超细粒子晶体组成

在超细粒子粒度及粒度分布控制模型的基础上,对快相变速率和慢相变速率两种晶型转变情形,建立了化学气相淀积合成超细粒子过程中,表征超细粒子晶体组成及含量的物理模型和数学模型。利用该模型探讨了物系参数和操作参数对超细粒子晶体组成的影响,理论预测和实验结果相一致。

弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真

基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅰ.SnO_2薄膜的制备过程动力学

利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。

卤素原子在化学气相淀积金刚石薄膜过程中的作用

根据非平衡热力学耦合模型计算得到了碳氢氟和碳氢氯体系低压金刚石生长的非平衡定态相图，计算结果与大量实验事实符合良好，可以为实验研究提供理论指导。还详细讨论了卤素原子在金刚石薄膜淀积过程中的作用。