半导体物理效应与光电子高技术产业

阐述了能带理论和晶格动力学的创建对半导体科学技术发展的历史意义 ,重点介绍了若干关键性半导体物理效应的内涵及其对光电子器件与技术发展所作出的源头性贡献 ,描绘了以半导体激光器为代表的现代光电子高科技产业的发展现状与趋势 ,指出了光电子高科技持续发展的主要方向 .

半导体光放大器超快相位特性的理论分析

针对目前对于半导体光放大器中的超快相位特性缺乏深入的理论分析、相关的物理机制还不清楚的现状,采用数值方式对半导体光放大器中的超快相位特性进行了详细的理论分析与解释.通过分析载流子加热、光谱烧孔等带内超快物理效应与载流子消耗等带间效应对相位贡献的物理机制的不同,并考虑到脉冲能量在相位响应中的作用,研究了半导体光放大器的相位响应特性.在分析相位响应特性的基础上,进一步解释了相位响应与增益响应存在时间延迟的原因,分析结果与已报道的实验测量结果相吻合.理论分析结果能够为超快光信号处理,如光波长、全光逻辑、光波长转换、光分插复用等提供理论指导.