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溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变
被引量:
4
1
作者
陆松伟
侯立松
干福熹
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期175-180,共6页
本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%...
本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%,红外光谱研究表明,x 值接近于2。
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关键词
VOx薄膜
半导体—金属相转变观象
溶胶—凝胶法
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职称材料
题名
溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变
被引量:
4
1
作者
陆松伟
侯立松
干福熹
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期175-180,共6页
基金
国家自然科学基金(第2860381号)资助
文摘
本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%,红外光谱研究表明,x 值接近于2。
关键词
VOx薄膜
半导体—金属相转变观象
溶胶—凝胶法
Keywords
VOx thin films
Semiconductor-metal phase transition
Sol-gel method
分类号
O614.511 [理学—无机化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变
陆松伟
侯立松
干福熹
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
4
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