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用于半导体激光器的棱镜组光束整形方法
被引量:
9
1
作者
潘圆圆
崔瑞祯
+2 位作者
陈刚
巩马理
黄磊
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期370-372,376,共4页
随着半导体激光器应用的日益广泛,半导体激光的光束质量在二维方向极不均衡的特点限制了它的应用范围。采用一种等腰直角棱镜组的整形方法,可实现二维方向的光束质量均匀化。实验中整形后快慢轴的光束质量比较接近,整形效率达到90%。经...
随着半导体激光器应用的日益广泛,半导体激光的光束质量在二维方向极不均衡的特点限制了它的应用范围。采用一种等腰直角棱镜组的整形方法,可实现二维方向的光束质量均匀化。实验中整形后快慢轴的光束质量比较接近,整形效率达到90%。经过整形的半导体激光器可以作为高功率固体激光器和光纤激光器的抽运源使用。
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关键词
激光器
光束整形
光束质量
等腰直角棱镜组
半导体激光器条
下载PDF
职称材料
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文)
被引量:
3
2
作者
乔彦彬
陈燕宁
+1 位作者
赵东艳
张海峰
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-13,35,共5页
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级...
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.
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关键词
半导体
技术
热耦合特征
红外热成像技术
有限元
高功率808
nm
AlGaAs/GaAs基
半导体
激光器
巴
条
下载PDF
职称材料
nLight Beta Release of 60 W CS Bar at 808 nm
3
《光机电信息》
2007年第5期57-57,共1页
关键词
nLight公司
半导体
激光器
棒
条
输出功率
连续波长
下载PDF
职称材料
题名
用于半导体激光器的棱镜组光束整形方法
被引量:
9
1
作者
潘圆圆
崔瑞祯
陈刚
巩马理
黄磊
机构
清华大学精密仪器与机械学系光子与电子技术研究中心摩擦学国家重点实验室
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期370-372,376,共4页
文摘
随着半导体激光器应用的日益广泛,半导体激光的光束质量在二维方向极不均衡的特点限制了它的应用范围。采用一种等腰直角棱镜组的整形方法,可实现二维方向的光束质量均匀化。实验中整形后快慢轴的光束质量比较接近,整形效率达到90%。经过整形的半导体激光器可以作为高功率固体激光器和光纤激光器的抽运源使用。
关键词
激光器
光束整形
光束质量
等腰直角棱镜组
半导体激光器条
Keywords
lasers
beam-shaping
beam-quality
isosceles right-angle prism group
laser diode bar
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文)
被引量:
3
2
作者
乔彦彬
陈燕宁
赵东艳
张海峰
机构
北京南瑞智芯微电子科技有限公司
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-13,35,共5页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(61376077)
the Beijing Natural Science Foundation of China(4132022)
文摘
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.
关键词
半导体
技术
热耦合特征
红外热成像技术
有限元
高功率808
nm
AlGaAs/GaAs基
半导体
激光器
巴
条
Keywords
semiconductor technology
thermal crosstalk characteristics
infrared thermography
finite element method
high-power 808 nm AlGaAs/
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
nLight Beta Release of 60 W CS Bar at 808 nm
3
出处
《光机电信息》
2007年第5期57-57,共1页
关键词
nLight公司
半导体
激光器
棒
条
输出功率
连续波长
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于半导体激光器的棱镜组光束整形方法
潘圆圆
崔瑞祯
陈刚
巩马理
黄磊
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
9
下载PDF
职称材料
2
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文)
乔彦彬
陈燕宁
赵东艳
张海峰
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
下载PDF
职称材料
3
nLight Beta Release of 60 W CS Bar at 808 nm
《光机电信息》
2007
0
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职称材料
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