快速断电安全技术中半导体中性点开关结构性能的研究

对我国目前半导体中性点开关的结构 ,工作过程 ,性能进行了分析 ;现行中性点开关所存在的问题为电路拓扑结构不合理 ,关断时间过长或过短 ,过长不满足快速断电安全技术的要求 ,过短又易引起过电压 ,使中性点开关失控。笔者提出了采用绝缘门极双极性晶体管 (IGBT) ,构成半导体中性点开关的可行方案。同时指出 ,开发新型快速断电安全技术装置 。