硫化矿浸出过程的半导体-溶液界面分析

硫化矿氧化浸出过程实际是半导体 -溶液界面电子或空穴转移的过程 ,基于传统半导体界面氧化理论 ,根据硫化矿半导体表面能级与溶液氧化还原对的关系 ,系统分析硫化矿 -溶液界面电子或空穴转移步骤 ,揭示了硫化矿在氧化溶液介质中的氧化浸出机理。

硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析

许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 。