高介电常数材料在半导体存储器件中的应用

高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 。

半导体存储器发展对档案治理体系的影响

通过对半导体存储器类型、存储密度、存储结构、专利及市场发展的探讨,分析新时代档案治理面临的挑战,探索建立以法制和标准治理为主线、档案数据全生命周期相关主体多元共同协调参与的治理体系。

试论半导体存储器对现代电视发展的影响

半导体存储器是现代电视发展的基础。固定ROM、EAROM和动态MOSRAM在现代电视中得到广泛的应用。从而使得电视遥控、PIP电视、数字电视飞速发展。

半导体存储器及发展趋势

半导体存储器的容量和速度决定着计算机系统运行速度。目前CPU芯片 18个月一更新 ,为了赶上这个速度 ,半导体存储器的发展也日新月异。

SONOS自持半导体存储器:记忆时间可靠性与低编程电压(英文)

降低编程电压 ,同时仍保持十年的数据记忆时间 ,一直是多晶硅 氮化硅 氧化硅 硅(SONOS)研究人员面临的一个巨大挑战。本文介绍SONOS可自持存储器器件设计和降低编程电压方面的进展。硅 氧化硅界面态的退化损害SONOS自持半导体存储器记忆时间的长期可靠性。首次应用在SONOS器件制作工艺上的双步高温氘退火技术 ,与传统的氢退火相比 ,显著提高了器件的耐久性能和记忆时间可靠性。我们研制成功 - 9伏 / + 10伏 (1毫秒 )可编程SONOS存储器 ,在摄氏 85度 ,一千万个擦除 /写入操作后 ,仍能确保十年的记忆时间。本文介绍编程电压降低方面的设计考虑 ,制作工艺的优化 ,描述实验过程和SONOS器件的测试 ,以及用于SONOS自持存储器动态性能测试的基于可编程门阵列的测量系统。

非易失半导体存储器技术发展状况浅析

存储器作为信息存储的核心载体,在集成电路细分市场中规模居首,其安全性也受到高度重视。存储器种类众多,而非易失半导体存储器目前发展最快,若干新型存储器已经进入或者即将进入产业化阶段。本文在对非易失半导体存储器技术国内外发展现状与趋势进行梳理的基础上,研究提出了我国该领域发展的对策建议。

半导体存储器的发展历程与当前挑战及其对策

1半导体存储器的发展历程世界上最早的全电子化存储器是1947年在英格兰曼彻斯特大学诞生的威廉姆斯-基尔伯恩管(Williams-Kilburn tube),此名称源自开发者弗雷迪·威廉姆斯(Freddie Williams)与汤姆·基尔伯恩(Tom Kilburn)。其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”

半导体存储器专利技术综述

如今,电子产品(例如:手机、平板电脑以及数字相机)走进了千家万户,成了我们生活中不可缺少的一部分,而在上述电子产品中,存储器的作用更是不言而喻。随着从移动终端到大容量服务器等各种信息设备的快速发展,元件(诸如配置设备的存储元件和逻辑元件)追求更高的性能改进,诸如高集成性、速度提升与低功耗。特别是半导体非易失性存储器有了显著提高,并且作为大容量文件存储器的闪速存储器快速普及已取代了硬盘驱动器。同时,RRAM(阻变随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存储器)和PCRAM(相变随机存储器)等也取得进步,普遍用作替代现有的NOR闪速存储器和DRAM等。本文利用中国专利检索与服务系统,通过检索出国内外具有代表性的阻变随机存储器、相变存储器以及磁性随机存储器的专利申请,对存储器的发展态势进行梳理,并对技术现状进行总结。

半导体存储器期待再创辉煌

DRAM是半导体业的起点 今天来说半导体存储器，主要包括DRAM和flash（闪存）两大类产品。DRAM是Intel公司的起家产品，是日本、韩国及中国台湾进入以集成电路为代表的半导体行业的切入点和迄今为止的主打产品，日本通过1976-79年的VLSI技术研究组合国家计划，首先进入了64K DRAM时代，在存储器技术方面赶上并超过了美国，从而使日本企业的半导体生产大发展，并于1985年超过美国，1988年曾独占世界市场50％以上，达于顶峰。

世界半导体存储器新视角

１９９３～１９９５年间，由于ＰＣ的迅速普及和Ｗｉｎｄｏｗｓ９５操作系统的采用，ＰＣ用存储器容量一举增加了数倍，半导体存储器尤其是ＤＲＡＭ出现供不应求，价格上扬，一片火爆。但１９９６年情况突变，生产过剩，价格下滑，此后直到１９９８年连续三年滑坡，厂商不...

半导体存储器花开并蒂 闪存和DRAM同领风骚

４Ｇ位级大容量ＤＲＡＭ已经开发成功，正在开发的６４Ｍ位级ＲＤＲＡＭ在１９９８年可能成为高档个人机的主存储器，ＤＲＡＭ继续是半导体行业发展的重要支柱；因塑料ＢＧＡ封装与ＨＳＴＬ接口电路的采用，ＳＲＡＭ的时钟频率已经达到２００兆赫，ＤＤＲ方式ＳＲＡＭ将于...

挺进0.13微米以下半导体存储器技术,如何缩短从研发到量产的周期?

中芯国际是中国大陆第一家实现8英寸晶圆量产的纯商业化晶圆代工工厂,为广大国内外客户提供0.25微米、0.18微米、0.16微米和0.13微米以下的各种逻辑、包括静态、动态、可擦写或只读等各类存储器,以及高压和数字集成系统芯片的晶圆代工服务,同时提供全方位相关的启动服务,包括综合的IP库、集成化设计支持、光罩设计与加工、以及晶圆测试。

半导体存储器产业的初步实践与思考

1存储器产业发展趋势 一提到存储器在中国仿佛是一种殇。长期以来,中国一直没有大容量存储器,市面上见到的产品都是进口而来。

半导体存储器芯片用高纯镍锭制备技术综述

本文介绍了高纯镍材料的研究背景、应用情况、市场前景,详细介绍了高纯镍锭常用的三种真空熔炼方法,并对比了不同工艺的优缺点。结论表明:以真空电子束冷床熔炼和真空感应冷坩埚熔炼为代表的新型特种冶炼技术,是新材料制备技术的未来发展趋势。随着物联网、大数据、人工智能等新一代技术的快速发展,终端电子产品对磁存储芯片的功能要求越来越高,对铁磁性材料高纯镍锭的质量要求越来越严格,具有非常大的市场潜力。