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Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
1
作者
王晓光
林殷茵
汤庭鳌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期49-53,共5页
采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即...
采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即开始析晶,并且析晶情况与Bi含量有关。对薄膜的电学性能研究表明随着Bi含量的增加,薄膜的漏电性能和抗疲劳特性变差,矫顽场变大,而2Pr在Bi过量10%的情况下达到最大31.6μC/cm2。
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关键词
化学溶液淀积
BLT
铁电薄膜
先体
层状Bi结构
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职称材料
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用
被引量:
1
2
作者
钟宇
王晓光
+2 位作者
林殷茵
黄维宁
汤庭鳌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期280-284,共5页
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底...
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。
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关键词
镧锶钴氧
钛酸铋
化学溶液淀积
铁电薄膜
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职称材料
题名
Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
1
作者
王晓光
林殷茵
汤庭鳌
机构
复旦大学微电子学系ASIC和系统实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期49-53,共5页
文摘
采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即开始析晶,并且析晶情况与Bi含量有关。对薄膜的电学性能研究表明随着Bi含量的增加,薄膜的漏电性能和抗疲劳特性变差,矫顽场变大,而2Pr在Bi过量10%的情况下达到最大31.6μC/cm2。
关键词
化学溶液淀积
BLT
铁电薄膜
先体
层状Bi结构
Keywords
ferroelectric thin film
chemical solution deposition
fatigue
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用
被引量:
1
2
作者
钟宇
王晓光
林殷茵
黄维宁
汤庭鳌
机构
复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期280-284,共5页
基金
上海市青年科技启明星计划及"863"专项(2002AA431300)
国家自然科学基金(60206005
+1 种基金
60376017)
上海市科委项目(0352nm011)资助
文摘
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。
关键词
镧锶钴氧
钛酸铋
化学溶液淀积
铁电薄膜
Keywords
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3
Bi_4Ti_3O_(12)
Chemical solution deposition
ferroelectric thin film
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
王晓光
林殷茵
汤庭鳌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
2
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用
钟宇
王晓光
林殷茵
黄维宁
汤庭鳌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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