基于半功率带宽法的改进模态分析法

现有模态分析法仅根据模态阻抗的幅值大小判断谐波谐振程度,可能导致错误的分析结论。针对此局限性,提出一种改进模态分析法,引入半功率带宽法对模态分析结果进行进一步求解和改进。首先,介绍模态分析法概念;然后,基于半功率带宽法对谐振进行分析,并提出改进模态分析法,引入性能指标对谐波谐振程度进行判定;接着,对多并网逆变器进行建模,构建系统节点导纳矩阵;最后,通过理论分析和仿真验证,在MATLAB/Simulink中搭建仿真系统,验证现有模态分析法的局限性和本文方法的有效性。结果表明,谐波谐振程度同时受到模态阻抗幅值和阻尼比的影响,通过提出的改进模态分析法可实现系统谐波谐振程度的评估。

时域天线阵列半功率波束宽度计算

对于冲击雷达系统中的时域天线阵列,提出点源近似模型,用来计算时域超宽带天线阵列辐射瞬态电磁脉冲的场方向图以及辐射波束的半功率波束宽度。采用点源近似模型计算的半功率波束宽度和CST仿真结果一致,并和实验测试结果吻合得很好。实验表明,阵列辐射瞬态电磁脉冲具有波束聚焦特性,点源近似模型可以作为一种简便的方法,对时域天线阵列的参数进行分析。

用Matlab研究半功率带宽法

随着科学技术和生产力的不断发展，测试任务日趋复杂与完善，在工程振动中阻尼比的测试分析越来越深入，对阻尼比稳定性和精度要求也越来越高。大多数分析测试是基于半功率带宽法。文章通过用Matlab对半功率带宽法的结果进行分析，对半功率带宽法的特点、适用范围及影响因素进行探讨，得出了合理的结论及求精确值的方法。

基于LED半功率角的IRT-N三角阵列研究

在可见光通信(VLC)室内定位领域中,LED半功率角辐射范围内信号强度大,运用测距算法时定位误差小。为了提高室内LED半功率角的辐射范围,并消除其辐射"盲区",提出了一种基于LED半功率角的IRT-N三角阵列,该阵列通过利用地面上的LED半功率角圆形辐射范围相切,将LED组合排列成等腰直角三角形。相较于传统斯派罗法则构建的方形阵列,IRT-N三角阵列将地面接收信号强度和接收功率高于平均值的辐射面积分别提高了25.75%和16.45%。该阵列构建复杂度低、半功率角辐射范围广,更适宜在VLC室内定位领域中推广应用。

阻尼比求解的半功率带宽法和时域衰减法对比研究

准确测量阻尼比对振动控制具有重要意义,半功率带宽法和时域衰减法是最常用的阻尼比求解方法。基于锤击试验对2种阻尼比求解方法进行比较,分析各自的特点,结果表明:时域衰减法具有较高精确度;分辨率越高,二者的计算精度越高,结果也越一致;半功率带宽法的计算精度与共振峰位置有关,共振频率较低时,误差较大。研究结果为工程应用提供有效参考。

基于LED半功率角的VLC混合室内定位算法研究

提出一种基于LED半功率角的VLC混合室内定位算法,该算法结合LED半功率角特点,在LED半功率角覆盖范围内时,光信号强度大、信道条件好,信号受到的路径损耗影响小,使用半功率角RSS算法进行定位;在LED半功率角覆盖范围外时,光信号强度小、信道条件差,提出到达角差值算法进行定位,该算法受光信号强度值大小的影响小,且只需2个LE D信源可实现室内三维空间定位。最后,使用Matlab仿真,并利用卡尔曼滤波消除算法定位误差,将定位误差减小到2 cm。基于LED半功率角的VLC混合室内定位算法复杂度低、定位精度高,且实现简单。

半功率带宽法与INV阻尼计法求阻尼比的研究

半功率带宽法是国内外常用的测试阻尼的方法,笔者发现半功率带宽法由于受到信号处理中的①采样频率SF②频率分辨率△f③采样频率与信号频率之比K④采样分析的长度T和⑤阻尼比D的大小等因素的影响使得测得的阻尼比值波动很大,除少数状态是可信的外,多数状态是不稳定的,有时误差惊人,得到的测试数据不能使用,易导致错误的结论。文内提出了一种创新的INV阻尼计法,它具有高精度、高准确率、操作方便等特点,使阻尼比测试有了一个突破。文内把两种方法与时域波形衰减法求阻尼比进行了对比分析,以供同行专家参考。

基于半功率带宽法的薄板涂层结构阻尼特性测试

本文主要研究了薄板-涂层结构系统的阻尼特性的测试方法与典型案例。首先介绍了半功率带宽法的识别原理,在此基础上,搭建了用于半功率带宽法测试的实验系统。采用半功率带宽法识别了带有涂层的钛基薄板结构的阻尼特性。针对涂覆TiZrN涂层前后的钛基薄板进行了阻尼特性测试,获得了系统的阻尼特性参数。对比所得的测试结果表明,薄板结构涂层后系统的固有频率发生了错频,且阻尼特性明显增大。

安装姿态对天线方向图水平面半功率波束宽度测试的影响

为了研究安装姿态对天线方向图水平面半功率波束宽度测试的影响,通过仿真分析及实测验证的方法,研究了天线姿态及抱杆姿态存在俯仰偏移时对天线方向图水平面半功率波束宽度测试的影响,仿真分析了双通道900天线、双通道1800天线、FAD宽频智能天线存在安装姿态差异时,对水平面半功率波束宽度的影响,并通过实验证实了安装姿态差异对方向图水平面半功率波束宽度的影响,为在测试中科学合理地架设天线提供了参考。

微焊点服役过程的多物理场耦合仿真研究——以功率半导体封装用Cu6Sn5微焊点为例

功率半导体高度小型化、智能化和集成化的发展趋势对半导体封装材料的耐温能力提出了新的挑战。将传统低熔点的Sn基微焊点转变为高熔点的Cu6Sn5金属间化合物微焊点进而构建新型耐高温微焊点阵列,成为目前功率半导体封装领域的研究热点。基于Comsol商用有限元仿真软件,可以针对功率半导体新型Cu6Sn5金属间化合物封装微焊点开展电-热-结构多物理场耦合仿真研究。研究解析了新型微焊点在室温和循环变温两种典型服役条件下的电场、热场及结构场分布,提出新型微焊点的潜在失效方式并建立了相应可靠性评价方法,仿真结果对于Cu6Sn5金属间化合物封装微焊点在功率半导体的实用应用具有重要指导意义。

半直驱MW级轴向磁通永磁风力发电机电磁设计与分析

在大功率直驱式风力发电机设计中,针对轴向磁通永磁发电机径向尺寸大、后期维护成本高的问题,文章将轴向磁通永磁发电机设计为大功率半直驱式风力发电机。以2 MW半直驱轴向磁通永磁发电机为研究对象,研究其参数设计原则和方法。通过探究不同极对数对发电机输出性能的影响,确定满足设计目标的发电机优选方案。采用3D有限元分析法对发电机空载和额定负载工况下的气隙磁密、电压、电流波形以及输出功率、损耗和效率进行分析,验证发电机电磁设计的正确性,发电机效率可以达到97.79%,具有损耗小、效率高的优点。通过与现有发电机进行对比,文章所提出的半直驱MW级轴向磁通永磁发电机径向尺寸显著减小,且在轴向尺寸和齿槽转矩方面比现有径向磁通结构的大功率半直驱永磁发电机表现更优。

带自驱同步整流的半无桥PFC电路技术研究

半无桥双Boost功率因数校正(PFC)电路能够获得更高变换效率,同时不增大共模噪声,但输入交流端的返回电流在引入的二极管上产生额外的损耗,降低了电路的变换效率。研究用MOS管替代二极管,其导通时具有极低阻抗短路与其并联的MOS管(或其体二极管)和电感器支路,返回电流绝大部分流经MOS管,从而降低导通损耗,提高变换效率;同时MOS管及其体二极管为共模噪声提供低阻抗通路,共模噪声水平未发生改变。给出了电路工作过程和设计准则,并用电路仿真验证了分析的正确性。最后,研制出1.5 kW原理样机,验证了该电路能够进一步提高变换效率。

借助他方试验预测自磨/半自磨单位能量的方法

自磨/半自磨单位能量是自磨/半自磨设备选型的主要参数。自磨/半自磨单位能量预测是自磨/半自磨流程设计的重要环节。目前自磨/半自磨单位能量大多通过现代自磨/半自磨试验方法进行预测,这些试验方法一般由专门开发的实验室试验和计算机模拟软件组成,各自形成独立的体系。然而,有一些特殊类型的自磨/半自磨单位能量预测方法不是开发自己的试验方法,而是借用Bond功指数试验、JKTech落重试验、半自磨功率指数(SPI)试验等他方的现有成熟试验方法获得必要的参数,用于自己开发的预测计算方法中,以低成本享有其存在的空间和独特的优势。本文介绍了利用Bond功指数的方法、澳大利亚Ausenco公司的方法、加拿大OMC公司的方法和澳大利亚DBC公司的方法等4种这一类自磨/半自磨单位能量的预测方法。

半桥式功率输出级中高速低功耗低侧管的实现

本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构 ,并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中 .这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断速度快的优点 ,有效地解决了功率管导通电阻和关断速度之间的矛盾 .在不改变工艺 ,不降低耐压 ,不增加电路元件的前提下 。

高效率大功率连续半导体激光器

从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808nm连续半导体激光器阵列。在工作电流140A时,阵列工作电压为1.83V,输出功率145W,电光转换效率达到56.6%。

表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响

分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.

基于半互功率谱密度及响应面法的干气密封系统工作模态分析

干气密封装置的动态特性会直接影响密封的可靠性,针对具有复杂结构的干气密封装置,实现对其工作模态的研究。基于多参考点最小二乘复频域法(PolyLSCF),分别采用互功率谱函数(Cross Power Spectra)和半互功率谱密度函数(Cross Half PSD)实现对装置系统的工况模态分析及识别,并通过数学指标:模态置信度(MAC)、平均相位偏差(MPD)、模态相位线性度(MPC)、模态复杂性(MOV)以及模态指示函数(MIF)对两个函数的模态结果进行验证。结果表明:采用半互功率谱密度函数的模态分析结果好于互功率谱函数,半互功率谱密度函数更适用于此类复杂结构系统的工作模态分析;不同操作条件下的模态结果表明:转速对于系统模态的影响大于介质压力;同时建立了一种基于响应面方法的时变模态参数识别模型,以不同的操作条件(介质压力与转速)、方向和模态阶数为响应面变量,通过Box-Behnken试验设计选取合适的变量样本点,建立系统模态参数的完整二次多项式工作模态响应面模型并验证了其有效性,为实现时变模态的辨识提供了新的方法和技术支持。

大功率半自磨机基础振动模拟及结构设计理论研究与探讨

介绍了太钢袁家村铁矿半自磨机基础振动问题,给出了半自磨机基础模拟振动计算分析、解决方案及检测数据,为后续大功率半自磨机基础振动问题及结构设计提供依据。

带四路半桥功率级的立体声D类放大器芯片STA500/STA505

STA500和STA505是意法微电子(ST)公司推出的带有四路由P沟道和N沟道MOSFET组成的半桥级功放芯片。这两种IC还内置电压调整器、保护及控制逻辑电路,它们既可以组成双H-桥放大器,也能够组成单H-桥桥接负载(BTL)电路。STA500和STA505在负载为8Ω时,分别可输出2×30W和2×50W的功率。