化学溶液工艺制备多晶钼酸钙薄膜(英文)

利用化学溶液途径成功地制备出了符合化学计量比的钼酸钙多晶薄膜。通过旋涂技术将薄膜沉积在Si(100)或载玻片上,并利用SEM技术表征了薄膜的表面形貌,以及薄膜的表面随退火温度变化的特征。X射线衍射结果显示,在溶液中,钼酸钙化合物就已直接生成而不需经过任何中间过程。退火温度对钼酸钙薄膜微观结构的影响研究表明,当退火高于550℃时薄膜的生长具有择优取向特征。钼酸钙薄膜的拉曼光谱测试结果进一步表明了钼酸钙薄膜的四方相结构特征以及薄膜微观结构的均一性。此外,本文还报道了不同温度下测得的钼酸钙薄膜在紫外光激发下的光致发光性质,其研究结果表明,在276nm的紫外光激发下,钼酸钙薄膜具有一个宽的(～200nm)绿光发射带。

电场辅助化学溶液工艺技术制备硅酸锂(Li_2SiO_3)陶瓷薄膜(英文)

采用了一种新的电场辅助化学溶液工艺技术制备了硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜。结果表明,这种方法可在较低的温度下获得成分单一的硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜。利用X射线衍射技术(XRD)对薄膜的晶体结构进行了表征;利用扫描电子显微技术(SEM)观察了薄膜的表面形貌;并对硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜的制备过程进行了详细的分析和讨论。

SrMoO_4薄膜的化学溶液制备技术和发光性质研究(英文)

利用化学溶液技术制备了具有单一白钨矿结构的SrMoO4多晶薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶相结构,用红外光谱(IR)对薄膜的均一性进行了表征,用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察。采用荧光光谱仪测试了所制SrMoO4薄膜在不同温度下的光致发光特性。研究结果表明,在276nm的紫外光激发下,钼酸锶薄膜室温条件下显示出良好的光致发光特性,呈现宽带(～300nm)的发光特征。另外,光致发光光谱的峰值呈现出明显的温度漂移特性,从511nm(11K)变化到484nm(293K)。此外,本文还讨论了SrMoO4薄膜在闪烁材料和紫外成像薄膜材料方面的可能应用。

钼酸铋薄膜的化学溶液制备技术及其性能表征(英文)

使用化学溶液制备技术在硅(100)衬底上制备出符合化学计量比的钼酸铋(α相)薄膜。采用X射线衍射(XRD)分析的研究结果表明,所制备的薄膜具有单一的单斜晶相结构;利用原子力显微镜(AFM)对其表面形貌进行表征,验证了实验过程中溶剂的改变对薄膜结构和表面形貌产生的影响;使用荧光发射仪研究了薄膜在室温下的发光特性。结果表明,通过化学溶液制备技术可以制备出具有单一晶相的钼酸铋(α相)薄膜,该薄膜具有良好的光致发光特性。