镱、镧、镨、钕稀土元素对化学镀钯的影响

采用在传统的化学镀镀液中分别添加Y、La、Pr、Nd单组分稀土元素和Y -La、Y -Pr、Y -Nd混合稀土元素的方法在α -Al2 O3 陶瓷管载体上沉积钯膜。重点研究镀液中添加稀土元素对钯的沉积速度、镀膜温度、膜表面结构和渗透性能的影响 ,并用扫描电镜对钯膜表面形貌进行了表征。实验结果表明 ,在镀液中添加适量的Y、La、Pr和Nd单组分稀土元素 ,可分别提高镀速 18%、9%、12 %和 6 % ;添加适量的Y -La、Y -Pr和Y -Nd混合稀土元素 ,可分别提高镀速 6 0 %、4 8%和 31%。当混合稀土元素Y -La的添加量为 0 .4 2 g/L时 ,可降低镀温 10 -2 0℃、缩小钯膜的晶核尺寸和提高膜的致密性 ,制得的钯顶膜厚约 5 μm ,在 35 0℃和 0 .3MPa下 ,氢和氮气在膜中的的渗透速率分别为 6 .8× 10 -3 m3 /m2 ·s和 1.9× 10 -6m3 /m2 ·s,H2 /N2 分离因子达 35 0 0。

采用新型无锡活化工艺在γ-Al_2O_3粉体上化学镀钯的研究

采用一种新型无锡活化工艺,即利用乙二醇作还原剂直接使Pd2+被还原成Pd0而沉积在基体上,实现了对γ-Al2O3粉体的活化。将活化后的γ-Al2O3粉体加入到两种钯镀液中,成功实现了γ-Al2O3粉体上的化学镀钯。研究了活化的机理以及化学镀前后γ-Al2O3粉体结构与表面形貌的变化,结果表明通过新型化学镀方法制备出的镀钯粉体1-Pd/Al2O3中钯粒子的粒径在20~30nm,并且粒径大小分布均匀。新型无锡活化工艺与传统的化学镀活化工艺相比,活化过程中无锡离子干扰,并且活化在中性条件下进行,基体不受损坏。

新型ENEPIG封装基板化学镀钯工艺优化

化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2 g/L氯化钯,13.2 g/L次磷酸钠,165 m L/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6。验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高。

基于稳健设计的ENEPIG印制板化学镀钯工艺研究

从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,次磷酸钠质量浓度13.2 g/L,氨水体积分数165 m L/L,温度55°C,p H 9.6,氯化铵质量浓度33 g/L。验证试验表明,应用优化后的化学镀钯工艺时,钯的沉积速率均值从原来的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明显改善。经过大样本量验证,试验具有良好的重复性和再现性。

工艺条件对线路板化学镀钯的影响

线路板镍层上传统化学镀金过程中存在镍层腐蚀问题,本文针对本公司开发的线路板化学镀镍钯金工艺的化学镀钯配方,研究了化学镀钯温度和pH对沉积速率、钯层形貌和镀金后镍腐蚀的影响。结果表明,在45℃~60℃区间化学镀钯沉积速度随温度呈近线性增加;在pH为6.0~8.0之间镀钯沉积速率随pH值增加也缓慢增加。在50℃,pH=7.2时化学镀钯沉积速率稳定,镀层结晶细致,能够有效减少镀金时产生的镍腐蚀,得到的镍钯金镀层平均断裂拉力为2.0 g,断裂模式均为模式A-3焊点肩部断裂,具有良好的金线邦定性能。

铜表面化学镀钯工艺研究

研究了铜表面化学镀钯工艺,通过称重法、贴滤纸法、扫描电镜和电化学极化曲线等探讨了施镀温度和时间对镀液p H以及镀层沉积速率、孔隙率、表面形貌和在3%Na Cl溶液中腐蚀行为的影响,采用能谱和X射线衍射分析方法对镀层组成和结构进行了表征。化学镀钯适宜的温度和时间分别为52°C和35 min。此时,化学镀钯的沉积速率最大,为1.16 mg/(cm2·h);得到的镀层均匀、致密,腐蚀电流密度最小,腐蚀阻抗最高,腐蚀速率最低。镀层中的钯以微晶态存在,磷含量约为5%。

化学镀钯拖缸现象的电化学研究

目的用电化学的方法探究化学镀钯出现拖缸现象的原因方法通过开路电位方法探测化学镀钯的引发过程,利用线性扫描伏安法测量极化曲线。在测量阳极极化曲线时不加入钯盐;在测量阴极极化曲线时,不加入次亚磷酸钠。分别求得次亚磷酸钠的起始氧化的电位(EO)、钯离子的起始还原电位(ER)随温度变化的关系曲线,以及甘氨酸浓度对EO和ER的影响,并且采用化学镀实验,研究钯层厚度变化与甘氨酸浓度的关系。结果发现第1次使用和多次使用的化学镀钯液对引发钯沉积的快慢存在差异,即存在拖缸现象。在镀钯过程中,温度越高,镀液活性越强,越不容易出现拖缸现象,同时稳定性也会下降。在电化学实验中发现,EO随着温度的升高而负移,ER随着温度的升高而正移,二者的差值|ΔE|总体上随着温度的升高而减小。ΔE可以反映镀液的稳定性和衡量化学镀钯引发的难易程度。ΔE<0意味着镀液稳定,化学镀钯需要在催化剂表面引发。当|ΔE|≤0.73 V时,化学镀钯可以正常引发。当|ΔE|>0.73 V时,引发过程存在拖缸现象。甘氨酸的浓度可以影响ΔE。当甘氨酸的质量浓度接近10 g/L时,拖缸现象不明显,无甘氨酸或者其质量浓度大于20 g/L时,容易出现拖缸现象。结论ΔE的值与化学镀钯液的稳定性和拖缸现象是否发生有关。

磷含量对化学镀钯层性能的影响

通过改变化学镀钯液中次磷酸钠的质量浓度,制备了P质量分数分别为4.64%、5.05%、5.71%和6.70%的Pd镀层。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪及电化学工作站分析了P含量对Pd镀层表面形貌、耐蚀性、晶态结构及可焊性的影响。结果表明:随着镀液中次磷酸钠质量浓度的增大,镀层的P质量分数增大,Pd镀层的表面微观形貌和耐蚀性均先改善后变差。当P质量分数为5.71%(即镀液中次磷酸钠的质量浓度为5 g/L)时,Pd镀层的表面形貌和耐蚀性均最佳。所得Pd镀层都是非晶态结构,并且可焊性良好。

稳定剂对线路板化学镀钯的影响

为提高线路板上化学镀钯的稳定性,通过镀液稳定性测试、膜厚测试以及扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)分析和X射线光电子能谱(XPS)分析等手段研究了稳定剂对镀液稳定性、镀速、镀层形貌以及镀金后镍腐蚀的影响。结果表明:丙烯酸浓度在0.050~0.300 mol/L范围内,随着浓度的增加,化学镀钯沉积速率总体上呈下降趋势;无机盐C浓度在1.000~7.000 mg/L能够大幅提高镀液稳定性,随含量的提高沉积速率呈现下降趋势。以丙烯酸浓度0.300 mg/L和无机盐浓度1.000 mg/L进行复配时,镀液稳定性强,沉积速率稳定,得到的钯镀层均匀细致,能够有效抑制镀金时产生镍腐蚀。

新型化学镀钯工艺研究

研究了一种新型化学镀钯工艺,使用新型络合型钯盐作为钯源,采用L16(45)的正交试验和单一因素实验,研究得到了性能最佳的镀液配方及工艺条件。镀层性能测试结果表明,所制备的镍钯金镀层镀层结合力强,金属光泽性高,具有良好的耐腐蚀性和可焊性。

化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂覆层的再提出

文章概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂(镀)覆层的特性。不仅它能够满足各种各样的类型元件和安装工艺的要求,而且也能满足高密度的IC基板封装的要求。因而,化学镀镍/化学镀钯/浸金表面镀层是一种"万能"的镀层,具有最广泛的应用前景。

化学镀钯液和使用方法

一种化学镀钯液含有极性溶剂，至少一种钯盐，至少一种非氮化的配位剂，能将溶液的pH值至少调节至8．0的碱性调节剂和还原剂。使用该电镀液可以在基体表面形成一层高纯度的钯电镀层，基本上防止了镀液中钯的还原沉淀。

工艺条件对线路板化学镀钯的影响分析

对线路板化学镀钯的相关内容进行研究,认识到工艺条件对其影响因素,核心目的是通过各项影响问题的探究,确定线路板的工艺条件,避免表面腐蚀问题的出现,从而确定最佳的工艺条件。

温度对化学镀钯层性能的影响

以Nb49Ni25Ti26氢渗透合金或载玻片为基体,在不同温度下进行化学镀钯。化学镀钯液组成与工艺条件为:PdCl22g/LNaH2PO2·H2O10g/L,38%盐酸4mL/L,NH4Cl27g/L,28%氨水160mL/L,pH9.8±0.2,施镀时间2h。研究了镀液温度对镀速和Pd镀层表面形貌、耐蚀性及氢渗透性能的影响。结果表明,化学镀钯的最佳温度为60°C,此时镀速达到最大[为4.05mg/(cm2·h)],制备的Pd镀层均匀、致密,耐腐蚀性好,具有较强的氢渗透作用。

化学镀镍/钯/金工艺中连接盘设计对金厚影响的研究

通过设计几种常见的连接盘,在化学镀镍/钯/金(置换金体系)后量测连接盘的金层厚度,以研究连接盘对置换金厚的影响。对实验结果进行分析,发现在相同的加工条件下,连接盘的沉金厚度有随着连接盘面积增大而减小的趋势;当连接盘面积小于一定量时,阻焊限定(SMD)连接盘的金厚较相同大小的非阻焊限定(NSMD)连接盘的金厚降低;对于设计大小相同的连接盘,连接盘的金厚与其连接的沉金连接盘或铜面的面积大小呈负相关。

适用于IC封装的表面涂覆层——化学镀镍、钯、金的未来

概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金涂(镀)覆层的优点,它比起化学镀镍/浸金,不仅更适用于IC封装,而且提高了可靠性,降低了成本。

化学镀镍镀钯浸金表面处理常见品质缺陷及解决方案

在各种表面处理技术中,化学镀镍镀钯浸金(ENEPIG)因具有良好的综合性能,被认为是PCB最理想的表面处理技术,但在实际工艺中容易出现漏镀,渗镀,金面异色,金面腐蚀等品质缺陷问题,影响产品可靠性。文章介绍了镍钯金表面处理技术中常出现的几种品质缺陷,并通过对其进行原因分析。

化学镀镍浸金和化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展趋势

当今电子信息产品便携小巧、功能多样的发展趋势,推动了其所需PCB产品向轻薄、信号传送速度更快的方向发展,这对PCB表面处理工艺的稳定性、可靠性提出了新的挑战。另一方面,欧盟在2003年制定的RoHS、WEEE等规范都旨在消除电子产品中铅、汞等有害的物质,推动了PCB表面处理技术向绿色无铅化方向发展。化学镀镍浸金(简称ENIG)和在其基础上发展的化学镀镍镀钯浸金(简称ENEPIG)表面处理技术可以适应PCB精细线路多类型元件的无铅焊接装配要求。上述两种表面处理技术克服了由无铅工艺带来的诸多问题,但其自身也面临如何进一步降低成本和技术难度,提高工艺可靠性等一系列问题。

PCB化学镀镍钯合金涂覆层的研究

文章研究了一种新型PCB表面涂覆层-化学镀镍钯合金工艺。在铜基材上成功镀覆镍钯合金镀层，镀速达到2．46μm／h，得到化学镀镍钯合金的较优镀液配方和工艺条件为：NiCl2·6H2O 12g／L，PdCl2 0．15g／L，NaH2PO2·H2O 7g／L，氨水7ml／L，氯化铵3g／L，乙二胺（En）9ml／L，温度65℃～70℃，pH8．5～9．0。所得镀层中镍钯磷含量分别为Ni84．53％、Pd6．35％、P8．16％，镀层性能通过结合力测试、中性盐雾试验、可焊性试验等进行表征。结果表明，镍钯合金镀层结合力强、镀层光亮、孔隙率低，具有较好的耐蚀性和可焊性。

氮化铝多层共烧陶瓷基板的化学镀镍钯金技术

氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有优良的散热性能和与芯片匹配的热膨胀系数,其热导率比LTCC高两个数量级左右。在HTCC制作过程中,需要使用高熔点的钨浆料,而钨本身不具有可焊性和可键合性,必须对HTCC表面的钨导体进行表面改性,使其具有可焊性和可键合性,便于电子装配。化学镀镍钯金是这种表面改性最理想的方案。在HTCC表面进行化镀的相关文献较少,文中论述了在HTCC上沉积化学镍钯金镀层的原理,探讨了导致化学镍钯金沉积过程中出现的附着力问题的原因,为HTCC上化学镍钯金镀层的质量控制提供了方向指引。