双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应

本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁.

半导体型与金属型单壁碳纳米管的分离技术

目前用任何技术上可行的方法制备出的可用于商品化的单壁碳纳米管(SWCNTs)均为金属型和半导体型碳纳米管的混合物,极大地阻碍了SWCNTs在纳电子器件领域的应用研究进程。实现不同结构与性能SWCNTs的分离是解决当前SWCNTs研究困境的有效途径。通过概述SWCNTs分离研究的最新进展,分析和比较近几年发展的分离金属型和半导体型SWCNTs的主要技术和方法,认为研发具有操作简便、高效、可规模化分离,且成本低廉等特点的SWCNTs分离技术仍是今后研究的重点。

金属型和半导体型单壁碳纳米管的分离研究进展

单壁纳米管(SWNTs)因其独特的电学、力学等性能在纳米电子器件等领域有着巨大的应用前景。本文概述了单壁碳纳米管的结构及与电性能之间的关系,介绍了金属型和半导体型单壁碳纳米管的分离方法及研究进展。

金属型和半导体型单壁碳纳米管的分离研究进展

单壁碳纳米管(SWNTs)有优良的电学性能,但是目前制备的单壁碳纳米管都是金属型(met-)和半导体型(sem-)SWNTs的混合物,极大地限制了SWNTs进一步的应用。以物理法和化学法概述了近年来met-和sem-SWNTs的分离方法,并对各方法进行了机理分析和优劣比较。

金属型与半导体型碳纳米管的分离方法

根据导电性质的不同,碳纳米管可分为金属型和半导体型。在碳纳米管的合成过程中,不同导电性能的碳纳米管总是混合在一起,很难把它们分离开来。分别从物理、化学和生物的角度介绍了目前分离金属型和半导体型碳纳米管的方法,认为DNA自组装分离碳纳米管的方法优于其它的方法,能够将不同类型的碳纳米管分离出来,并且,在分离的数量上优于所有其它的分离方法。

半导体型单壁碳纳米管用于近红外二区(NIR-Ⅱ)深层组织光声成像

传统光声成像外源对比剂的光吸收主要集中在可见光区和传统近红外区(NIR,750~900 nm),开发具有更高光学组织穿透能力的近红外二区(NIR-Ⅱ,1 000~1 700 nm)光吸收外源对比剂对活体深层组织光声成像具有重要意义。本文中,作者选取了光吸收峰在1 000 nm左右的半导体型单壁碳纳米管为近红外二区光学吸收外源对比剂,测试了其在近红外二区激光激发下能够产生较强的光声效应。进一步地,作者通过将该纳米材料包埋在仿体组织的不同深度的位置,获得了仿体组织的深层光声成像,成像深度可达1.5 cm。试验结果表明,具有近红外二区光吸收能力的半导体型单壁碳纳米管在活体深层组织光声成像中有很大的应用潜力。

科研人员合成半导体型类MXene二维过渡金属碳化物材料

随着柔性透明电子技术的兴起,二维半导体材料近年来备受关注,特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去十年里,研究者们已相继发展出MoS2和磷烯等典型的具有直接带隙的二维半导体材料。然而,MoS2的带隙是层数依赖性的,直接带隙仅能在单层结构中实现。

半导体型剂量计检定医用诊断X射线辐射源的不确定度分析

医用诊断X射线辐射源的输出空气比释动能率是其一个重要的性能指标,其量值是否符合要求关系到医患双方的人身安全和诊断结果的可靠性。现代计量检定中,半导体型剂量计有取代传统电离室型剂量计的趋势,本文对半导体型剂量计检定医用诊断X射线辐射源的不确定度进行了分析。

基于5-羟甲基间苯二甲酸和咪唑衍生物的半导体型Ni-MOFs的合成、晶体结构和光催化性质

利用水热反应制备了2个配合物{[Ni(HIPA)(2,5-DPBI)_(1.5)(H_(2)O)]·2.25H_(2)O}_(n)(1)和[Ni(HIPA)(2,5-DPBMI)(H_(2)O)]_(n)(2)(H_(2)HIPA=5-(羟甲基)间苯二甲酸,2,5-DPBI=1,1’-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)双(1H-咪唑),2,5-DPBMI=1,1’-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)双(4-甲基-1H-咪唑))。结构分析揭示在不同咪唑配体存在下,配合物的Ni中心具有不同的配位环境。配合物1具有拓扑符号为(4~2.6~6.8~2)的五连接三维框架,而配合物2则是dia型的四连接网络。粉末X射线衍射证实配合物1和2在有机溶剂和紫外可见光照射的水中均非常稳定。此外,紫外可见吸收谱、Mott-Schottky和电化学阻抗谱(EIS)测试显示配合物1和2都是典型的n型半导体材料,具有较低的电荷传输阻抗。在光催化实验中,配合物1和2对染料亚甲基蓝的降解有催化活性。

基于2,5-二甲氧基对苯二甲酸和咪唑衍生物的半导体型钴-配合物的合成、结构和光催化性质

在2,5-二甲氧基对苯二甲酸(H_(2)DTA)存在下,咪唑衍生物1,1’-(5-甲基-1,3-亚苯基)双(2-甲基-1H-咪唑)(1,3-MPBMI)和1,3-二(1H-咪唑-1-基)苯(1,3-DIB)作为配体通过与Co^(2+)水热反应,得到了两个配合物[Co(DTA)(1,3-MPBMI)]_(n)(1)和[Co(DTA)(1,3-DIB)(H_(2)O)]_(n)(2)。单晶结构分析揭示两个配合物都是由二维层构建出的三维超分子化合物。粉末衍射则揭示配位物1和2在通常的有机溶剂和水中都非常稳定。进一步的紫外-可见光谱、Mott-Schottky和电化学阻抗(ESI)测试显示配合物1和2是典型的n-型半导体,具有较低的电荷传输阻抗值。光催化实验中,配合物1和2可催化降解染料亚甲基蓝。

基于n型柔性半导体的有机晶体管及其电子-离子双响应特性

为了研究n型有机混合离子电子导体电子-离子双响应特性及分子量对载流子迁移率的影响,采用具有平面刚性的梯形分子链结构的高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备高性能有机电化学晶体管,并对晶体管紫外可见吸收光谱和晶体管器件电气性能进行表征。结果表明,利用高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备的n型有机电化学晶体管表现出极高的响应速度(0.034 s)、高载流子迁移率(4.72×10^(-3) cm^(2)/(V·s)),以及在水系电解液中优异的稳定性(稳定运行超过120次脉冲循环)。

P型赝三元半导体掺Al块体热电材料的热电性能

本文采用湿混热压法制备了P型赝三元半导体掺Al块体热电材料,研究结果表明,掺Al后,在材料中出现了较多的高导电区和高导热区,从而导致电导率和热导率增高;由于金属Al的高载流子浓度也会相应提高材料的整体载流子浓度,同时掺Al会引入更多的界面缺陷,从而引起载流子散射效应增强,散射因子的降低且载流子浓度的升高共同导致Seebeck系数的降低。

半导体激光治疗仪辅助治疗三高人群的临床效果观察

对比分析型号GD10-D的半导体激光治疗仪和型号ZD-SG0201-YN的半导体激光治疗仪对高脂血症、高血压、高粘血症的辅助治疗的临床效果。方法 在本院收集了160例于2020年12月~2023年1月在我院接受治疗的心脑血管疾病的患者为研究对象进行前瞻性随机对照研究,所有入选患者按随机数字表法以相同比例随机分组,两组患者均接受半导体激光治疗仪辅助治疗,其中80例对照组患者治疗应用的仪器为型号为ZD-SG0201-YN的半导体激光治疗仪,80例研究组患者应用型号GD10-D的半导体激光治疗仪。收集并比较两组患者血脂、纤维蛋白原、血液流变学指标及血栓素B2(TXB2)、6-酮前列腺素F1α(6-K-PGF1α)水平变化情况,分析两组患者接受两种半导体激光照射治疗临床症状改善情况。结果 研究组患者治疗纤维蛋白原、血液流变学指标、血脂及TXB2、6-K-PGF1α水平变化与对照组患者基本一致,两组患者临床症状改善效果也基本一致,并发症发生率也一致,比较均无统计学差异(P>0.05)。结论:ZD-SG0201-YN半导体激光治疗仪和GD10-D半导体激光治疗仪都能用于高脂血症、高血压、高粘血症的辅助治疗,有利于缓解高脂血症、高血压、高粘血症引起的临床症状,临床效果和安全性基本上一致。

N型赝三元半导体掺Sn复合材料的微观结构与热电性能

将Sn粉与N型赝三元半导体粉体材料按一定比例混合,在200℃和550 MPa压强条件下热压制备N型赝三元半导体掺Sn复合材料.分析材料的微观结构和热电性能结果表明,掺入Sn后XRD衍射峰没有发生偏移,Seebeck系数降低而电导率和热导率升高,这主要是掺Sn引起载流子浓度的显著升高导致的.

非共价方法分离金属型和半导体型单壁碳纳米管

目前商品化生产的单壁碳纳米管(SWNTs)都是金属型和半导体型碳管的混合物,极大地限制了其在微电子等领域的研究和应用。非共价分离方法既能保持SWNTs特有的电子结构又可实现可逆分离,是目前研究最多的分离方法。本文在介绍SWNTs的结构与导电性能关系的基础上,概述了金属型和半导体型SWNTs的表征原理和方法,并对各种非共价分离SWNTs的方法进行了综述和比较。

半导体型与金属型单壁碳纳米管的“原位”选择性制备及其研究进展

单壁碳纳米管(SWNTs)由于其高强度、高韧性、高导电率和高导热率被广泛用于微纳电子器件领域。然而,目前普通方法制备的SWNTs均为金属型和半导体型的混合物,极大地阻碍了SWNTs的应用。实现不同结构的SWNTs的有效分离是解决其研究与应用困境的有效途径。本文以金属型SWNTs(m-SWNTs)和半导体型SWNTs(s-SWNTs)的选择性制备为目标,系统分析和比较近几年发展的"原位"选择性制备的主要技术和方法,并在此基础上总结了SWNTs的金属型和半导体型控制生长的基本思路及实现途径,以期为后续SWNTs的规模化制备奠定基础。

半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展

半导体陶瓷型薄膜气敏传感器,具有灵敏度高、与气体反应快、制备成本较低等优点,已经成为近年传感器研究和开发的重点,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要制备方法,部分主要的半导体金属氧化物薄膜气敏材料,以及近期相关的研究进展,并扼要分析了今后的发展方向。

p型半导体金刚石研究现状

在普通金刚石中掺入某些杂质元素可以使其具有更为优异的物理和机械性能。掺入硼元素可以使普通金刚石具有p型半导体特性。目前,对于p型半导体金刚石膜材料研究较多,而对于高温高压下合成的p型半导体金刚石单晶体材料研究相对较少。本文介绍了p型含硼半导体金刚石膜材料及高温高压下合成掺硼金刚石单晶体材料的研究现状。由此指出具备p型半导体特性的Ⅱb型金刚石大单晶是适合硼重掺杂的首选材料。重掺硼的Ⅱb型金刚石大单晶具备大尺寸及优良的半导体特性必将大大拓宽p型半导体金刚石的应用范围。

电阻型半导体气体传感器的概况

本文主要综述了两种类型的半导体电阻型气体传感器,表面控制型气体传感器和体控制型气体传感器,主要讲述了这两类氧传感器的原理,结构特性,制备,应用。综合了国内外研究概况,展望了以后的研究动向。

氮杂苯并菲类n-型有机半导体材料研究进展

苯并菲盘状液晶是一类新型的有机电子学材料.该类材料多数以空穴传输功能为主,能传输电子的n-型材料较少.氮杂苯并菲是与苯并菲衍生物非常相似的一种杂环化合物,材料结构中引入了氮原子,吸电子能力得到增强,是潜在的n-型有机半导体材料,具有重要的应用价值.本文系统回顾了氮杂苯并菲类盘状液晶材料的研究进展,分类讨论了材料的分子结构,其中包括二、四、六氮杂苯并菲,以及它们的合成方法和物理化学性能,论述了材料在光电子领域的最新使用进展,并在此基础上,对该类液晶材料作为n-型有机半导体在光电子器件领域的应用前景进行了展望.