HP-602型化学腐蚀抛光机研制技术及应用

介绍了抛光片化学腐蚀抛光原理和HP-602型化学腐蚀抛光机设备用途、结构组成、性能特点,以及解决的关键技术和应用,能自动完成晶片抛光后的碱腐蚀和清洗工艺,是材料行业晶片制备中的关键设备。

钽板的电解抛光和化学抛光

本文论述了电解抛光和化学抛光对钽板性能的影响，给出了钽阳极溶解曲线和溶解速度曲线，并讨论了抛光机理。研究结果表明：钽板的表面粗糙度随抛光前的表面粗糙度的升高而增高，但抛光后表面的反射系数提高较小，电解抛光后的表面粗糙度比化学抛光的高。试验发现，抛光后的钽板经轧制后，其表面反射系数较轧制前提高了近30%。

降低8mm铝波导组件损耗的工艺方法

针对 8 mm铝波导组件损耗大的问题 ,分析出内表面粗糙度较差的主要原因 。

螺纹零件防渗碳镀铜

在螺纹零件的螺纹部位进行防渗碳镀铜,由于镀层厚度不均匀、螺纹部位本身光洁度差、有毛刺、镀铜层孔隙度难以保证,结果在渗碳时容易产生漏渗. 要求局部渗碳的零件一般都是受力零件,或者是非渗碳部位在总装配时需要配钻的零件.受力零件的非渗碳部位漏渗后,在淬火时局部淬硬,影响零件的抗冲击韧性,在外力作用下容易断裂.对断裂零件的断口进行金相分析,发现断裂处有漏渗碳.装配时需要配钻的零件,其非渗碳部位漏渗后在淬火时淬硬,无法进行配钻. 根据兵工部表面处理技术条件(WJ)规定:防止渗碳。

一种检测氮化层深度的方法在生产上的应用

氮化处理是数控落地铣镗床上重要部件镗轴的常用最终热处理工艺。氮化可明显提高镗轴的耐磨性。 因而,检验镗轴的氮化质量十分重要。现有的测量氮化层深度的方法很多,国内大多数采用组织腐蚀法。笔者进 行了大量的对比试验,采用化学抛光腐蚀的方法,改善了氮化层深度的显示效果,提高了检测精度,节约了资金。

晶体硅缺陷的腐蚀及表征

对太阳电池用晶硅片的缺陷表征,目前大都采用厚1mm～3mm的片子进行测试研究,为了与当前批量生产晶硅片相兼容,我们使用常规生产的硅片(厚度180μm～200um)进行分析测试。文章主要论述了对180μm～200um厚的常规生产晶硅片的化学抛光、化学腐蚀的实验方法及采用共聚焦显微镜方法进行观察和表征晶体硅缺陷的方法及内容。