合肥研究院磁场诱导有机半导体生长研究获进展

近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究人员采用强磁场诱导手段，成功地实现了新型高性能半导体聚合物薄膜的结构调控并显著提高其电荷传输能力，相关研究成果在学术期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）上在线发表。

有机小分子半导体生长及光电性能原位实时测量表征之集成系统

有机小分子半导体器件制作过程分为薄膜和器件制作及表征两个方面。真空沉积是其常用的薄膜制备技术。所谓真空沉积,是将分子材料安装在容器中,通过加热使分子源材料温度高于其升华点或蒸发点,进而使分子脱离容器并定向喷射向衬底表面并形成薄膜的过程。分子在衬底表面的薄膜形成涉及到吸附、迁移、成核或者脱附等一系列过程,其与分子与表面的作用、温度和生长速率等参数息息相关。

半导体薄膜生长实时监控系统的设计与应用

文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。在此基础上 ,为实验室的ECR -MOCVD设备设计了一套半导体薄膜生长的实时监控系统 ,介绍了系统的硬件结构以及在WIN98环境下用VB6 0实现生长实时监控系统软件的实现方法。经实验证明 ,系统保证了工艺流程的连续可靠运行 ,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高 ,使用方便 ,降低了试验人员的劳动强度 ,实现了预期的设计目标。

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.

ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量

量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了ZnO量子点,并对该量子点的局域态密度进行了测量。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布在衬底表面,直径约10~15nm;PL谱显示ZnO量子点的发光波长随量子点的直径增加而红移。采用STM/STS测量了ZnO量子点表面的局域态密度,并在部分量子点中观测到禁带中分立、对称的能级,结果分析表明这些禁带中的能级源自VO-VZn的形成。

应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱

本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．

WinCC在MOCVD系统中的应用

针对所研制的MOCVD设备,对其系统控制原理进行了分析,介绍了WinCC监控界面的设计与实现,并利用C脚本和VB全局脚本解决了多变量传输导致的PLC内存消耗大、通讯速度慢、画面更新延迟等现象,实现了批量修改和以日志方式保存数据的功能。

神奇的纳米柱太阳能电池

为了尽早开发出可替代化石燃料的新能源，世界各国的研究人员都没日没夜地在干。在众多可再生能源中，太阳能自然是关注的重点，而这次立功的是美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校。那里的研究人员开发出了一种用于制造高效太阳能电池的低成本弹性材料。新技术使光学活性半导体生长为纳米柱阵列，每一个单一晶体的直径仅为十亿分之一米。