化学湿法分析检测耐火材料应用研究

化学湿法是检验耐火材料性能的有效手段,通过测定耐火材料中蕴含的微量元素,研究耐火材料性能,为耐火材料的持续研究发展提供理论支撑。分光光度法和滴定法是常见的耐火材料化学湿法检测方式,目前依旧是耐火材料工业生产中,质量检测的主流。为了研究当前化学湿法在耐火材料检测中的应用,分别介绍了分光光度法和滴定法的相关概念,同时整理了关于两种化学湿法的具体应用,并总结了分光光度法和滴定法在实际应用中的注意事项,为进一步推动耐火材料检测工作的优化提供有效参考。

改性木质素绿色化学湿法混炼对橡胶与橡胶助剂性能的提升

从秸秆中清洁分离木质素,并对木质素进行甲基化改性和相容性改性,研究改性木质素绿色化学湿法混炼对橡胶与橡胶助剂性能的影响。结果表明:用改性木质素以绿色湿法混炼工艺制备的生物橡胶可提高轮胎胶料的粘合性能、耐磨性能和耐老化性能;用改性木质素以绿色湿法混炼工艺制备的生物基炭黑母胶、生物基白炭黑母胶、生物基碳纳米管母胶可提高轮胎胶料的性能;木质素改性氧化锌和癸酸钴可分别等量替代未改性氧化锌和癸酸钴用于轮胎胶料中,可以减量增效和降低成本。本技术有利于提升国产天然橡胶性能并实现秸秆高值化利用。

化学湿法生产电子元件用超细球形钯银合金粉的研究

介绍了化学湿法生产电子元件用高纯超细球形钯银合金粉的工业生产工艺、形貌控制方法及其生产设备特点 ,探讨了影响钯银合金粉形貌的各个因素。

化学湿法氧化消除测金试样中的碳质和硫化物

研究了不同碳质对金离子的吸附作用和焙烧氧化除碳的效果。提出了使用化学湿法氧化除去试样中的碳和硫化物的方法:只需在酸分解试样过程中,加入少量氯酸钾作为氧化剂即可治除碳质和硫化物的影响,其效果优于常规的焙烧氧化除碳方法,而且快速、省电。将本法用于各种类型矿样和大批化探样品中金的分析,效果良好。

基于LabVIEW可编程电化学脉冲湿法刻蚀系统设计

针对电化学湿法刻蚀硅微加工需求,基于LabVIEW软件开发平台,利用上位机、可编程直流稳压电源PSM-6003、低温控制和LED光辐照等设备搭建了一种新型可编程电化学湿法刻蚀装置。其中基于LabVIEW的PSM-6003上位机控制软件,可以通过图形界面对系统各种参数实时设置,例如刻蚀电压幅值、刻蚀脉冲频率和占空比、刻蚀电流和刻蚀时间以及刻蚀系统的辅助光照和环境温度等,系统各参数监控和动作执行主要利用美国NI公司PCI-6221数据卡实现。该系统成本低、操作简便、可模块化安装,对促进实验室电化学湿法刻蚀微加工设备的研制有重要借鉴意义。

铜及铜板带箔常见化学成分化验分析方法探讨

本文通过对光谱分析法的基本原理和适用范围、电化学分析法和湿化学分析法的详细阐述,对各种方法的优劣进行分析。数据处理与结果解释的科学方法是结合实际样品制备与处理的具体步骤提出的。结果显示,在综合评估后推荐最优分析方案的准确性、灵敏度和适用范围等方面,不同分析方法各有优缺点。该研究对分析铜及铜合金材料的化学成分具有重要的实际应用意义,具有重要的科学依据和技术指导作用。 。

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.

BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探

采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列.

湿法化学清洗设备的防护措施

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺及化学湿法清洗设备在使用时安全隐患和防腐保护措施的应用。在设备的主体、电气控制系统、加热系统、排放系统等部分的设计的独创性和实用性得到广泛的应用。一定程度上解决了该设备在应用中的安全隐患,具有重要的意义。

碱熔Nb_2O_5湿化学法合成Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3纳米粉体

以Nb2O5作为反应的起始物,采用一种新型湿化学方法制备复合钙钛矿型Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(简称PMN)纳米粉体。利用激光拉曼光谱、DSC/TG、TEM和XRD对制备的Nb-柠檬酸铵络合溶液、干凝胶粉末和PMN粉体进行了表征。研究了焙烧工艺对PMN粉体的物相组成、晶粒尺寸及相含量的影响。实验结果表明:在适宜的焙烧条件下,PMN粉体的平均粒径小于50nm,PMN相的含量大于70%。适当升高焙烧温度及延长保温时间或者采取二次焙烧均能提高钙钛矿相PMN的含量,其中采用二次焙烧的方法效果显著。

湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。

InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。

湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究

论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。

湿法化学制备的超薄和极薄二氧化硅／硅膜的光学性能研究

二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料,这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时,可实际应用于不同方面,如超大规模集成电路(VLSI)的栅氧化层以及液晶显示屏(LCD)的生产。本文考察了厚度为3nm和5nm的极薄二氧化硅层的结构性质,这些薄层是通过适度掺杂n-型硅(100)晶片而形成。在形成氧化层之前用标准RCA方法清洁,并随后在氮气氛围中退火,部分样品在HCN溶液中钝化。本研究中用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术获取了复合结构中不同类型的化学键信息。对SiO2钝化试样和非钝化试样中的Si-O-Si的不对称伸缩振动分别用纵光(LO)和横光(TO)模式进行了鉴别,发现TO模式位置(约1 107cm-1)和振幅与试样的厚度无关。另一方面,LO模式的位置从约1 230cm-1(厚度约为1.5nm)改变为1 244cm-1左右(厚度约为4.5nm)。根据红外光谱峰的偏移,认为超薄和极薄SiOx复合结构并不均匀。对红外光谱获得的结果进行了反褶积处理并获取相关信息。用次级离子质谱分析法(SIMS,Secondary Ion Mass Spectrometry)考察了试样的原子组成,发现NH键的数量也与技术条件相关。基于记录的试样X-反射率数据的理论处理结果,用原始方法确定了材料的结构性质、层密度、表面粗糙度以及相应界面,并将所得结果与原子力显微镜所获得的结果进行了对比和讨论。借助于深能阶瞬态光谱学中的电荷变形,证实HCN溶液对二氧化硅/硅界面密度的强钝化影响。钝化后,发现新形成的界面深处缺陷阱其密度可以忽略不计,这是因为其形成原因与钝化过程中在界面处引入的NH原子对存在相关。

硅的湿法化学腐蚀机理

我们从晶体生长学的观点评述了单晶的湿法化学腐蚀。出发点是晶体存在光滑表面和粗糙表面。光滑表面的动力学是由粗糙表面所缺乏的成核势垒控制，所以后者腐蚀速率要快几个数量级。对金刚石晶体结构的分析表明，在此晶格中（１１１）面是唯一的光滑表面，其它面只不过由于表面重构有可能是光滑的。这样，我们解释了〈００１〉方向在ＫＯＨ∶Ｈ２Ｏ中的最小腐蚀速率。关于接近〈００１〉方向具有最小腐蚀速率时的腐蚀状态和在ＨＦ∶ＨＮＯ３基溶液中从各向同性腐蚀向各向异性腐蚀转换的两个关键假设，都用实验进行了检测。

半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀

研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 .

化学蚀刻法制备纳米硅线作为高能锂离子电池的负极

采用金属催化剂诱导化学蚀刻法首先在单晶硅片上制备出具有高长径比的纳米硅线阵列,然后通过超声振荡法将硅线阵列破碎为纳米硅线粉体,最后将其作为锂离子电池的负极材料,系统研究了金属银催化剂制备过程和各向异性化学蚀刻过程对硅片表面形貌特征的影响,发现银催化剂在蚀刻过程出现溶解/再沉积现象。通过优化AgNO3、HF、H2O2等试剂的浓度,在大面积范围内得到了高长径比的纳米硅线阵列。借助超声波的作用将硅线从硅片上切割下来,制备成纳米硅线负极进行了充放电循环测试,观察到标准的硅锂合金/去合金化反应平台,前五次循环的比容量均超过1800 mAh/g。

多次掩模湿法腐蚀硅微加工过程的蒙特卡罗仿真

探讨利用蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀的仿真,实现连续多次掩模,多步硅微加工工艺过程的仿真。介绍MC法的使用特点及其在湿法腐蚀硅微加工中的应用,仿真使用腐蚀概率方程确定表面原子适当的MC转移概率,模拟方法支持氧化硅和氮化硅掩模层作用下的各向异性腐蚀加工和多次掩模的传递过程。编制的仿真程序通过模拟一个原子力显微镜探针阵列多掩模连续6步工艺的硅微加工过程验证了MC法的正确性。