晶圆化学机械研磨(CMP)用CVD金刚石修整碟制造要点

在半导体晶片的制造过程中,化学机械研磨(以下简称CMP)是一道必不可少的工序,随着特征线宽10 nm以下的时代到来,CMP制程要求具备更高的稳定性和良率,这就促使CMP工序除了要求制造设备本身的高品质,其三大耗材研磨液(slurry)、研磨垫(pad)和金刚石修整碟(diamonddisk)也必须不断提升品质稳定性,以适应不断提高的品质需求。基于此,文章以佳品公司研发的CVD金刚石修整碟为例,主要探讨了金刚石修整碟发展现状和该公司研制产品的优势,并分析了金刚石修整碟的制造要点,以期制造出能满足10nm级别晶圆的稳定生产的修整碟。

化学机械研磨废水处理及回用技术的研究进展

化学机械研磨废水产生量大但总体污染物浓度不高,回用潜力巨大,其处理及回用技术是芯片制造企业的研究重点。文章介绍了化学机械研磨废水来源、水质特征,概述并对比分析了常用的化学机械研磨废水处理和回用技术及其应用现状和发展趋势,并指出以膜滤或电化学处理为主的处理及回用技术具有良好的运用前景。

APC技术在化学机械研磨工艺中的应用

介绍了基于化学机械研磨(CMP)工艺,在Unix和SDT的开发环境下,用VB、C语言在Client和DB(Data Base)之间建立APC SDT Server的方法,以及创建Oracle数据库表的方法,实现了系统用户界面、核心APC Server和数据库表的设计。

SiC单晶片化学机械研磨试验研究

目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为:助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。

化学机械研磨浆料对硅片质量的影响

在化学机械研磨过程中,对半导体硅片的质量影响因素主要有研磨工艺(研磨盘压力、转速、浆料流量等)和化学机械研磨液的成分。本论文重点研究了化学机械研磨浆料的成分对硅片表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、拉丝、划道擦伤、清洁度的影响。通过实验可知:研磨浆料组成为:1%AEO_7;2%聚乙烯吡咯烷酮PVP K90;0.4%乙二胺四乙酸;2%四羟乙基乙二胺;20%PWA 10;74.6%高纯水,可以得到优异的研磨硅片质量。

集成电路制造厂化学机械研磨废水回用技术

采用混凝+板式膜+反渗透工艺对某集成电路制造厂的化学机械研磨废水进行处理。试验和实际应用结果表明:采用聚合氯化铝(Poly Aluminium Chloride,PAC)作为混凝剂,在添加浓度为0.5‰、反应pH值为8.0时,可有效降低化学机械研磨废水中溶解硅的初始浓度;配合板式膜过滤和反渗透工艺,最终产水的导电度小于50 μs/cm,浊度小于1.0 NTU,溶解硅浓度小于0.001‰。产水的水质优于自来水,可回用至超纯水系统作为超纯水制备的原水。

罗门哈斯电子材料公司推出用于65nm铜阻挡层的研磨化学机械研磨垫

罗门哈斯电子材料公司化学机械研磨（CMP）技术事业部，9月12日宣布推出Vision Pad^TM VP3100研磨垫。VP3100是产业界中第一种兼备硬研磨垫和软研磨垫优点的研磨垫，用于先进的化学机械研磨。使用Vision Pad^TM VP3100研磨垫时，在大批量生产铜晶片时，晶片平坦度优异，而且缺陷率低，从而提高了65nm工艺制程的产量，并且降低设备使用的总成本。

罗门哈斯推出高级化学机械研磨（CMP）专用新型VisonPad产品

新型Vision Pad3200及Vision Pad3500研磨垫在金属研磨方面兼具软、硬研磨垫之优点。在全球半导体行业化学机械研磨（CMP）技术及创新方面处于领先地位的罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日宣布其VisionPad研磨垫系列又增添了两款新品。这两款产品可提供世界级的低生产缺陷率，极高的研磨能力和更长的使用寿命。

金属钨化学机械研磨清洗缺陷研究及解决方法

通过研究金属钨化学机械研磨(W CMP)后清洗的一种水痕状的缺陷(Water mark like defect),经过一系列的实验,我们发现这种缺陷产生的原因是具有钨插塞(W Plug)结构的晶片在清洗中WO_3被溶解,并在随后的烘干环节中W析出并形成缺陷。在典型的W CMP之后增加一次DHF的清洗,能清除99.6%的该类型的缺陷,可应用到实际生产中,减少产品缺陷,提高产品良率。

SVTC宣布在300mm化学机械研磨（CMP）与Entrepix合作

SVTC技术公司宣布将与Entrepix合作，这项合作将提供SVTC使用州德克萨斯晶圆场Tool Access Program（TAP）客户所需的所有300mm化学机械研磨（CMP）的开发和制造服务，化学机械研磨（CMP）在半导体制造是关键的制程步骤。

罗门哈斯公司依靠能够减少缺陷和研磨液用量的化学机械研磨垫表面沟槽设计,大力拉动市场需求

罗门哈斯电子材料公司（ROH：Rohm and Haas Electronic Materials）宣布．其新型化学机械研磨垫表面沟槽设计能够减少缺陷和研磨液的用量．现已迅速得到全球各地市场的认可。全球各地的客户现在开始采用这些能显著地改善工艺性能的新型表面沟槽设计．以降低缺陷．延长研磨垫的使用寿命，减少化学机械研磨易耗品的总体成本。

陶氏电子材料推出用于铜阻挡层的OPTIVISION 4540化学机械研磨垫

陶氏电子材料（Dow Electronic Materials）推出了OPTIVISION 4540化学机械研磨垫,该产品的设计目标是在研磨垫的使用寿命内实现低缺陷率和低拥有成本.这款新研磨垫使用了独特的聚合物化学组成和细孔结构．以达到使铜阻挡层研磨的缺陷率降至最低，并提供更高的介电层去除率。OPTIVISION 4540研磨垫拥有双孔结构以精确控制研磨．并且在研磨垫使用寿命中提供一致的研磨垫表面。

化学机械研磨垫

OPTIVISIONTM 4540化学机械研磨垫的设计目标是在使用寿命内实现低缺陷率和低拥有成本。它使用了独特的聚合物化学组成和细孔结构，以达到使铜阻挡层研磨的缺陷率降至最低，并提供更高的介电层去除率；拥有双孔结构以精确控制研磨，并且在研磨垫使用寿命中提供一致的研磨垫表面。尤其在铜阻挡层研磨方面，与POLITEXTM研磨垫产品相比，它在颤动和微划痕缺陷率方面取得了一个数量级的进步，从而实现了更高的生产良率。

罗门哈斯推出高级化学机械研磨(CMP)专用新型VISIONPAD产品

罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日宣布其VisionPad研磨垫系列又增添了两款新品。这两款产品可提供世界级的低生产缺陷率，极高的研磨能力和更长的使用寿命。

应用材料再度称雄12寸制程化学机械研磨设备市场

据市调机械VLSI Reseat曲和Gartner Datacluest所公布的最新市场调查资料显示，半导体设备大厂应用材料在已连续第六年蝉联化学机械研磨(CMP)市场最大供货商。应用材料表示，全球各大12寸晶圆制造商的强劲需求，是该公司Reflexion及Reflexion LK化学机械研磨系统出货屡创新高的最主要动力。

罗门哈斯扩展高级化学机械研磨VISIONPAD系列

罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日宣布其VisionPad研磨垫系列又增添了两款新品。这两款产品可提供低生产缺陷率、极高的研磨能力和更长的使用寿命。

巴斯夫与赢创合作研发化学机械研磨（CMP）液

赢创和巴斯夫共同宣布，两家公司将共同合作发展二氧化铈研磨液，用以制造计算机芯片。预计，这种研磨液将在2009年实现商品化。

面对新材料的挑战-先进化学机械研磨清洗技术简介

随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了应对这种影响，新的材料不断得到应用：低电阻的铜代替以前的铝成为新的金属互连线，金属之间的介质材料也从以前的TEOS SiO2到低介电常数的FSG，

巴斯夫选择Entrepix合作开发化学机械研磨浆

化学机械研磨（CMP）制造和设备服务供应商Entrepix Inc今天宣布与全球领先的化学公司之一巴斯夫（BASF）签署CMP FastForward^TM批量定价协议（VPA），BASF选择Entrepix的化学机械研磨浆和开发服务来支持其在高级研磨浆市场日益增长的需求。协议强调了随着近期CMP FastForward流程、设备和生产服务产品组合的推出，Entrepix正在迅速获得市场认同。

罗门哈斯推出高级化学机械研磨(CMP)专用新型VISIONPAD^(TM)产品

在全球半导体行业化学机械研磨（CMP）技术及创新方面处于领先地位的罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日宣布其VisionPad？研磨垫系列又增添了二款新品。这二款产品可提供世界级的低生产缺陷率、极高的研磨能力和更长的使用寿命。