静态混合器在十二烷基硫酸铵生产中应用

介绍了连续生产十二烷基硫酸铵的生产工艺 ,并与间歇法生产的工艺及产品质量指标作了对比 ,叙述了利用静态混合器生产十二烷基硫酸铵的优越性。

氨基磺酸法合成十二烷基硫酸铵

十二烷基硫酸铵，化学结构式为：Ｃ１２Ｈ２５－ＯＳＯ３ＮＨ４，简称为ＬＳＡ，若采用天然椰油醇为原料所得产品也简称为ＬＳＡ。这种产品为弱酸性温和型阴离子表面活性剂，与十二烷基硫酸钠（ＡＳ或称Ｋ１２）相比，它具有刺激性低、溶解性好、泡沫丰富、脱脂率低等特点...

氨基磺酸法合成十二烷基硫酸铵

介绍了氨基磺酸作为硫酸酯化剂的优点,并与其它几种方法进行了对比,详细讨论了氨基横酸法合成十二烷基硫酸铵的影响因素,并得出了最佳工艺条件。

氨基磺酸法合成十二烷基硫酸铵

本文介绍了氨基磺酸作为硫酸酯化剂的优点，并与其它几种方法进行了对比、详细讨论了氨基磺酸法合成十二烷基硫酸铵的影响因素；得出了最佳工艺条件。

碱性抛光液中铜和钽CMP的去除速率控制和电偶腐蚀研究

研究了不同浓度的高碘酸钾(KIO4)和配位剂柠檬酸钾对Cu和Ta的去除速率及腐蚀电位差的影响。由化学机械抛光(CMP)实验结果可知,随着KIO4浓度的提高,Cu的去除速率一直上升,而Ta的去除速率先上升后下降。在pH为10的情况下,当柠檬酸钾为30 mmol/L,KIO4为3 mmol/L时,Cu和Ta的去除速率分别为31.3 nm/min和58.8 nm/min。柠檬酸钾与KIO4的协同作用能够明显提高Ta的去除速率,有利于更好地实现Cu和Ta去除速率的选择性,但此时Cu和Ta之间的腐蚀电位差高达186 mV。为了改善Cu和Ta抛光后的表面形貌,尝试加入表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)。当ADS的添加量为15 mL/L时,Cu和Ta的去除速率非常接近,分别为46.4 nm/min和49.6 nm/min。模拟CMP过程的动态电化学测试结果显示此时Cu和Ta之间的腐蚀电位差只有11 mV,表明加入ADS能够较好地减轻Cu和Ta之间的电偶腐蚀。

碱性铜精抛液中表面活性剂ADS对平坦化效果的影响

研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响。对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、晶圆片内非均匀性和表面粗糙度进行了测试。实验结果表明,当阴离子表面活性剂ADS的质量分数为0.2%时,抛光液的表面张力降低,铜的去除速率为202.5 nm·min^(-1),去除速率片内非均匀性减小到4.15%,抛光后铜膜的碟形坑高度从132 nm降低到68.9 nm,表面粗糙度减小到1.06 nm。与未添加表面活性剂相比,晶圆表面的平坦化效果得到改善。