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化学溶液沉积制备钼酸锶多晶薄膜中工艺参数影响的研究 被引量:1
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作者 刘洋 余萍 +3 位作者 肖定全 田云飞 刘旭 李园利 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1932-1935,共4页
采用化学溶液沉积技术,在单晶硅衬底上制备了钼酸锶多晶薄膜;利用XRD和SEM分析了薄膜的晶相和形貌;系统研究了化学溶液沉积制备钼酸锶多晶薄膜中的工艺参数,包括化学溶液的组成(醇、酸的含量)、溶液浓度、热处理工艺以及采用不同的锶盐... 采用化学溶液沉积技术,在单晶硅衬底上制备了钼酸锶多晶薄膜;利用XRD和SEM分析了薄膜的晶相和形貌;系统研究了化学溶液沉积制备钼酸锶多晶薄膜中的工艺参数,包括化学溶液的组成(醇、酸的含量)、溶液浓度、热处理工艺以及采用不同的锶盐等,对钼酸锶薄膜生长的影响。研究结果表明,采用化学溶液沉积技术制备的钼酸锶多晶薄膜均具有单一的四方相结构;除溶液中的醇含量之外,所讨论的工艺参数对薄膜的相结构、形貌、显露晶面等均会带来一定的影响;优化工艺参数、控制工艺规范对于获得结构致密、晶粒发育良好的钼酸锶薄膜是非常重要的。 展开更多
关键词 化学溶液沉积技术 钼酸锶 薄膜 工艺参数 晶相
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钼酸锶基二元固溶体粉末的化学溶液沉积法制备及其发光特性研究 被引量:1
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作者 刘洋 余萍 +3 位作者 肖定全 田云飞 刘旭 李园利 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1146-1150,共5页
采用化学溶液沉积(CSD)技术,用廉价的无机盐(SrCO3、(NH4)6Mo7O24.4H2O)为主要初始原料、常见的有机试剂(丙三醇、冰乙酸和乙二醇甲醚)为溶剂,成功地制备了Ca0.7Sr0.3MoO4和Ba0.3Sr0.7MoO4两类具有白钨矿结构的二元固溶体粉末,并对两种... 采用化学溶液沉积(CSD)技术,用廉价的无机盐(SrCO3、(NH4)6Mo7O24.4H2O)为主要初始原料、常见的有机试剂(丙三醇、冰乙酸和乙二醇甲醚)为溶剂,成功地制备了Ca0.7Sr0.3MoO4和Ba0.3Sr0.7MoO4两类具有白钨矿结构的二元固溶体粉末,并对两种粉体的结构、形貌、颗粒分布以及室温光致发光性能进行了测试。研究表明,两类钼酸锶基固溶体粉末都具有单一的四方相结构,且固溶特性良好,没有检测到明显的杂质峰;固溶体粉末的形貌和尺寸与粉体的成分密切相关,Ca0.7Sr0.3MoO4粉体的晶粒较小,为纳米量级,而Ba0.3Sr0.7MoO4粉体呈现明显的四棱锥外观,晶粒尺寸较大,为微米量级;两类粉末均呈现宽带发光特性,最大发光波长位于蓝绿光波段;Ca0.7Sr0.3MoO4粉体在室温下的发光强度较高,而Ba0.3Sr0.7MoO4粉体在同样条件下的发光强度极其微弱。 展开更多
关键词 钼酸锶钙 钼酸锶钡 粉体 化学溶液沉积技术 发光
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SrMoO_4粉体的化学溶液沉积制备及其发光性能研究
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作者 刘洋 余萍 +3 位作者 肖定全 田云飞 刘旭 李园利 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期385-387,共3页
采用化学溶液沉积技术,用廉价的无机盐作为初始原料、常见的有机试剂为溶剂,制备了晶相单一且结晶良好的钼酸锶粉体;借助XRD、SEM和荧光分光光度计,对钼酸锶粉体的晶相、形貌、粒径分布和室温光致发光性能进行了表征。结果表明,所制备... 采用化学溶液沉积技术,用廉价的无机盐作为初始原料、常见的有机试剂为溶剂,制备了晶相单一且结晶良好的钼酸锶粉体;借助XRD、SEM和荧光分光光度计,对钼酸锶粉体的晶相、形貌、粒径分布和室温光致发光性能进行了表征。结果表明,所制备的钼酸锶粉体具有单一的四方相;粉体晶粒发育饱满、晶界清晰,晶粒呈现不规则的球状,尺寸在纳米-微米量级;在室温下钼酸锶粉体呈现白钨矿型钨钼酸盐的本征发光特征,在强度最大的激发波长为(296±4)nm时,强度最大的发射波长在470nm左右。 展开更多
关键词 钼酸锶 粉体 化学溶液沉积技术 发光性能
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化学溶液法制备的La_2Zr_2O_7缓冲层特性研究
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作者 于泽铭 周廉 +4 位作者 张平祥 熊晓梅 金利华 李成山 卢亚峰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期119-122,共4页
利用XRD、电子背散射衍射分析(EBSD)和反射高能电子衍射(RHEED)等测试手段对化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层的体织构和表面特性进行了研究。结果表明,在金属基带上,利用化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层具有良好体织构和表... 利用XRD、电子背散射衍射分析(EBSD)和反射高能电子衍射(RHEED)等测试手段对化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层的体织构和表面特性进行了研究。结果表明,在金属基带上,利用化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层具有良好体织构和表面特性。 展开更多
关键词 La2Zr2O7缓冲层 织构 化学溶液沉积技术
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化学法动态热处理制备LZO缓冲层
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作者 于泽铭 金利华 +2 位作者 王耀 李成山 张平祥 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1953-1956,共4页
对采用化学溶液沉积技术动态热处理制备La2Zr2O7(LZO)缓冲层进行了研究。结果显示,制备长样品时,侧向进气更有利于驱散热解气体,降低样品织构的不均匀性。当侧向进气方向与样品表面法线方向夹角较小时,更有利于提高LZO缓冲层的织构特性... 对采用化学溶液沉积技术动态热处理制备La2Zr2O7(LZO)缓冲层进行了研究。结果显示,制备长样品时,侧向进气更有利于驱散热解气体,降低样品织构的不均匀性。当侧向进气方向与样品表面法线方向夹角较小时,更有利于提高LZO缓冲层的织构特性。LZO缓冲层的织构和表面形貌受样品移动速度影响的主要原因是样品移动速度的变化直接改变了样品的热处理时间。优化动态热处理过程后制备出的LZO缓冲层表面致密,LZO缓冲层具有锐利的立方织构,织构锐利度与金属基带织构相当。 展开更多
关键词 La2Zr2O7(LZO)缓冲层 化学溶液沉积技术 动态热处理
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热处理参数对LZO膜外延生长的影响
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作者 于泽铭 王耀 +2 位作者 金利华 李成山 张平祥 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2683-2686,共4页
研究了热处理参数对LZO膜外延生长的影响。结果显示实验条件范围内,升高热处理温度、延长热处理时间和加快升温速度有利于提高(400)_(LZO)衍射峰的强度。相对于热处理温度、热处理时间和升温速度,LZO膜的织构类型对热处理时的氧分压十... 研究了热处理参数对LZO膜外延生长的影响。结果显示实验条件范围内,升高热处理温度、延长热处理时间和加快升温速度有利于提高(400)_(LZO)衍射峰的强度。相对于热处理温度、热处理时间和升温速度,LZO膜的织构类型对热处理时的氧分压十分敏感,氧分压直接影响到能否制备出具有单一织构成分的LZO膜。进一步分析显示,传统的形核生长理论可以很好地解释热处理温度、热处理时间和升温速度对LZO膜外延生长的影响。增加氧分压对LZO膜的外延生长存在双重作用,一方面提高氧分压可以降低膜中的积碳量,有利于LZO晶粒的长大,但另一方面,提高氧分压降低膜中的积碳后将导致对自发形核长大过程的抑制作用减弱,最终使得LZO膜不具有单一的立方织构。因此,更合理地控制/改变不同热处理阶段的氧分压才能在改善LZO膜生长动力学的同时又不影响其外延生长。 展开更多
关键词 La2Zr2O7(LZO)缓冲层 化学溶液沉积技术 外延生长
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Photovoltaic characteristics of Ca_3Co_4O_9/Nb-doped SrTiO_3 heterojunction
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作者 WANG ShuFang LIU FuQiang +5 位作者 YAN GuoYing CHEN ShanShan CHEN JingChun WANG JiangLong Yu Wei FU GuangSheng 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第5期772-775,共4页
Ca3Co409/Nb-SrTiO3 heterojunction with good rectifying behavior at room temperature was fabricated by growing a layer of Ca3Co409 film on the lwt% Nb-doped SrTiO3 substrate by means of the chemical solution deposition... Ca3Co409/Nb-SrTiO3 heterojunction with good rectifying behavior at room temperature was fabricated by growing a layer of Ca3Co409 film on the lwt% Nb-doped SrTiO3 substrate by means of the chemical solution deposition technique. A large open-circuit voltage signal with the response time of tens of nanosecond was observed at room temperature when the Ca3Co409 layer of the heterojunction was illuminated under the 308 nm irradiation and no voltage signal was detected under the 10.6 gun irradiation. A mechanism based on the photovoltaic effect of a p-n junction was proposed to explain the experimental results. The present work shows a great potential of this new heterojunction as photoelectric devices. 展开更多
关键词 photovoltaic effect HETEROJUNCTION layered cobalt oxides chemical solution deposition
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