半导体桥(SCB)BNCP雷管与电化学电容器发火装置的电子模拟

文章对用半导体桥(SCB)雷管模拟起爆高氯酸-四氨-双(5-硝基四唑)合钴(Ⅲ)BNCP的电特性以及发火特性和性能的计算机模型进行了描述。电数据和组合模型使我们对SCB雷管的基础性能有了更深入的了解，特别是炸药与SCB的起爆机理和相互作用。研究的一个模型；即热反馈模型，考虑了系统的总能量聚集，包括通过电子线路传递给炸药的能量的时间变化，以及炸药的起爆和后来的化学反应所释放的能量。文章介绍了用额定电容为350,000μF，9V(这种特殊装置的最大电压额定值)的最新的电化学电容器低电压发火装置获得的数据。通过对单个装置的等效串联电阻(ESR<10mΩ)和固有电容的测量，研究了该发火装置和雷管模型，然后，用该模型预测单个BNCP SCB雷管的发火性能，以及用或是由一个9V电化学电容器或是两个串联在一起的充电至l8V的电容器组成的发火装置的多发，并一串结构的发火性能。

半导体桥（SCB）雷管

本发明介绍的是用半导体桥点火器起爆高密度猛炸药材料的低能雷管，半导体桥点火器由与半导体桥连接的一对导电区组成，半导体桥作用时或者直接与爆炸材料接触，电流通过半导体桥时使爆炸材料起爆。与导电区连接的头部导线和头部的电引线与电流通过SCB的方向同轴，即与SCB的长度同轴。

半导体桥BNCP雷管的研究

我们介绍了使用半导体桥（SCB）起爆BNCP雷管的实验情况。我们分别试验了两种雷管，一种用于国防部（DOD），一种用于能源部（DOE）。这些试验包括：DOD雷管在不同发火条件下的试验；两种装有不同颗粒BNCP炸药的DOD雷管的试验；DOE雷管用－50μF电容放电元件（CDU）发火装置在24V全发火条件下试验。