利用半导体工艺制造的微透镜阵列及其应用

近来,由于高科技的发展,出现了一种新颖的微透镜阵列。它与传统的光学透镜原理相同,但制造方法不同,是用半导体制造工艺中使用的光刻、离子交换等方法制造而成的微小透镜阵列,这种透镜阵列应用很广,是信息时代极重要的光信息处理关键器件之一。自1991年以来,有关微透镜阵列,召开了多次国际会议,并进行了国际标准化工作。笔者从事光学方面的研究工作已有多年,对国外同行业的发展也极为关注,

基于虚实结合的半导体制造工艺实验教学平台应用

阐述虚实结合的实验教学平台设计,将先进材料、半导体工艺、器件仿真工具引入实践教学中,包括课程内容、实验室建设和运行管理。构建一个虚实相结合、课内课外相结合和教学科研相结合的半导体制造工艺实践教学体系。

半导体制造工艺课程教学内容动态调整的研究

目前半导体产业快速发展,电子专业相关课程中关于新技术和新工艺的内容仍未跟上发展速度,存在教材内容更新不及时、产学研结合不紧密等问题。对半导体制造工艺课程教学现状进行分析,结合存在的问题对教学内容进行改革,提出了教学内容动态更新机制,主动调研新技术趋势,根据行业发展并结合实际问题进行教学内容更新,注重培养学生的思考与分析能力。同时,采用产学研紧密结合与多种手段辅助教学的方式,提高学生对新内容的理解程度,最终实现教学内容动态更新的目标。

基于OBE教学模式的“半导体制造工艺”课程教学改革

针对"半导体制造工艺"课程的特点,结合ONE教学理念,针对我国高校微电子专业课程建设中普遍存在的问题,提出了"半导体制造工艺"课程的改革方案。改革以学生为中心,内容涵盖教学的各个方面,将理论教学与实地动手实践紧密结合,提高教学质量,使学生的各方面能力得到全面锻炼与提升。

半导体集成电路制造中的准分子激光退火研究进展

随着半导体集成电路芯片的尺寸越来越小、结构越来越复杂,芯片制造过程中的退火工艺技术也在不断进步。激光退火以其在芯片制造过程中热预算控制的优势,在芯片制造退火工艺中的重要性正在显现。而准分子激光的特点是波长短、峰值功率高、作用于大多数物质表面时能量迅速被物质表面吸收。准分子激光退火可以实现对材料表面温度梯度的控制,是半导体集成电路制造中热处理工艺的重要选择。对半导体集成电路制造过程中准分子激光退火研究进展进行了综述。概述了集成电路制造中退火工艺热预算控制与激光退火的理论模拟研究结果;着重介绍了准分子激光退火在离子掺杂控制、超浅节形成、沟道外延等材料处理中的研究进展,以及在金属层制备和3D器件中的应用。研究表明,准分子激光退火工艺有望为三维半导体集成电路制造提供新的解决方案。

砷化镓与硅半导体制造工艺的差异分析

半导体材料可分为由单一元素构成的元素半导体与两种以上元素化合物所构成的化合物半导体两类,前者如硅(Silicon)、锗(Germanium)等所形成的半导体,后者如砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)、磷化铟(Indium Phospide,Inp)等化合物形成的半导体。在过去以个人计算机为应用主轴的时期,全球半导体产业皆以硅材料为发展重心。由于硅元素先天上的物理限制,传统的硅——互补金氧半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)制造工艺较无法胜任处理1GHz以上的高频信号,近两三年来,在通讯应用半导体的需求急增后,特别是对于高工作频率、高放大率与低噪声等条件极为要求的无线通讯IC而言,三五族化合物半导体砷化镓的材料与制造工艺的需求便格外受到重视。

巴斯夫在浙江嘉兴的电子级硫酸装置正式投入运营 最高品质硫酸用于半导体制造工艺

2018年5月30日,巴斯夫宣布,其位于浙江嘉兴的新建电子级硫酸（H2SO4）装置（年产12 000 t）正式投入运营,将主要服务于国内日益增长的半导体制造行业。在客户强劲需求的推动下,该装置尚未竣工即同时启动扩建项目,扩容后产能将翻番。扩建项目预计将于2018年年底投产。

半导体制造工艺中铝金属突起缺陷的研究

通过对铝金属成膜工艺参数实验和研究发现，提高铝成膜温度、弱化铝的（111）晶向以及增加抗反射层Ti的厚度都可以减少或者避免铝金属突起这种缺陷的发生。

ArF准分子光刻机使半导体制造工艺到达32nm Gigaphoton公司发布了用于下一代半导体制造的世界上最强大的氟化氩(ArF)准分子激光器

Gigaphoton公司新近设计出一款输出功率为90W、重复频率为6000Hz的新型氟化氩（ArF）准分子激光器。该激光器可用于浸没式光刻机，其可使制作半导体晶片的制程仅为32nm。目前，全球芯片制造商刚开始将45nm制程技术投入量产，据估计32nm制程技术将于2009年投入使用。

ST通过CMP为科研机构和设计公司提供先进半导体制造工艺

意法半导体（ST）和CMP（Circuits Multi Projects）宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45nm CMOS制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。通过CMP的服务，他们可以委托芯片厂商小批量制造几十个到几千个的先进集成电路。

布局5nm,量产7nm、10nm2020年半导体制造工艺技术前瞻

晶体管制造工艺在近年来发展得不是非常顺利,行业巨头英特尔的主流产品长期停滞在14nm上,10nm工艺性能也迟迟得不到改善。台积电、三星等巨头虽然在积极推进7nm乃至5nm工艺,但是其频率和性能表现依旧存在较大的改进空间。从2019年底到2020年初,业内也召开了多次与半导体制造业相关的行业会议,对2020年和以后的半导体工艺进展速度和方向进行了一些预判。今天本文就综合各大会议的消息和厂商披露内容,对2020年半导体工艺制程相关内容进行汇总,以帮助大家了解未来半导体产业发展的脉络。

半导体工艺中超高纯气的稳定供应技术

新的半导体制造工艺要求高精度 ,具有可再现性的科学化的制造技术 。

EDW ARDS发布用于LED和化合物半导体制造的新型真空泵

英国西萨塞克斯郡，克劳雷（2012年7月3日）全球领先的高精真空设备和尾气处理系统制造商及相应增值服务供应商Edwards公司宣布推出新的iXH645H干泵，新设备经过优化，适用于LED％造中使用的MOCVD工艺，以及在栅堆叠（gatestack）中使用III—V材料的化合物半导体制造工艺。

采用VESTAKEEP PEEK制造半导体生产支架

德国赢创工业集团制造的高性能聚合物VESTAKEEP PEEK是一种主要用于制造长期在恶劣环境中使用的部件的材料。由于其卓越的耐热性（热变形温度260℃）、耐磨性和机械性能．被半导体制造工艺（洗槽、阀门、晶元导向器）、LCD制造工艺（齿轮、转动轴）和工业机械所需精密部件的龙头制造商——Innodis有限公司用于5种新型半导体生产支架（LCD导轮）中。VESTAKEEP PEEK可以承受恶劣的LCD加工条件．这些条件类似于超高加工温度条件下的半导体制造（喷镀、光刻和蚀刻）。

统计过程控制技术在半导体生产中的应用

在制造行业，质量是企业的生命，也是一切工作的根本。将统计技术运用于质量管理，是目前国际上制造行业较为流行的科学管理方法。本文以本单位的实际运用为例，介绍了运用统计过程控制方法对半导体生产线进行质量管理的一种实践。

意法半导体(ST)推出汽车级多路输出稳压器,实现尺寸更小、更经济的车载信息娱乐系统

意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）的新系列高集成度汽车级电源管理芯片在单片上集成多个稳压器,有助于汽车系统厂商降低车载信息娱乐产品的成本和尺寸。作为该系列的首款产品,L5963集成两个降压DC-DC转换开关稳压器、低压降（low-dropout）线性稳压器和高边驱动器（high-side driver）。L5963采用意法半导体最先进的BCD8s汽车级半导体制造工艺和深沟道隔离（DTI,Deep Trench Isolation）技术。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是意法半导体的独创技术,可在同一颗芯片上集成各种高低压器件,

探讨半导体蚀刻机台温湿度监控系统

蚀刻技术是指在半导体制造工艺中,在适宜的温、湿度环境下,利用化学溶液或者等离子体,对半导体表面选择性去除的技术。半导体蚀刻机台则是进行蚀刻工艺的设备,为其提供合适的环境。基于此,本文先探讨此类温湿度监控系统必要性,再分析目前国内外研究状况,最后对整个系统进行介绍,以供相关工作人员参考。

电浆在半导体领域分析

半导体作为多种技术的集成体,需要通过多种技术实现对半导体产品的研发和制作,在具体的处理过程中,涉及多种工作体系的建设。本文探讨了电浆在半导体领域内起到关键作用的设备类型,分析其在半导体领域内的具体使用方法,并在此基础上分析了相对应的质量控制模式,从而让电浆可以在半导体领域内更好发挥应有作用。电浆刻蚀,又名等离子体刻蚀,在半导体制造工艺中被广泛应用,是制造半导体芯片的关键技术之一。