半导体器件纵向结构模拟工具

介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。

利用BiCom3硅锗高速半导体工艺发展新一代高效能模拟器件

BiCom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补Bi-CMOS工艺．不仅提供很高的晶体管转换频率（transit frequency）．还具备绝佳的线性特性和精准度。BiCom3以现有的数字工艺器件库为基础，包含种类齐全的数字器件，并整合数字逻辑与双极电路结构以制造更复杂的功能。近来有许多以无线通讯、医疗影像以及高阶测试与量测为目标的创新器件出现，代表了此工艺在高速器件设计的潜力。本文将介绍工艺本身的特点、工艺与某些器件效能参数的关联以及工艺在实际器件的应用结果。

华虹半导体推出0．2μm射频S0I工艺设计工具包

华虹半导体日前宣布推出全新的0．2μm射频SOI（绝缘体上硅）工艺设计工具包（ProcessDesignKit，PDK）。这标志着新的0．2μm射频SOI工艺平台已成功通过验证，并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包（PDK）的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。

华虹半导体推出0.2微米射频SOI工艺设计工具包

华虹半导体有限公司推出全新的0.2微米射频SOI（绝缘体上硅）工艺设计工具包（Process Design Kit,PDK）。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包（PDK）的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。华虹半导体的0.2微米SOI工艺平台是专为无线射频前端开关应用优化的工艺解决方案。

微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状

随着MEMS技术的不断发展 ,微加工工艺的仿真和模拟越来越受到人们的关注。简要介绍了国外干法刻蚀工艺模拟工具的发展情况 ,主要包括美国的SPEEDIE、日本的MORDERN和DEER。

宏力与Setitiel合作提供0．18微米RFCMOS工艺设计工具包（PDK）

近日，宏力半导体制造有限公司发布其先进的0．18微米RFCMOS工艺设计工具包（PDK）。该PDK是与Sentinel IC Technologies（Sentinel）独家合作提供的。这个PDK建立在先进的模型与模拟平台上，集成了具备射频领域核心特性的创新的、完全可扩展参数的设计单元（PCELLS）。这一组合使设计者能够最大限度地提高芯片性能和降低芯片尺寸，同时大大缩短设计周期。

MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压V_T动态调制的计算机模拟

使用ＭＳ－ＰＣ工艺模拟ＣＡＤ系统对绝缘栅Ｐ－ＭＯＳ结构栅氧过程中衬底电阻率ρ（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压ＶＴ之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压ＶＴ的影响。计算机模拟获得了与有关的实验现象［１］相一致的结果，作者进一步提出：以调节栅氧化步序来抑制分凝效应，从而减少二氧化硅－畦界面硅一侧的施主杂质堆积，则可起到调节ＭＯＳ结构能带状态、调节ＭＯＳ结构电场效应状态的作用。这一设想也已经计算机的模拟加以证实。

6.5kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究

本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系。对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺,样品测试结果表明,6.5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。

半导体器件

Y2000-62185 00126671998年 IEEE 半导体电子学国际会议录=1998 IEEEinternational conference on semiconductor electronics[会,英]/Electron Devices Chapter,IEEE Malaysia Sec-tion.—IEEE,1999.—259P.(EC)

德国Sigma-C新型DFM工具

德国SIGMA-C公司推出新型DFM工具SOLID+，其是作为设计领域使用的DFM工具对SOLID E进行改装而成的。据该公司首席运营官皮特·费思特(Peter G Feist)表示，在光刻模拟器产品中，SOLID E的市场份额排第一。不过，由于很多IDM(集成器件制造商)都在使用自主开发的模拟器，因此费思特表示，包括这一部分在内，具体份额“不好确定”。SOLID E目前运用于IDM、半导体产品代工、掩膜供应商和半导体制造设备厂商。

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。

微电子CAD系统PC－SUPREM和PC－SEDAN及其应用研究

较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体器件模拟的ＰＣ实用系统和有关应用方面的研究，特别是ＳＵＰＲＥＭ（微电子集成电路工艺模拟系统）同ＳＥＤＡＮ（半导体器件特性模拟系统）的接口联机模拟，极大地增强了模拟信息量，最大限度地实施了以上两系统的模拟功能。

基于TCAD的脉冲作用下晶闸管反向恢复特性仿真研究

研究暂态脉冲电压作用下高压晶闸管反向恢复特性对换流阀参数设计、故障保护以及试验检测等具有重要意义。首先参照晶闸管实际结构,建立了晶闸管二维半导体仿真模型,基于载流子漂移扩散模型求解,仿真获得了晶闸管静态击穿特性和反向恢复电流特性,实验结果验证了仿真模型的有效性。在上述基础上,建立了半导体器件-电路仿真混合模型,并分析了正常导通和误触发导通时晶闸管内部电流密度变化的异同。仿真表明,反向恢复期间电压脉冲易导致晶闸管误触发,误触发电压随脉冲施加时刻后移而升高。

走进数字电源新时代

近来，市场对数字化电源的需求已大幅攀升。先进的半导体工艺技术不但使元器件速度更快、体积更小，而且它们还要求更低（密度更大）的供电电压和更高的供电电流；在此同时，最终系统的功能持续提升，而体积和平均售价则不断下降。这些因素迫使电源设计者要不断地开发出更精确、响应速度更快、效率更高、体积更小、成本更低和上市时间更快的电源产品。面对这些问题，传统模拟控制解决方案正逐渐变得束手无策。

ISE和Sjgma-C合作开发蚀刻处理模拟工具

集成系统科技公司(ISE)宣布已经与 Sigma-C 公司进行合作,开发面向最新型半导体技术节点的处理和器件模拟工具。根据协议,Sigma-C 的模拟软件 SOLID-CTM 将纳入 ISE 基于真实架构的 TCAD 工具中。亚微波蚀刻技术逐渐发展成为一种实践标准,对于器件从模型转向预制的过程来说也尤为必要。现有的 TCAD 模拟程序应用于蚀刻效果处理则显得过于简单。

iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

美国模拟器件公司(ADI)最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合,使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,可选的漏极扩展允许工作电压高达50V.作为一种亚微米工艺,iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起,因此与以前的高压器件相比,iCMOS器件提高了性能,增多了集成功能,降低了功耗并且显著减小了封装尺寸.

国际要闻

Intel在欧洲新建微处理器研究实验室 Intel已经决定在西班牙巴塞罗娜新建第一个在欧洲的微处理器研发中心。被称之为ILB的英特尔巴塞罗娜实验室位于Politecnicade