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基于自动微分技术的器件模型参数提取算法
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作者 程彬杰 邵志标 +2 位作者 王莉萍 于忠 唐天同 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页
自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约... 自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好。 展开更多
关键词 自动微分 参数提取 金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型 半导体器件模型 集成电路
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深亚微米pHEMT器件的建模 被引量:1
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作者 韩育 高学邦 《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期35-38,共4页
针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。
关键词 深亚微米 PHEMT器件 脉冲测试 非线性等效电路模型 半导体器件模型
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碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究 被引量:1
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作者 袁寿财 刘亚媚 《电子器件》 CAS 2008年第5期1523-1528,共6页
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟... 由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。 展开更多
关键词 碳纳米管场效应晶体管 弹道输运 器件模拟 量子效应 半导体器件模型 超薄衬底
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InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究
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作者 谢生 张帆 毛陆虹 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期160-166,共7页
从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM)InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发,分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素,推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式,同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响,构建了... 从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM)InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发,分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素,推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式,同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响,构建了完整的电流响应模型.模型使用与通用电路仿真器完全兼容的Verilog-A语言进行描述,适用于Cadence电路设计平台中与外围电路进行协同仿真.结果表明:在300 K下模型仿真结果与实验数据在60 V偏置电压范围内均处于同一数量级,验证了所构建的APD器件模型的精确度,为光电探测系统的协同设计与整体优化提供了参考. 展开更多
关键词 雪崩光电二极管(APD) 半导体器件模型 INGAAS/INP 电流响应 倍增因子 碰撞电离
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艰难困苦 玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士
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作者 挽弓 《中国集成电路》 2010年第12期19-23,27,共6页
本期高端人士介绍:张锡盛,清华大学微电子专业博士,师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后,师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国... 本期高端人士介绍:张锡盛,清华大学微电子专业博士,师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后,师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国硅谷的著名Celestry Design Technologies,Inc.公司担任研发副总经理,领导团队成功开发了一系列的EDA软件工具,并在此期间申请了多个美国专利。张锡盛博士对SPICE仿真软件、器件模型、数值计算、器件测量等都有很深的研究。 展开更多
关键词 博士后 半导体器件模型 BSIM3模型 总裁 清华大学 美国硅谷 中科院院士
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应用科学家用MonteCarlo方法
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作者 朱尧辰(评) 《国外科技新书评介》 2009年第3期4-5,共2页
MonteCarlo方法是数学、物理及工程技术领域有效的计算手段。本书论述MonteCarlo方法在自然科学中的应用,为应用领域科技人员应用MonteCarlo数值方法给出系统的指导。与同类专著相比,本书更为注重算法的性能分析,并用实例表明MonteCa... MonteCarlo方法是数学、物理及工程技术领域有效的计算手段。本书论述MonteCarlo方法在自然科学中的应用,为应用领域科技人员应用MonteCarlo数值方法给出系统的指导。与同类专著相比,本书更为注重算法的性能分析,并用实例表明MonteCarlo方法在半导体器件模型等实际问题中有着广阔的应用前景。本书还融入了作者在英国Reading大学为计算机科学专业开设的“随机方法和算法”课程的内容,使本书在理论上也有一定深度。 展开更多
关键词 MonteCarlo方法 应用科学 半导体器件模型 计算机科学 家用 工程技术 自然科学 数值方法
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Analysis of the local discontinuous Galerkin method for the drift-diffusion model of semiconductor devices 被引量:5
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作者 LIU YunXian SHU Chi-Wang 《Science China Mathematics》 SCIE CSCD 2016年第1期115-140,共26页
We consider the drift-diffusion (DD) model of one dimensional semiconductor devices, which is a system involving not only first derivative convection terms but also second derivative diffusion terms and a coupled Po... We consider the drift-diffusion (DD) model of one dimensional semiconductor devices, which is a system involving not only first derivative convection terms but also second derivative diffusion terms and a coupled Poisson potential equation. Optimal error estimates are obtained for both the semi-discrete and fully discrete local discontinuous Galerkin (LDG) schemes with smooth solutions. In the fully discrete scheme, we couple the implicit-explicit (IMEX) time discretization with the LDG spatial diseretization, in order to allow larger time steps and to save computational cost. The main technical difficulty in the analysis is to treat the inter-element jump terms which arise from the discontinuous nature of the numerical method and the nonlinearity and coupling of the models. A simulation is also performed to validate the analysis. 展开更多
关键词 local discontinuous Galerkin method SEMI-DISCRETE implicit-explicit scheme error estimate semi- conductor
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