初始镀铬层微裂纹形貌的基体化学腐蚀法研究

通过基体化学腐蚀法去掉钢基体,利用高分辨扫描电镜(HRSEM)就钢基体激光离散淬火对初始镀铬层界面微裂纹形貌影响进行研究。结果表明:激光处理的裂纹宽度近似是原始基体的一半;在离散处理的钢基体上镀铬可以在原始基体上形成一条与激光扫描方向相一致的宽裂纹。

掺钛化学腐蚀法制备发光稳定的多孔硅

本文采用掺钛化学腐蚀法制备出了发光稳定性和均匀性都较好的多孔硅 (PS)。存放和退火试验表明 ,光致发光 (PL)谱峰位不蓝移 ,强度不衰减。多孔硅发光稳定性的提高归因于制备过程中样品表面原位氧和钛的钝化。钛的浓度和腐蚀时间对PL强度有明显影响 ,最佳钛浓度约为 0 0 8mol·L- 1 ,最佳腐蚀时间约为 2 0min。掺钛化学腐蚀法制备的PS的光激发过程符合量子限域机制 ,而其PL过程却与量子限域模型不符 ,这表明其光发射过程不是带 带直接跃迁产生的 。

双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参数,可以制备具有特定孔隙率的多孔硅薄膜,可广泛的应用于微电子机械系统(MEMS)技术中。

化学腐蚀法制备荧光多孔硅及对Ag^+的检测

采用简便的化学腐蚀法在45℃下制备了橘红色荧光多孔硅(PS),通过扫描电镜(SEM)、红外光谱(FT-IR)和比表面积(BET)对PS的结构进行了表征。研究发现,Ag^+能在PS上发生氧化沉积而猝灭荧光。基于此,建立了一种快速、灵敏检测Ag^+的新方法。在优化实验条件下,Ag^+浓度与PS的荧光强度在4.5×10^(-8)~6.6×10^(-7)mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为2.2×10^(-8)mol/L,线性相关系数为0.991 4。该方法用于水样中Ag~的检测,结果满意。

化学腐蚀法制备SiC量子点组织演变及其粒度调控

采用燃烧合成的均质纳米碳化硅颗粒,化学腐蚀法制备SiC量子点水相溶液,研究了量子点成型过程中微观组织演变过程,由于燃烧合成的碳化硅颗粒由于表面及基体内具有大量组织缺陷,表面快速腐蚀形成沟槽,颗粒最后形成镂空结构。在机械研磨及超声空化作用下,镂空结构破碎,形成尺寸更小的颗粒。研究了超重力场中水相溶液内不同粒径的SiC量子点运动学特征,结果表明,沿超重力场方向,SiC颗粒粒径逐渐增大且越来越分散,根据不同粒度颗粒在水相溶液内的沉降距离,可以实现SiC量子点的粒度调控。化学腐蚀法制备的SiC量子点为单一、均匀的3C晶型,不同粒径的量子点在相同波长激发光下呈现不同颜色的荧光发射。

电化学腐蚀法测试冷弯薄壁型钢的残余应力

主要探讨了用电化学腐蚀测试冷弯薄壁型钢残余应力的实施方法 ,并对冷弯卷边角钢的残余应力用这种方法进行了测试

电化学腐蚀法预处理对氟硝基苯废水的研究

利用废铁屑对对氟硝基苯废水进行预处理，可以使废水中的对氟硝基苯转化为氨基氟苯，从而提高废水的可生化性，有效的去除对氟硝基苯对微生物的毒性，达到预处理的效果。

双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究

论述了多孔硅的特点和制备方法,简单介绍双槽电化学腐蚀法的特点,并采用双槽电化学腐蚀法成功制备了多孔硅。多孔硅的扫描电镜(SEM)照片表明,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀结构规则。实验结果表明,衬底导电类型影响着多孔硅的制备条件。

化学腐蚀法制备ZnO量子点及其光学性质研究

采用化学腐蚀法调节ZnO量子点尺寸,并成功观察到量子限制效应。实验结果表明,在未添加表面活性剂样品的PL谱上未观察到发光峰的移动;而添加表面活性剂后,ZnO量子点样品的发光峰随尺寸减小而蓝移,出现了明显的量子限制效应。另外,PL谱中的带隙增加量与采用有效质量模型的理论计算结果一致。

化学腐蚀法制备纳米多孔硅及其表面形貌表征

采用化学腐蚀法制备了纳米多孔硅粉。利用扫描电子显微镜对多孔硅粉的表面形貌进行了表征。结果表明,在HNO3浓度、反应时间和HNO3滴加时间3种因素中,HNO3浓度对硅粉的腐蚀效果影响最大;浓度过高或者较低时,均不能获得良好的硅粉形貌。HNO3质量分数以20%～25%为宜。反应时间对硅粉结构和形貌的影响比硝酸的滴加速率大。在较低HNO3浓度条件下,延长反应时间对硅粉进行腐蚀更为有效。

应用双槽电化学腐蚀法制备用于蛋白质芯片构建的多孔硅基底

通过双槽电化学腐蚀法制备大面积(12 mm×58 mm)均匀的多孔硅片,以小鼠免疫球蛋白G(IgG)与兔抗小鼠IgG抗体的相互作用为模型,证明其表面修饰环氧基团后能作为一种基底材料用于蛋白质微阵列芯片的构建。结果表明,兔抗小鼠IgG抗体检测的灵敏度与多孔硅基底制备时所采用的腐蚀电流密度、腐蚀时间、氢氟酸浓度有关。当电流密度为500 mA/cm2,腐蚀时间为450 s,HF浓度为25%时,IgG在多孔硅基底上的固定量最大,IgG芯片对兔抗小鼠IgG抗体的检出限为10μg/L,检测线性范围为0.32～10.0 mg/L。本方法制备的大面积均匀的多孔硅基底能够应用于蛋白质芯片的制作,并具有制备工艺简单,蛋白质固定量大等优点。

可控化学腐蚀法制备碳化硅量子点及其表面修饰

通过可控的化学腐蚀法完成了对碳化硅量子点的制备,而后经超声空化作用及高速层析裁剪获得水相的碳化硅量子点溶液,利用化学偶联法,一步实现了SiC量子点的表面物化特性调控。通过对制备工艺参数调整前后量子点微观形貌、光谱特性的表征,结果表明:腐蚀次数、腐蚀剂组分及腐蚀剂配比是影响碳化硅量子点光致发光效率的主要因素,调整腐蚀次数与腐蚀剂组分的配比,同时加入偶联剂分析纯硫酸,当以V(HF)∶V(HNO3)∶V(H2SO4)=6∶1∶1(体积比)的组分及比例腐蚀球磨后的β-SiC粉体时,制备出的水相碳化硅量子点光致发光相对强度最为理想。同时对碳化硅量子点表面巯基的形成机制与修饰稳定性进行了初步分析。

多晶硅表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状

在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚线切割(Diamond wire sawing,DWS)技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点,受到了广泛关注。金刚线切割多晶硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸腐蚀制绒技术无法匹配,金属催化化学腐蚀法应运而生。金属催化化学腐蚀法制绒具有操作简单、结构可控且易形成高深宽比的绒面等优点,具有广阔的应用前景。本文总结了不同类型的金属催化剂在制绒过程中的腐蚀机理及其形成的绒面结构,深入分析和讨论了具有代表性的银、铜的单一及复合催化腐蚀过程及绒面结构和电池片性能。最后对金刚线切割多晶硅片表面的金属催化化学腐蚀法存在的问题进行了分析,并展望了未来的研究方向。

用化学腐蚀法加工凹模的漏料间隙

用化学腐蚀法加工凹模的漏料间隙河北邢台汽车车架厂武振峰１前言在加工冲裁模时，凹模刀口经线切割或其它工艺加工出后，刃口下部的漏料间隙较难加工，尤其对整体式且孔型复杂的凹模（图１），加工更困难，这样在设计四模孔型时，考虑到几种孔型的加工工艺性及经济性，选...

多晶硅片表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状

在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚石线切割技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点。金刚石线切割在硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸蚀工艺不相匹配。金属催化化学刻蚀具有操作简单、结构可控、易于形成高深宽比绒面革等优点,具有广阔的应用前景。综述了不同类型金属催化剂在制绒加工过程中的腐蚀机理和织构结构。对银、铜的单一和复合催化腐蚀过程、织构结构和电池性能进行了分析和讨论。最后,分析了金属催化化学腐蚀在硅片表面存在的问题,并对今后的研究方向进行了展望。

化学腐蚀法在40Cr钢气体氮化层深检测中的应用

40Cr钢与典型的氮化用钢比较起来,由于Fe中的含碳量相对增加,氮的扩散速度有所降低,并且由于合金含量的减少所形成的氮化物硬质点的弥散度也不如典型氮化材料。本文通过对40Cr钢气体氮化层深检测工作中化学腐蚀法与硬度法仲裁结果比较,得到了层深结果相差较大,化学腐蚀法显示层深偏高,蚀显重现性不良的结论,总结出40Cr钢气体氮化层深检测工作中的修正系数。