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不锈钢载波钝化膜的半导体性质 被引量:10
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作者 张俊喜 周国定 +2 位作者 乔亦男 曹楚南 张鉴清 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期30-36,共7页
运用交流阻抗法和光电化学法研究了不锈钢载波钝化膜层的半导体性质.讨论了交流阻抗测试中扰动频率的变化对Mott-Schottky曲线的影响,讨论了不锈钢载波钝化膜的n/p型、杂质施主密度和平带电位等半导体性质,同时结合光电化学法对交流阻... 运用交流阻抗法和光电化学法研究了不锈钢载波钝化膜层的半导体性质.讨论了交流阻抗测试中扰动频率的变化对Mott-Schottky曲线的影响,讨论了不锈钢载波钝化膜的n/p型、杂质施主密度和平带电位等半导体性质,同时结合光电化学法对交流阻抗测试结果进行了验证分析,实验结果认为不锈钢载波钝化膜层具有与直流钝化膜层相似的半导体性质,并通过膜层的组成结构对其半导体性质作了分析. 展开更多
关键词 载波钝化 钝化膜 半导体性质 不锈钢 交流阻抗法 光电化学法 组成 结构
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氢对310不锈钢钝化膜半导体性质的影响 被引量:4
2
作者 曾一民 乔利杰 +2 位作者 郭献忠 李金许 褚武扬 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期67-71,共5页
采用交流阻抗和光电化学方法研究了氢对310不锈钢钝化膜半导体性质的影响.结果表明,氢对310不锈钢钝化膜的半导体类型没有影响,均是n型.对未充氢的试样,随钝化电位的升高,钝化膜的施主浓度降低而平带电位则升高.氢能升高3... 采用交流阻抗和光电化学方法研究了氢对310不锈钢钝化膜半导体性质的影响.结果表明,氢对310不锈钢钝化膜的半导体类型没有影响,均是n型.对未充氢的试样,随钝化电位的升高,钝化膜的施主浓度降低而平带电位则升高.氢能升高310不锈钢钝化膜的电容、施主浓度和平带电位、氢使310不锈钢钝化膜的光电流峰值升高、峰位后移,即氢降低钝化膜的光学禁带宽度,这和氢使钝化膜中Cr的化合物含量下降有关. 展开更多
关键词 钝化膜 钝化电位 不锈钢 半导体性质
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碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs)的晶体结构及其半导体性质的研究 被引量:8
3
作者 陈震 王如骥 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第3期326-331,共6页
用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果表明,在常温(<200℃)下均为稳定的化合物.光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe_3,RbH... 用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果表明,在常温(<200℃)下均为稳定的化合物.光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe_3,RbHgSbSe_3,CsHgSbSe_3的禁带宽度依次为1.85eV,1.75eV,1.65eV. 展开更多
关键词 碱金属硒化物 晶体结构 无机多聚物 半导体性质
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一维链状氧族化合物[Mn(en)_3]CdSnTe_4的制备及其半导体性质的研究 被引量:3
4
作者 陈震 王如骥 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第5期661-666,共6页
The solvothermal technique was used for the synthesis of [Mn(en)\-3]CdSnTe\-4 (Ⅰ). The crystal structure has been determined by single crystal X ray diffraction techniques. The crystal belongs to the triclinic, space... The solvothermal technique was used for the synthesis of [Mn(en)\-3]CdSnTe\-4 (Ⅰ). The crystal structure has been determined by single crystal X ray diffraction techniques. The crystal belongs to the triclinic, space group \%P\%1(No.1) with unit cell \%a=9.134(2), b=10.085(3), c=12.691(3)(), α=73.52(2)°, β=86.05(2)°, γ=76.43(2)°, V =1089.7(5)\+3, Z=2. The results show that the structure is an one dimensional framework containing a linear chain Zintl anion, \+1\-∞[CdSnTe\-4]\+\{2-\} and a complex cation, \+1\-∞[Mn(en)\-3]\+\{2+\}, Optical studies on the powder sample of Ⅰ suggested that the compound is a semiconductor with a band gap of 1.45 eV. 展开更多
关键词 氧族 碲化物 无机多聚物 半导体性质
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化学二氧化锰的半导体性质与电池活性关系的研究 被引量:4
5
作者 张碧泉 卢兆忠 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期961-963,共3页
化学二氧化锰的半导体性质与电池活性关系的研究张碧泉,卢兆忠(福建师范大学化学系,福州,350007)关键词二氧化锰,化学二氧化锰,电池阴极,碱性电池二氧化锰是干电池的阴极活性材料,是半导体[1],它的电化学行为受其物... 化学二氧化锰的半导体性质与电池活性关系的研究张碧泉,卢兆忠(福建师范大学化学系,福州,350007)关键词二氧化锰,化学二氧化锰,电池阴极,碱性电池二氧化锰是干电池的阴极活性材料,是半导体[1],它的电化学行为受其物理化学性质如晶体结构、电导、表面O... 展开更多
关键词 二氧化锰 碱性电池 电池活性 半导体性质
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聚硫堇半导体性质的电化学证据 被引量:1
6
作者 孔泳 穆绍林 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第9期806-810,共5页
聚硫堇的电导率为9.6×10-6 S·cm-1,属有机半导体.在10 ℃至60 ℃温度范围内,测定了聚硫堇的循环伏安图、恒电位下的放电曲线和交流阻抗图,并测定了电解质溶液的电导率随温度的变化.在聚硫堇的循环伏安图上有一阳极峰和一... 聚硫堇的电导率为9.6×10-6 S·cm-1,属有机半导体.在10 ℃至60 ℃温度范围内,测定了聚硫堇的循环伏安图、恒电位下的放电曲线和交流阻抗图,并测定了电解质溶液的电导率随温度的变化.在聚硫堇的循环伏安图上有一阳极峰和一阴极峰,它们的峰电流均随温度的升高而增加;恒电位下的放电电流也随温度升高而增加;而交流阻抗的结果表明,聚硫堇的电荷传递电阻Rct随温度升高而下降,即它的交换电流i0随温度升高而增加;而溶液电阻和膜电阻也随温度的升高而下降,这同样会引起电流随温度升高而增加.所以温度对固体半导体聚硫堇的电极反应速率的影响包含了电极反应的本身和电极的电导率等因素的影响.聚硫堇的扫描电镜图证实了它的表面是一种纤维状结构. 展开更多
关键词 聚硫堇 半导体性质 温度 反应速率 交流阻抗 表面形貌 有机高分子半导体
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天然杂质对闪锌矿电子结构和半导体性质的影响 被引量:13
7
作者 陈晔 陈建华 郭进 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2851-2856,共6页
采用密度泛函理论系统研究了分别含有十四种天然杂质的闪锌矿的电子结构,并讨论了这十四种杂质对闪锌矿半导体性质的影响.研究结果表明,锰、铁、钴、镍、铜、镉、汞、银、铅、锑杂质的存在使闪锌矿的带隙变窄,导致吸收带边增大.除了镉... 采用密度泛函理论系统研究了分别含有十四种天然杂质的闪锌矿的电子结构,并讨论了这十四种杂质对闪锌矿半导体性质的影响.研究结果表明,锰、铁、钴、镍、铜、镉、汞、银、铅、锑杂质的存在使闪锌矿的带隙变窄,导致吸收带边增大.除了镉和汞杂质外,其余杂质的存在均导致费米能级向高能级方向移动,并且在闪锌矿禁带中产生了杂质能级.铁、镓、锗、铟、锡、锑杂质使闪锌矿的半导体类型由p型变为n型;而锰、钴、镍、铜、镉、汞、银、铅杂质对闪锌矿的半导体类型没有影响.铜杂质使闪锌矿由直接带隙变为间接带隙半导体. 展开更多
关键词 密度泛函理论 闪锌矿 天然杂质 电子结构 半导体性质
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FNA型化学二氧化锰的半导体性质与电池活性的关系
8
作者 卢兆忠 张碧泉 《福建师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第3期55-59,共5页
本文探讨以直接氧化法生成的初级化学二氧化锰经过重质化后所制备的化学二氧化锰(CMD)的半导体性质,以及质子在MnO_2晶体内部的扩散速率对MnO_2电池活性的影响。研究结果表明,样品表现出n-型半导体的特征,其电子浓... 本文探讨以直接氧化法生成的初级化学二氧化锰经过重质化后所制备的化学二氧化锰(CMD)的半导体性质,以及质子在MnO_2晶体内部的扩散速率对MnO_2电池活性的影响。研究结果表明,样品表现出n-型半导体的特征,其电子浓度和电子迁移率均比初级品增大,在9mol/LKOH溶液中进行放电时,主要是由质子在MnO_2晶格中的扩散来决定MnO_2的品质。 展开更多
关键词 二氧化锰 化学二氧化锰 半导体性质 电池活性
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锑在弱碱溶液中阳极形成膜半导体性质的研究
9
作者 张亿良 《上饶师专学报》 2000年第3期41-45,共5页
采用交流阻抗和白光电流测量法 ,研究了锑在恒电位 1.2V(VS .SCE)于 0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 CO3+0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 HCO3+0 .50 0mol.dm- 3Na2 SO4 (PH =9.98,30℃ )缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质。实验证明 ,该阳极氧化膜是一种n ... 采用交流阻抗和白光电流测量法 ,研究了锑在恒电位 1.2V(VS .SCE)于 0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 CO3+0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 HCO3+0 .50 0mol.dm- 3Na2 SO4 (PH =9.98,30℃ )缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质。实验证明 ,该阳极氧化膜是一种n -型半导体 ,其平带电位Efb和施主密度ND 分别为- 0 .53V(VS .SCE)和 2 .86× 10 18cm- 3。 展开更多
关键词 阳极膜 平带电位 弱碱溶液 半导体性质
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光电化学法研究316L不锈钢在高温水中生成氧化膜的半导体性质 被引量:6
10
作者 檀玉 梁可心 张胜寒 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期491-495,共5页
采用光电化学响应法研究了316LSS在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质,获得3个主要响应:带隙宽度2.3eV认为是Fe氧化物Fe2O3和/或Ni的氢氧化物Ni(OH)2的特征带隙宽度;2.9和3.5eV认为是Cr氧化物Cr2O3的特征带隙宽度;4.1~... 采用光电化学响应法研究了316LSS在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质,获得3个主要响应:带隙宽度2.3eV认为是Fe氧化物Fe2O3和/或Ni的氢氧化物Ni(OH)2的特征带隙宽度;2.9和3.5eV认为是Cr氧化物Cr2O3的特征带隙宽度;4.1~4.4eV认为是FexNi1-xCr2O4的特征带隙宽度。通过光电流响应与施加偏压的实验可知,316LSS在此高温水中生成的氧化膜表现为n型半导体性质。 展开更多
关键词 光电化学响应 316L不锈钢 氧化膜 半导体性质 高温水
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304L不锈钢在两种高温高压水溶液中形成的钝化膜半导体性质研究 被引量:5
11
作者 张胜寒 连佳 檀玉 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期483-487,共5页
304L不锈钢在ZnSO_4和Na_2SO_4两种高温高压水溶液中腐蚀后表面形成一层钝化膜,对腐蚀后样品在硼酸缓冲溶液(pH8.4)中进行动电位扫描,并绘制其Mott-Schottky(M-S)曲线;利用光电流法,绘制(I_(ph)hv/I_O)^(1/2)-光子能量曲线,详细分析表... 304L不锈钢在ZnSO_4和Na_2SO_4两种高温高压水溶液中腐蚀后表面形成一层钝化膜,对腐蚀后样品在硼酸缓冲溶液(pH8.4)中进行动电位扫描,并绘制其Mott-Schottky(M-S)曲线;利用光电流法,绘制(I_(ph)hv/I_O)^(1/2)-光子能量曲线,详细分析表面钝化膜半导体性质。结果表明:含锌样品表面钝化膜呈现多层结构;钝化膜的半导体类型为n型(不含锌样品钝化膜呈p型);平带电位负移;载流子浓度降低;Zn^(2+)对304L不锈钢钝化膜半导体的结构及性质有较大的影响。 展开更多
关键词 锌离子 高温水 不锈钢 钝化膜 半导体性质
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光电化学法研究镍基合金在288℃高温水中生成氧化膜的半导体性质 被引量:4
12
作者 张胜寒 檀玉 梁可心 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1147-1152,共6页
采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 ... 采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 eV.在400 mV至+400 mV范围内,Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质,Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质,同时,在半导体性质从n型转变为P型的临界电压下,光电化学响应相角发生180°转变. 展开更多
关键词 光电化学响应 镍基合金 氧化膜 半导体性质 高温水
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光电化学响应分析Ni201在中性溶液中形成表面钝化膜的半导体性质 被引量:3
13
作者 檀玉 梁可心 张胜寒 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期971-976,共6页
应用光电化学响应法和:Mott-Schottky曲线法,研究了Ni201在500℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质,分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成.Mott-Schottky曲线表明,Ni20l在该中性溶液中生成... 应用光电化学响应法和:Mott-Schottky曲线法,研究了Ni201在500℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质,分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成.Mott-Schottky曲线表明,Ni20l在该中性溶液中生成钝化膜的平带电位约为0.40 V,其在500℃空气中生成的氧化膜的平带电位约为0.15 V,前者的载流子浓度约是后者的34倍.在中性缓冲溶液中生成钝化膜的光电流谱表明,Ni201的结构由内层NiO和外层Ni(OH)_2构成,其带隙宽度分别为2.8和1.6 eV.其中,具有晶体结构的内层NiO的带隙宽度与Ni201在500℃空气中生成的氧化膜的带隙宽度2.4 eV相似.通过光电化学法和Mott-Schottky曲线建立Ni201表面钝化膜的电子能带结构模型,解释了其内层NiO和外层Ni(OH)_2同是p型半导体组成的钝化膜的半导体性质. 展开更多
关键词 Ni201 钝化膜 Mott—Schottky曲线 光电化学响应 半导体性质
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高温水中添加微量Zn^(2+)对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响 被引量:1
14
作者 张胜寒 檀玉 梁可心 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第23期2801-2806,共6页
核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相... 核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为Fe2O3 2.2 eV,Cr2O3 3.5 eV,FexNi1-xCr2O4 4.1 eV和ZnO 3.2eV;在开路电压下,无Zn2+参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应,有Zn2+参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应.Mott-Schottky结果表明,有Zn2+参与生成的氧化膜平带电位较负,相同极化电压下CS-C2(CSC空间电荷电容)值较大.高温水中添加微量Zn2+离子,能够改变Inconel600合金表面氧化膜的半导体性质.光电化学响应法是检测氧化膜中微量氧化相的一种灵敏且有效的方法. 展开更多
关键词 Inconel600合金 氧化膜 半导体性质 Zn注入 高温水 光电化学响应
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一种新型环境半导体材料——β-FeSi_2 被引量:5
15
作者 罗胜耘 曾正 陆安江 《广西轻工业》 2008年第5期20-21,共2页
文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质:它具有0.80ev~0.89ev的直接带隙,对于红外波长有很高的吸收率;它掺入不同杂质的同时制成P型和N型半导体,避免了由于半导体两只脚材料的热膨胀系数不同而引起的热电元器件制... 文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质:它具有0.80ev~0.89ev的直接带隙,对于红外波长有很高的吸收率;它掺入不同杂质的同时制成P型和N型半导体,避免了由于半导体两只脚材料的热膨胀系数不同而引起的热电元器件制作上的困难。文章还介绍了近些年来国内外的研究现状,同时还指出了存在的问题和研究方向。 展开更多
关键词 Β-FESI2 直接带隙 环境半导体材料 半导体性质
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430不锈钢腐蚀行为及钝化膜半导体特性的研究 被引量:6
16
作者 何林英 王保成 +1 位作者 邢燕婷 董小帅 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2013年第5期579-583,共5页
使用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)技术和电容电位法(Mott-Schottky)研究了430不锈钢在不同Cl-浓度下的腐蚀行为,并结合点缺陷模型(PDM)计算了钝化膜上点缺陷的密度及扩散率。结果表明:Cl-浓度的增大,钝化膜上自腐蚀电流增加,弥散... 使用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)技术和电容电位法(Mott-Schottky)研究了430不锈钢在不同Cl-浓度下的腐蚀行为,并结合点缺陷模型(PDM)计算了钝化膜上点缺陷的密度及扩散率。结果表明:Cl-浓度的增大,钝化膜上自腐蚀电流增加,弥散系数及膜电阻减小,点蚀加剧;在-0.5~0.5V电位区间,钝化膜表现为n型半导体性质,膜中点缺陷为氧空位和阳离子间隙,溶液浓度的增加,会造成钝化膜内点缺陷浓度和扩散系数的增大。本实验对Cl-破坏钝化膜的微观机理研究有一定参考价值。 展开更多
关键词 钝化膜 半导体性质 莫特-肖特基 点缺陷模型
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自旋半导体纳米热电材料器件的高自旋极化电流 被引量:1
17
作者 邹茜璐 陈盈霜 +4 位作者 骆思宇 王海露 于海林 冯金福 刘玉申 《常熟理工学院学报》 2016年第4期10-13,22,共5页
借助第一性原理设计了一种可以产生高自旋极化电流的自旋热电装置.该装置是由有源极(B掺杂后的石墨烯纳米带)、漏极(石墨烯纳米带)以及中间区域(碳原子链)构成.对比未掺杂情况,自旋向上的电流在高温区域可以提高100倍,同时自旋极化率可... 借助第一性原理设计了一种可以产生高自旋极化电流的自旋热电装置.该装置是由有源极(B掺杂后的石墨烯纳米带)、漏极(石墨烯纳米带)以及中间区域(碳原子链)构成.对比未掺杂情况,自旋向上的电流在高温区域可以提高100倍,同时自旋极化率可增强至接近1.而且自旋流在高温区域可以大于电荷流,其主要原因归结于掺杂后该装置表现为自旋半导体性质. 展开更多
关键词 低维热电材料 自旋半导体性质 高自旋极化电流
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化学所在有机共轭聚合物半导体研究方面取得系列进展
18
《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1589-1589,共1页
近年来,有机共轭聚合物由于具有优异的半导体性质,其研究受到广泛关注。人们发现聚合物的侧链不仅可以提高聚合物在有机溶剂中的溶解性,而且可以影响聚合物的半导体性能。在中国科学院战略性先导科技专项的支持下,
关键词 共轭聚合物 半导体研究 有机固体 化学研究所 院重点实验室 半导体性能 聚合物薄膜 光电转换效率 溶解性 半导体性质
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化学所在有机共轭聚合物半导体研究方面取得系列进展
19
作者 新型 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期274-274,共1页
近年来,有机共轭聚合物由于具有优异的半导体性质,其研究受到广泛关注。人们发现聚合物的侧链不仅可以提高聚合物在有机溶剂中的溶解性,而且可以影响聚合物的半导体性能。在中国科学院战略性先导科技专项的支持下,化学所有机固体院... 近年来,有机共轭聚合物由于具有优异的半导体性质,其研究受到广泛关注。人们发现聚合物的侧链不仅可以提高聚合物在有机溶剂中的溶解性,而且可以影响聚合物的半导体性能。在中国科学院战略性先导科技专项的支持下,化学所有机固体院重点实验室的科研人员在调控侧链改变聚合物半导体性能的研究方面取得系列研究进展。 展开更多
关键词 聚合物半导体 共轭聚合物 化学 半导体性能 半导体性质 中国科学院 重点实验室 有机溶剂
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固体氮可起半导体作用
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作者 天易 《中国军转民》 2001年第10期39-39,共1页
美国华盛顿卡内基研究所的科学家最近发现氮气在极高的压力下会变成具有半导体性质的不透明的固体。研究人员将氮气置于比大气压高240万倍的压力下便产生了固体氮。 国家科学基金会报道,理论上预测分子氮在大约100万个大气压下会变成半... 美国华盛顿卡内基研究所的科学家最近发现氮气在极高的压力下会变成具有半导体性质的不透明的固体。研究人员将氮气置于比大气压高240万倍的压力下便产生了固体氮。 国家科学基金会报道,理论上预测分子氮在大约100万个大气压下会变成半导体或金属;但是。 展开更多
关键词 半导体性质 国家科学基金会 固体 大气压 卡内基 研究人员 分子氮 氮的形态 高密度材料 地球物理研究
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