硼锗共掺光纤CCG的载氢研究

为研究载氢的作用对由载氢引起的硼锗共掺光纤CCG的形成及其热稳定性进行实验,利用硼锗掺杂物浓度分别为w(Ge)=9.640%,w(B)=0.475%和w(Ge)=28.277%,w(B)=2.375%的光纤进行对比试验.实验结果显示:相同载氢条件下高浓度的Ge离子更容易导致FBG在高温退化,并获得CCG的高温稳定性;对于相同掺杂的光纤,氢元素能提高CCG的反射比,但同时也引起光栅反射比在高温时不稳定.通过对上述两种影响因素的优化,实验获得了传感范围在10～1 010℃,反射比接近40%的高温稳定光栅.