砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2 O3 、As2 O5、As2 O3 和单质As组成 ,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比 ,而且 ,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加 ;溶液处理后 ,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。

基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟

介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟,得到了该器件的I-V曲线、电子密度分布和电子温度分布。数值模拟结果表明,器件栅极电压越负,肖特基结的耗尽层越厚,源漏电流越小;在耗尽层内电场最强处,电子温度达到4 000 K;在强电场下,电子温度将严重偏离晶格温度,形成所谓热电子。

砷化镓半导体激光促进恶性肿瘤化疗后造血功能恢复的研究

目的:探讨砷化镓半导体激光治疗仪促进恶性肿瘤化疗后造血功能恢复的疗效。方法:将化疗后白细胞低于4.0×109/L患者分为试验组和对照组,均采用鲨肝醇、利血生治疗,试验组同时采用砷化镓半导体激光治疗仪对选取穴位进行照射。结果:总有效率试验组为83.3%,对照组为66.7%,P<0.005,差异有显著性。激光治疗组CD34阳性细胞计数升高者为60%(18/30),高于对照组40%(12/30),但两组治疗前后差异无显著性。结论:激光穴位照射可促进血象恢复,治疗化疗后白细胞减少疗效优于西药组,对外周血CD34阳性细胞具有升高趋势。

砷化镓半导体激光用于治疗颞下颌关节紊乱综合征的临床观察

颞下颌关节紊乱综合征是口腔颌面部常见病、多发病之一.在颞下颌关节疾病中,此病好发于青壮年,20岁～30岁发病率最高.主要是由于精神因素、社会心理因素、外伤、微小创伤、颌因素、免疫等多因素导致的颞下颌关节及咀嚼肌群出现功能、结构与器质性改变[1].此病目前尚无理想的治疗方法.我们选用了砷化镓半导体激光治疗颞下颌关节紊乱综合征取得了良好的效果,现介绍如下:

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)

进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结叠层聚光电池。这里以三结叠层电池为例来说明叠层电池的工作原理。选取3种半导体材料，如GaInP、GaInAs和Ge，

半导体的巨星——砷化镓

说起砷化镓来,可能有些人觉得生疏、有些人不知道它是半导体材料,如果说它早已经进入我们的家庭生活,那更是出乎意料的事。现在我们看电视、听音响、开空调都用遥控器。这些遥控器是通过砷化镓发出的红外光把指令传给主机的。另外在许多家电上都有小的红色绿色的指示灯,它们是以砷化镓等材料为衬底做成的发光二极管。至于光盘和VCD。

砷化镓半导体激光治疗尖周病的临床观察

砷化镓半导体激光治疗尖周病的临床观察李颖超，郭彪，庞劲凡，马良解放军总医院（１００８５３）激光在口腔医学方面的应用越来越广泛，目前常用有ＣＯ２激光、Ｈｅ－Ｎｅ激光治疗牙本质过敏症、龋牙等，而低能量砷化镓（ＧａＡｓ）半导体激光具有无痛、穿透力强、使用方...

砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)

2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强下，达到了当前国际最高电池效率46．5％（5．42mm2）。

半导体材料砷化镓／锗拓扑相研究获重要突破

2月，中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs／Ge中实现拓扑绝缘体相，通过第一性原理计算和多带k．p理论成功地证明了GaAs／Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。

挪威科研人员成功研制半导体新材料“砷化镓纳米线”

据报道，挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，井申请了技术々利，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能．在未来半导体产品市场上将极其竞争性，

半导体材料砷化镓/锗拓扑相研究获重要突破

日前,中国科学院半导体研究所常凯研究组,提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相,通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)

1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构，不同的只是Ga和As原子交替占位。

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)

1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大.

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)

2014年，天津三安光电公司报道，他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP／GaInAs／Ge高倍聚光电池，并进行了规模生产，聚光电池效率达到40％～41％。在青海神光格尔木建立了50MW高倍聚光光伏电站，在青海日芯建立了60MW高倍聚光光伏电站。

砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)

4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高质量的稀N含量GaInNAs（Sb）分子束外延材料，并成功研制了GaInP／GaAs／GaInNAs（Sb）三结叠层电池。

Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)

聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开路电压随光强呈对数式增长。

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)

在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复活，不能形成光生电流。

砷化镓一维光子晶体加速度计理论性能研究

该系统与以往的光学传感器不同,系统中将一种新的材料—砷化镓—应用于光学微机电系统(MEMS)传感器。基于GaAs的特性和波长调制分析的特点,设计了一个适用于高频率领域的光学MEMS传感器。此外,还使用了ANSYS的有限元分析(FEA)方法和严谨的耦合波分析(RCWA)方法。与其他高频传感器的比较表明,所提出的传感器在测量范围广、灵敏度高、交轴轴灵敏度几乎为零等特性方面显示出优势。所提出的光学传感器的光学灵敏度为2.99276,机械灵敏度为0.54nm/g。第一共振频率为23658.6Hz,线性测量范围为±135g,传感系统的灵敏度为161.61nm/g,工作带宽为0~23.6kHz。

砷化镓半导体光吸收特性的研究

简叙了本征ＧａＡｓ晶体中的光吸收过程，分析了半导体材料光吸收特性与温度之间的依赖关系。研究表明，一定厚度的ＧａＡｓ晶片对入射光的吸收直接依赖于光源的功率谱特性与温度，文中揭示了光吸收—温度曲线与光源光谱功率分布之间的关系式。根据这种原理，获得了新的检测温度的方法，同时。

半导体(砷化镓)激光照射对犬创伤愈合及细胞免疫机能的影响

以犬为试验动物研究了半导体 (砷化镓 )激光照射创面对皮肤缺损创愈合以及血液中酯酶染色阳性淋巴细胞数的影响。结果表明 ,用波长 890nm ,平均功率 2mW ,峰值功率 5W的半导体激光照射创面可使边长 2cm的正方形犬皮肤全层缺损创平均提前 3.5 1d愈合 。