Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用

随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。

Conventor 的SEMulator3D半导体建模技术新进展

近年来半导体技术包括鳍式场效应晶体管、三栅和高k／金属栅发展迅速，使工艺的复杂性、成本和技术的研发周期急剧增加。目前迫切需要一种系统的虚拟开发方式以实现及时上市。Coventor公司的SEMulator3D软件可提供功能齐全的3D半导体工艺建模平台，其在技术开发应用领域具有较大的发展潜力，其操作简单、功能强大且反应迅速。

日开发出制作有机半导体单晶薄膜的新技术

日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。 新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称，该技术能使平板显示器等大面积电子设备所需的薄膜场效应晶体管（TFT）的性能比用传统方法制成的产品高百倍以上。

日开发出制作有机半导体 单晶薄膜的新技术

日本一个研究团队近日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。据称，该技术能使平板显示器等大面积电子设备所需的薄膜场效应晶体管（TFT）的性能比用传统方法制成的产品高百倍以上。

离子液体场效应晶体管

为满足高速响应和节电的要求，日本技术人员在传统场效应晶体管的基础上研发了应用离子液体的场效应晶体管。如图1所示，在传统场效应晶体管的绝缘体位置导入离子液体，使离子液体与栅电极和半导体一同构成电气二重层，实现场效应晶体管的功能。这一电气二重层厚度仅1nm，可以通过较低的电压生成较高的电场。

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

半导体技术的发展与进步是实现集成电路的关键,推动着电子产品的微型化以及高性能化发展。本文将对SiGe半导体在微电子技术发展中的应用进行探讨,研究其对于微电子行业的重要作用。

北大排列高密度半导体碳纳米管 电子学性能超同尺寸硅基器件

集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中,半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构,是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上的晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多的晶体管，从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件，在过去的40年间，科学家们主要通过将更多的晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力，但目前这条道路似乎已快走到尽头。业界认为，半导体工业正在快速地接近晶体管小型化的物理极限，现代晶体管的主要问题是产生过多的热量。

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件，在过去40年间，科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力，但目前这条道路似乎已快走到尽头。

美国阿尔法和欧米伽半导体公司推出新型功率场效应晶体管

美国阿尔法和欧米伽半导体技术公司是功率半导体器件和功率集成电路的设计商、开发商及全球供应商。日前,该公司宣布推出6种新型25伏特和30伏特的功率场效应管(AON7760、AON7510、AON7758、AON7764、AON7536、AON7538),对3×3mm两边扁平无引脚(DFN)

下一代晶体管露脸

ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。

有机场效应晶体管材料及器件研究进展

有机场效应晶体管(organic fieldeffect transistor,OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进,使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一.文章概述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展.

硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究

本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。

功率集成器件及其兼容技术的发展

功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率集成关键技术,包括隔离技术、高压互连技术、dV/dt技术、di/dt技术、抗闩锁技术等,最后讨论了功率集成器件及其兼容技术的发展趋势。

SPICE在电子技术教学中的应用

笔者从88届开始在为仪表专业开设的电子技术基础课中引入了机辅分析,使用的软件是SPICE程序。因为SPICE程序是目前世界上使用最广泛的电路分析程序之一。它可以对电路进行工作点分析、瞬态分析、频率响应分析、直流传输特性分析、小信号传递函数分析,特别是还具有噪声分析、失真分析、灵敏度分析等。被分析的电路可包含电阻、电容、电感、互感、各种独立电源(电压源、电流源、正弦源脉冲源等),四种受控源及四种通用的半导体器件:二极管、双极型晶体管、结型场效应管和MOS管等。SPICE具有自建的半导体模型,

飞速发展的电力电子技术

半导体器件的出现为电子学的发展开辟了一个新纪元。电子学包含两个分支:微电子学和电力电子学。微电子学的一个发展趋势是半导体器件做得越来越小,集成度越来越高。而电力电子学的一个重要发展方向是器件朝大容量发展。微电子技术以信息处理为对象;而电力电子技术以电能处理为对象。电力电子是将输入端电源通过静止的方法对其进行有效的变换、控制和调节使其达到输出端要求的一门技术。微电子技术的迅猛发展带来了计算机。

美国市场碳化硅功率器件技术相关专利趋势

近年来,宽禁带半导体材料中技术成熟度最高的碳化硅(SiC)在功率器件领域的技术进步十分引人注目。所谓新能源技术和产业(包括太阳能、风电、混合及纯电动动力汽车等)的发展更加速了SiC功率器件的应用发展。几乎没有人质疑它将在高端应用中大量取代目前硅功率市场份额的前景,但是到更具体的时间表和技术路线,还是有很多不同的预计。