SnO_2基半导体气敏元件低温特性研究

通过对某厂生产的SnO2基烧结型旁热式半导体气敏元件在-10～-40℃时气敏性能进行的实验研究,得到了其低温时的一些特性。实验结果拓展了其在低温情况下的应用,为进一步开发利用SnO2基气敏元件提供了条件。

半导体气敏元件的温度补偿网络设计

针对半导体气敏元件的温度漂移问题,以TGS2611型半导体气敏元件为代表,分析其温度特性,给出了温度补偿的热敏电阻网络结构及其补偿方法,通过分析与实验表明:所给出的温度补偿方法在0～30 ℃之间几乎实现了完全补偿,而在高温区补偿效果也较好,可以有效地抑制气体报警浓度随温度的漂移,补偿误差不超过0.5 %LEL,从而有效地提高了探测器的温度稳定性.

半导体气敏元件的结构及制作工艺

本文对不同类型气敏元件的结构和制作工艺进行了分析对比，并总结归纳出各自的性能特点。实验证明，气敏元件的制作工艺是影响元件性能的至关重要的因素。对元件 结构和制作工艺的深入探讨，有助于我们开发性能更加优良的气敏元件。

半导体气敏元件基体材料的制备及特性

作者对常用的几种半导体气敏材料进行了研究探讨。本文重点介绍其制备方法及其相关特性。

提高半导体气敏元件检测能力的有效途径

半导体气敏元件发展的重点集中在如何提高其选择性、灵敏度和热稳定性等。通过控制元件的工作温度,采用添加技术、超微细化技术以及表面修饰技术等可有效地提高气敏元件的灵敏度和选择性。恒流加热法的使用是提高气敏元件热稳定性的主要手段。许多新材料、新原理的应用都可进一步提高气敏元件的检测能力。

半导体气敏元件应用中的几个问题

本文总结了半导体气敏元件在实际应用中要注意的几个问题。

用非加热式气敏传感器的有毒气体报警器

在有毒气体报警器的设计制作中，气敏传感器通常选用加热式、旁热式及催化燃烧式的半导体气敏元件。由于该类元件在工作时需要加热，元件长时间处于较高温度状态下，引起灵敏度变化，需要定期对气敏元件进行标定，给使用带来不便，同时由于加热也使得元件的功耗较大。下面介绍一款由非加热式气敏传感器构成的简易有毒气体报警器，可以克服以上不足。电路原理图如附图所示。

痕量氢的气敏色谱分析

以气敏半导体元件为鉴定器的气敏色谱法,利用鉴定器对氢和氦、氖的不同选择性,解决了热导色谱法在一般条件下无法解决的灯泡用氩、高纯氮、纯氮中痕量氢的分析,也能分析高纯氩、氩气、氪气、氙气、氧气、空气等气体中的痕量氢,最低检出浓度为0.1ppm,就检出极限而言,比热导色谱法降低了一个数量级。样品气中氢含量为5ppm时,分析误差为10%。考察了载气的净化方法与效果。对方法的选择性、重复性、线性范围进行了试验,都得到了满意的结果。几年来的实殴证明,该分析法具有选择性好、灵敏高度、操作方便、分析速度快和分析结果可靠等特点,特别适用于高纯气中痕量氢的分析。

可燃气体泄漏报警装置的应用

说明在某些场合装设可燃气体泄漏检测报警装置的必要性,并阐述其基本原理、国内外应用与生产现状及设计、安装注意事项,最后对几个问题提出看法和建议。

高可靠陶瓷封装技术在MEMS气体传感器中的应用

技术开发单位中国电子科技集团公司第五十八研究所技术简介MEMS气体传感器是利用半导体气敏元件与气体接触会造成半导体的电导率等物理性质发生变化的原理来检测特定气体的成分或浓度的传感器。

半导体微电子技术与纳米技术

0810 半导体物理0524705双等离子体氧化 AlOx 绝缘层磁隧道结=Magnetictunnel junctions with doubly-plasma oxidized AlOx insu-lation layer[刊,英]/Y.M.Lee,O.Song//Microelec-tronics Journal.—2003,34(9).—805-808(E)

均匀沉淀法制备纳米氧化锡粒子

以 CO(NH2 ) 2 、Sn Cl4· 5 H2 O为原料 ,采用均匀沉淀法制备了纳米 Sn O2 粒子。以 TG-DTA、XRD、TEM等测试手段 ,对纳米 Sn O2 的粒子结构和形貌进行了研究。结果表明 ,在 6 0 0℃下热处理得到的粒子结晶性能良好。改变反应条件 ,制备出了粒径分布窄、分散性良好的纳米 Sn O2 粒子 ,其平均粒径为 15 nm。同时对均匀沉淀法形成纳米 Sn O2