《半导体器件平面工艺实验》课程教学探讨

本文先介绍了半导体平面工艺的发展史,及其在重要的现实意义,然后简单叙述了本实验教学中心开设的《半导体器件平面工艺实验》的课程内容设置,对实验课课堂教学中的理论和实际教学方法进行了探讨,提出课前集中讲解和实验后答疑分析讲解相结合的实验教学方法,并引导学生以科技论文形式完成专业实验课实验报告的创新教学思路。

聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究

将聚酰亚胺(PI)薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可制成湿度传感器件,测试结果显示:该湿度传感器具有明显的湿度敏感特性。

锗硅合金Y分支器的研制

本文介绍采用半导体平面工艺研制的Y 分支器。为减少分支处的幅射损耗,并考虑分支器波导耦合长度,Y 分支器的分支角度设计值为2 度。Y 分支器的波导结构依据大截面理论决定。经激光测量系统测试,分支器角度辐射损耗值为2dB。