基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估

本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检测方法，几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。