“服务百所行”在半导体所——2004半导体所图书信息中心“服务百所行”方案

2002年以来，中国科学院半导体所通过团购等方式获得的电子资源大幅增加，所图书信息中心连续两年举办循环讲座，集中介绍各种资源的内容和使用。我们将讲座时间选择在新生人所的九、十月份，每周一次，固定时间和地点，用户可根据自己的工作安排选择参加。但随着讲座次数越来越多，

Elsevier、IOP相继访问中国科学院半导体所

应中国科学院半导体所图书信息中心邀请，Elsevier出版公司中国地区代表处副总裁Paul Evans博士一行八人于6月9日访问了半导体所。

中科院半导体所开发出首个紫外半导体激光器

中科院北京半导体所(ISCAS)采用Thomas Swan MOCVD设备成功开发出世界首个近紫外波长的半导体激光器。

演绎“微腔激光器领域”自主创新——记中科院半导体所光电子研发中心主任黄永箴研究员

黄永箴,1963年1月生。中国科学院半导体研究所研究员,于1983年、1986年和1989年在北京大学物理系分别获得学士、硕士和博士学位,1989年进入中科院半导体研究所工作。现任集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任及半导体所实验区主任,中科院半导体所学术委员会副主任。2002年获得国家杰出青年科学基金,重点研究微腔的模式特性及微腔激光器,在单向输出微腔半导体激光器的研究上获得系列创新性成果。两次获得中国科学院优秀研究生指导教师奖,指导的博士获得五次中科院院长优秀奖、两次中科院优秀博士论文和2008年全国百篇优秀博士论文。

半导体所研制成功无源/半无源双模无线温湿度传感器

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员吴南健团队研制出一种低功耗无源/半无源双模无线温湿度传感器。相关研究成果在传感器领域学术期刊IEEE SENSORS JOURNAL上发表，该论文在2015年2月和3月连续入选为该期刊的前50热点论文。

光电子集成领域的领路人——访中国科学院半导体所王启明院士

以人工智能、量子信息、移动通信、物联网、区块链为代表的新一代信息技术加速突破应用,世界正在进入以信息产业为主导的经济发展时期。作为现代电子信息产业的基础和核心,半导体集成电路产业面临着新的挑战,硅基光电子已经成为最具潜力的发展趋势。近年来,我国半导体器件与光电子集成领域的学科得到充分发展,技术创新与产业能力逐步提升,其应用也从最初的微电子扩展到通信、人工智能、消费电子等领域。正值新中国成立70周年之际,我们有幸拜访到我国光电子集成领域的领路人王启明院士,回顾我国光电子发展历史并展望未来发展趋势。

半导体所研制出GaN基紫外激光器

2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。

半导体所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线

太赫兹（THz）波通常是指频率在0．1-10THz（波长介于微波与红外波之间的0．03-3．00mm范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分辨率。太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，

半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果

作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。

半导体所制备出近全组分可调的高质量三元合金半导体纳米线

近日,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队及合作者在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了制备出近全组分可调的高质量GaAs_（1-x）Sb_x纳米线的成果。

中科院半导体所等在拓扑激子绝缘体相研究中取得进展

上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子一空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色一爱因斯坦凝聚的确凿证据并不充分，主要是由于激子的寿命较短，带来观测上的困难。

半导体所在Si衬底上生长Ga基半导体纳米线研究中取得进展

Si是现代CMOS工艺不可或缺的材料,而Ⅲ-Ⅴ族半导体广泛应用于光电子、超高速微电子和超高频微波等器件中。长期以来,科学家们试图在Si衬底上外延高质量Ⅲ-Ⅴ族半导体。但由于晶格不匹配会导致生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体质量较差。当材料降低到纳米尺度,由于应力可以得到有效释放,上述困难得以缓解。

半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华团队及合作者美国佛罗里达州立大学教授熊鹏等在有机自组装分子单层对磁性半导体（Ga,Mn）As薄膜磁性调控研究方面取得新进展,相关成果发表在Advanced Materials（2015,27,8043–8050,DOI：10.1002/adma.201503547）上。

半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展

III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用,是当前国际研究的热点。特别是,三元合金InA sS b纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外,其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。

中科院半导体所梁骏吾院士和杨辉研究员来河北工业大学作报告

应河北工业大学材料学院邀请，中国科学院半导体所梁骏吾院士和副所长杨辉研究员来校指导工作，并进行学术交流．

半导体所在单晶硅太阳电池研究中获得突破

由半导体所韩培德研究员领导的光伏能源组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点，在单晶硅衬底上研发出效率高达20．0％的太阳电池（短路电流密度Jsc=43．9mA／cm2，开路电压Voc=602mV，填充因子FF=0．758），并经中国计量科学研究院认证。

半导体所国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展

在中国科学院和广东省共同支持下,由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核,还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、

半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展

最近,国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。

半导体所2μm波段InP基量子阱激光器取得重要进展

发光波长位于2～3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。

半导体所在(Ga，Mn)As纳米线研究方面取得了新进展

半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究团队近年来在提高（Ga，Mn）As居里温度方面取得了一系列重要进展。最近赵建华研究员和博士生俞学哲等与美国佛罗里达州立大学熊鹏和StephanyonMolnar教授研究组合作，国际上率先采用Ga液滴自催化方法制备出全闪锌矿结构GaAs／（Ga，bin）As核．壳磁性纳米线。他们首先利用铂液滴自催化方法，通过三相线位移调控GaAs纳米线结构相变，