关于功率型半导体整流器件晶片破损问题的研究

功率型半导体整流器件属于大量生产型,低利润半导体分立器件,而其内部结构相对比较复杂。基于以上原因,此类产品研发/设计阶段经常会遇到由残留应力引起的晶片破损现象;但由于低利润的影响,又不可能接受高成本的原材料。况且此类可靠性问题对分立器件来讲是十分严重的品质缺失。本文以三组实验设计为背景,经过168/500个循环的两阶段冷热冲击可靠性实验设计,以达到检验三种解决问题思路有效性的目的。

半导体整流管高温负荷漏电流测试台的设计

本文是针对半导体整流器件高温性能负荷试验后,如何进行其准确的漏电流测试设备的研制进行简析。

MOSFET桥式整流器在PC电源中的应用

在电源输入端将传统的二极管桥式整流器改为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)桥式整流器及相应的控制线路,可以大幅减少传统二极管桥式整流的导通损耗,且控制线路简单、稳定可靠性高。通过实测数据对比,在一款2000 W的大功率PC电源中,整机效率有所提高,能够轻松实现钛金牌效率的要求。

一种的实用 PWM 控制 GTR 电流型整流器

提出了一种新的适合于ＧＴＲ电流型变频器整流器部分的ＰＷＭ控制方法，推导出了在准圆轨迹ＰＷＭ控制规律下，整流器输出电压的计算公式和平波电抗器电感量计算的实用公式。实验证明，采用新型ＰＷＭ控制的整流器功率因数近似为１，且可大大减小平波电抗器的电感器。

10kA基于SCR技术的功率电感脉冲测量系统

此处提出了一款新的基于半导体控制整流器(SCR)的高脉冲电流处理能力而开发的用于功率电感测量的脉冲测试系统。该测试系统可以通过高达10 kA的脉冲电流对功率电感进行饱和性能测试和功耗测试,且不会产生热应力。该测试系统具有短路保护功能,可以避免因输出短路造成对测试系统的损坏。受益于SCR器件高脉冲电流处理能力,该脉冲测试系统具有一些独特的性质,并且与基于IGBT的测试系统相比,其具有一些突出的优点。

固体整流理論

引言我们都知道在现代电工技术中,例如电化冶炼、电解、蓄电池充电、电子管、x—射线管的阳极电路中都需要直流电的供应,在过去一般都采用直流发电机或真空汞弧整流管来解决,但是前者非常笨重,后者装置复杂;自半导体整流器问世以后,由于它尺寸小,装置简单,维护方便,因此得到广泛的应用,尤其在近十年左右。

相控AC/DC电路有效值计算的误差分析及精确计算

指出相控AC/DC电路感性负载时有效值计算一般方法的误差问题,分析了引起误差的原因,研究了精确计算方法,给出了算例。

最新电池专业标准

1.ISO23273-1:2006燃料电池道路车辆安全规范第1部分:车辆功能安全2.ISO23273-2:2006燃料电池道路车辆安全规范第2部分:加压缩氢车辆的抗氢危险的防护3.ISO23273-3:2006燃料电池道路车辆安全规范第3部分:人员抗电击的防护4.DIN72553-1994用内燃机的道路车辆的蓄电池跨接电缆.尺寸。

辽宁创造300个“全国第一”(九)

241.1970年,抚顺铝厂设计制造出56台800伏5KA硅半导体整流器,为国内第一家制造硅整流器的企业。242.1970年,沈阳变压器厂自行设计制成中国第一台33万伏、36万千伏安巨型变压器。243.1971年1月,锦西化工厂建成生产对位苯基苯酚和邻位苯基苯酚等多种产品的综合利用苯基苯酚车间,填补国内空白。

IR为高达2MHz的直流-直流转换器推出DirectFET MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出全新IRF6607 DirectFET MOSFET,专用于高频同步降压转换器中的同步MOSFET开关应用。降压转换器采用一对IRF6607 DirectFET MOSFET,可在2MHz频率下提供每相30A的电流,效率高达77%,电流输出是业内最佳的SO-8封装MOSFET的两倍。高频降压转换器用于高频Inter和AMD微处埋器,适用于笔记本电脑、高端台式电脑和服务器新一代微处理器以接近1V的电压及不断上升的频率工作。电流要求迅速递增,急需配合快速的瞬态反应。

IR推出myPOWER在线设计中心

功率半导体专家国际整流器公司推出基于因特网的设计及模拟工具——myPOWER网上设计中心(Online Design Centre),提供一天完成的设计组件定制服务,并将先进功率系统的设计时间缩短数周,甚至数月。随着功率密度及系统功能指数的递增,功率系统设计也日趋繁复。由于市场缺乏适当的商用开发工具,加上采购和优化试验电路板耗时甚多,因而延长了先进功率系统的开发时间。 IR将定期扩充myPOWER在线设计中心,扩展至更广泛的直流/直流转换器应用。