化学研磨抛光技术在IC制造设备中的应用

IC制造设备中的关键零部件对于其内外表面粗糙度有着很高的要求。传统的研磨抛光技术很难达到这一要求,从而直接影响了IC制造设备的国产化进程。化学研磨抛光技术作为一种新兴的材料表面处理技术,通过化学药液浸蚀方式,可以在短时间内完成对于各种复杂形状零件的内外表面研磨抛光,同时可以使工件表面满足较高的物理化学性能要求,非常适合于IC制造设备中高真空度、高洁净度要求的零部件生产加工。

基于超薄钽酸锂晶体材料高响应太赫兹探测器（英文）

太赫兹(Thz)探测器工作在室温条件下极大地促进了太赫兹科学与技术的应用。超薄(10μm)钽酸锂(LiTaO_3)晶片被用作太赫兹探测器敏感元材料。基于钽酸锂晶片太赫兹探测器在2.52 THz激光辐射源照射下,20Hz斩波频率时响应率可达到8.38×10~4V/W,等效噪声功率NEP)可达到1.26×10^(-10)W。这种加工超薄钽酸锂晶片的方法为制备高响应率太赫兹探测器提供了一个可行的方法。

超薄硅片制备工艺的优化

对超薄硅片制备工艺机理进行了优化研究。利用胶粘键合工艺在基片上固定保护硅片,提高了硅片承受工艺加工的机械性能。再结合化学机械抛光工艺,对比不同粘合剂的制备效果和不同压力制备的超薄硅表面粗糙度的变化,成功制备出厚度10μm左右的超薄硅片。表面形貌表征结果显示,硅片总厚度偏差为约0.5μm,平均粗糙度值为0.5 nm,这表明使用化学机械研磨抛光的工艺方法,优化减薄条件下,可保证硅片表面情况。研究结果将为硅半导体器件的微型化发展和性能提升提供了工艺指导。