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单晶金刚石机械研磨结合化学辅助机械抛光组合加工工艺
被引量:
6
1
作者
李强
金洙吉
+2 位作者
苑泽伟
李伟思
郭东明
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2013年第4期369-374,共6页
单晶金刚石因具有最高的硬度和最低的摩擦系数常被用来制备超精密刀具,而表面粗糙度是影响刀具寿命的重要指标.提出采用机械研磨结合化学辅助机械抛光的组合工艺抛光单晶金刚石.实验优化并确定的加工工艺如下:先用5μm和2μm金刚石粉研...
单晶金刚石因具有最高的硬度和最低的摩擦系数常被用来制备超精密刀具,而表面粗糙度是影响刀具寿命的重要指标.提出采用机械研磨结合化学辅助机械抛光的组合工艺抛光单晶金刚石.实验优化并确定的加工工艺如下:先用5μm和2μm金刚石粉研磨单晶金刚石表面,然后采用化学机械的方法去除机械研磨带来的损伤.用该工艺抛光单晶金刚石,表面粗糙度Ra可达0.8 nm(测量区域70μm×53μm).表面拉曼光谱分析表明化学机械抛光的表面只有1 332 cm-1拉曼峰.
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关键词
单晶金刚石
化学辅助机械抛光
机械
研磨
下载PDF
职称材料
单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺
被引量:
9
2
作者
何艳
苑泽伟
+1 位作者
段振云
张幼军
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期115-121,共7页
为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳...
为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9(33)正交试验研制光催化辅助化学机械抛光抛光液,采用对碳化硅晶片表面粗糙度跟踪检测的方法确定优化加工工艺.甲基紫有机显色剂静态氧化试验结果表明:光催化剂对抛光液氧化性的影响最大,其次是电子俘获剂,再次是分散剂;较好的抛光液配方为二氧化钛0.5 g獉L-1、过氧化氢1.5 mol獉L-1、六偏磷酸钠0.1 g獉L-1.确定的优化抛光工艺为:采用5μm和2μm金刚石微粉分别研磨单晶碳化硅晶片30 min,材料去除率分别为8.72μm/h和4.56μm/h;然后采用光催化辅助化学机械抛光单晶碳化硅去除机械研磨带来的损伤,粗抛光选用0.5μm氧化铝微粉抛光60 min,精抛光选用0.05μm氧化铝微粉抛光50 min,粗抛光和精抛光的材料去除率分别为1.81μm/h和1.03μm/h.用该工艺抛光单晶碳化硅,获得的表面粗糙度约为0.47 nm,基本能满足单晶碳化硅高效、超光滑、低损伤的抛光要求.
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关键词
碳化硅
抛光
液
机械
研磨
光催化
辅助
化学
机械抛光
抛光
工艺
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职称材料
题名
单晶金刚石机械研磨结合化学辅助机械抛光组合加工工艺
被引量:
6
1
作者
李强
金洙吉
苑泽伟
李伟思
郭东明
机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
出处
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2013年第4期369-374,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB706704)
文摘
单晶金刚石因具有最高的硬度和最低的摩擦系数常被用来制备超精密刀具,而表面粗糙度是影响刀具寿命的重要指标.提出采用机械研磨结合化学辅助机械抛光的组合工艺抛光单晶金刚石.实验优化并确定的加工工艺如下:先用5μm和2μm金刚石粉研磨单晶金刚石表面,然后采用化学机械的方法去除机械研磨带来的损伤.用该工艺抛光单晶金刚石,表面粗糙度Ra可达0.8 nm(测量区域70μm×53μm).表面拉曼光谱分析表明化学机械抛光的表面只有1 332 cm-1拉曼峰.
关键词
单晶金刚石
化学辅助机械抛光
机械
研磨
Keywords
single crystal diamond
chemically assisted mechanical polishing
mechanical lapping
分类号
TG580.692 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺
被引量:
9
2
作者
何艳
苑泽伟
段振云
张幼军
机构
沈阳工业大学机械工程学院
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期115-121,共7页
基金
国家自然科学基金(51305278)
文摘
为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9(33)正交试验研制光催化辅助化学机械抛光抛光液,采用对碳化硅晶片表面粗糙度跟踪检测的方法确定优化加工工艺.甲基紫有机显色剂静态氧化试验结果表明:光催化剂对抛光液氧化性的影响最大,其次是电子俘获剂,再次是分散剂;较好的抛光液配方为二氧化钛0.5 g獉L-1、过氧化氢1.5 mol獉L-1、六偏磷酸钠0.1 g獉L-1.确定的优化抛光工艺为:采用5μm和2μm金刚石微粉分别研磨单晶碳化硅晶片30 min,材料去除率分别为8.72μm/h和4.56μm/h;然后采用光催化辅助化学机械抛光单晶碳化硅去除机械研磨带来的损伤,粗抛光选用0.5μm氧化铝微粉抛光60 min,精抛光选用0.05μm氧化铝微粉抛光50 min,粗抛光和精抛光的材料去除率分别为1.81μm/h和1.03μm/h.用该工艺抛光单晶碳化硅,获得的表面粗糙度约为0.47 nm,基本能满足单晶碳化硅高效、超光滑、低损伤的抛光要求.
关键词
碳化硅
抛光
液
机械
研磨
光催化
辅助
化学
机械抛光
抛光
工艺
Keywords
silicon carbide
slurry
mechanical lapping
photocatalysis-assisted chemical mechanical polishing
polishing technique
分类号
TH161 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶金刚石机械研磨结合化学辅助机械抛光组合加工工艺
李强
金洙吉
苑泽伟
李伟思
郭东明
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2013
6
下载PDF
职称材料
2
单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺
何艳
苑泽伟
段振云
张幼军
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
9
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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