期刊文献+
共找到13篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
光子晶体与半导体电子晶体的比较研究
1
作者 周艳玮 刘丽丽 汤炳书 《连云港师范高等专科学校学报》 2007年第2期81-83,共3页
文章从空间结构、势场所满足的方程、带隙主要特征、理论研究方法等不同方面对光子晶体与半导体电子晶体进行比较分析,得出一些有意义的结论。
关键词 光子晶体 半导体电子晶体 比较研究
下载PDF
Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响 被引量:1
2
作者 毕志伟 冯倩 +5 位作者 郝跃 岳远征 张忠芬 毛维 杨丽媛 胡贵州 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7211-7215,共5页
在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显... 在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获得了更高的最大饱和电流.另外,对三种器件的C-V与跨导特性的深入分析证明了较厚的Al2O3层拥有更好的介质质量与钝化效果. 展开更多
关键词 AL2O3 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体 介质层厚度 钝化
原文传递
磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT
3
作者 任春江 陈堂胜 +3 位作者 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期330-333,368,共5页
报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够... 报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。 展开更多
关键词 场板 铝镓氮/氮化镓 电子迁移率晶体 氮化铝 金属-绝缘体-半导体电子迁移率晶体
下载PDF
基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比
4
作者 李淑萍 孙世闯 张宝顺 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第11期734-739,共6页
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiN_x作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体... 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiN_x作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)结构,对比研究了两种器件的材料性能和电学特性。阴极发光测试表明HVPE的自支撑GaN衬底缺陷密度可降至6×10~5 cm^(-2)量级。自支撑GaN衬底上AlGaN/GaN HEMT结构具有良好的表面形貌,其表面粗糙度R_a仅为0.51 nm,具有较大的源漏电极饱和电流I_(DS)=378 mA/mm和较高跨导G_m=47 mS/mm。动态导通电阻测试进一步表明,自支撑GaN衬底上同质外延生长的GaN缓冲层具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT电流崩塌特性得到抑制。 展开更多
关键词 氢化物气相外延(HVPE)GaN衬底 金属有机化学气相沉积(MOcVD) AlGaN/ GaN金属绝缘半导体电子迁移率晶体管(MIsHEMT) 同质外延 电流崩塌
下载PDF
高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量:3
5
作者 李茂林 陈万军 +6 位作者 王方洲 施宜军 崔兴涛 信亚杰 刘超 李肇基 张波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终... 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。 展开更多
关键词 增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压 界面态 热氧化 退火
下载PDF
复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响 被引量:2
6
作者 张佩佩 张辉 +5 位作者 张晓东 于国浩 徐宁 宋亮 董志华 张宝顺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期815-822,共8页
由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量... 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量的AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)器件,并进行了直流测试。测试结果表明,在栅压为18 V时,器件的阈值回滞仅为150 mV,其特征导通电阻为1. 74 mΩ·cm^2(Vgs=2 V),其击穿电压达到805 V (Ids=100μA/mm)。多频率C-V测试显示,界面态密度可低至2. 9×10^13eV^-1·cm^-2。因此,这种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为栅介质的方法,在改善器件的阈值回滞、击穿电压和界面态密度等方面效果显著。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 复合栅介质 金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MI-SHEMT) 阈值电压 界面态
下载PDF
带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件
7
作者 陈晓娟 张一川 +6 位作者 张昇 李艳奎 牛洁斌 黄森 马晓华 张进成 魏珂 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期483-489,共7页
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍... 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_(GS)=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_(GS)=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^(-6)A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的fT和165 GHz的f_(MAX)。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_(DS)=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_(DS)增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。 展开更多
关键词 AlN/GaN 金属绝缘体半导体电子迁移率晶体 KA波段 低损耗 低偏压
下载PDF
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
8
作者 戚永乐 王登贵 +5 位作者 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第3期229-234,共6页
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影... 基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影响。结果表明,较小的栅介质面积有利于更长的器件寿命,而ESD保护结构有利于提升器件栅介质在高电压应力下的可靠性和稳定性,主要原因为SBD的寄生电容可有效吸收电脉冲感应在介质薄膜中产生的电荷。最后,通过线性E模型预测具有35 nm厚LPCVD-SiNx栅介质的AlGaN/GaN MIS-HEMTs在栅极电压为13 V条件下的击穿寿命可达20年(0.01%,T=25℃)。 展开更多
关键词 氮化镓金属-绝缘层-半导体电子迁移率晶体 栅介质 静电释放结构 经时击穿
下载PDF
Energy Level of Three-Mode Harmonic Oscillator for Coordinate Operators Satisfying Cyclic Commutative Relations Obtained by IEO Method 被引量:1
9
作者 WU Hao FAN Hong-Yi 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2008年第12期1348-1350,共3页
Eigenvalue-solution to those Hamiltonians involving non-commutative coordinates is not easily obtained. In this paper we apply the invariant eigen-operator (IEO) method to solving the energy spectrmn of the three-mo... Eigenvalue-solution to those Hamiltonians involving non-commutative coordinates is not easily obtained. In this paper we apply the invariant eigen-operator (IEO) method to solving the energy spectrmn of the three-mode harmonic oscillator in non-commutative space with the coordinate operators satisfying cyclic commutative relations, [X1, X2] = [X2, X3]=[X3, X1] = iθ, and this method seems effective and concise. 展开更多
关键词 non-commutative coordinate space invariant eigen-operator method energy level
下载PDF
高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究 被引量:1
10
作者 常虎东 孙兵 +4 位作者 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期418-423,共6页
从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响.... 从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET相比,Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm^2/V.s^(-1),是In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅. 展开更多
关键词 金属氧化物半导体电子迁移率晶体 金属氧化物半导体场效应晶体 INGAAS AL2O3
原文传递
Two-dimensional organic single-crystalline p-n junctions for ambipolar field transistors 被引量:1
11
作者 Lu Wang Cong Wang +3 位作者 Xixia Yu Lei Zheng Xiaotao Zhang Wenping Hu 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2020年第1期122-127,共6页
Two-dimensional single-crystalline p-n junctions of organic semiconductors(pn-2 DCOSs) show great potential in organic logic circuits due to their single crystal nature and excellent ambipolar charge transport. Howeve... Two-dimensional single-crystalline p-n junctions of organic semiconductors(pn-2 DCOSs) show great potential in organic logic circuits due to their single crystal nature and excellent ambipolar charge transport. However,there are only few reports on pn-2 DCOSs because it is difficult to obtain such highly ordered structure in p-n junction.Herein, a novel and effective solution processing method of secondary transfer technology based on the facile drop casting is used to fabricate devices of pn-2 DCOSs based on C8-BTBT(p-type) and TFT-CN(n-type) successfully. The high-performance ambipolar field transistors based on such ultrathin pn-2 DCOSs with several molecular layers thickness show wellbalanced ambipolar charge transport behaviors with hole mobility as high as 0.43 cm^2 V^-1 s^-1 and electron mobility up to 0.11 cm^2 V^-1 s(^-1), respectively. This work is essential for studying the intrinsic properties of organic p-n junctions and achieving high performance in organic complementary circuits. 展开更多
关键词 two-dimensional materials ambipolar field transistors p-n junctions single crystals
原文传递
High χ polystyrene-b-polycarbonate for next generation lithography 被引量:1
12
作者 Lei Wan 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期679-680,共2页
Over the past half century,the semiconductor chips have deeply influenced our everyday life through increasingly sophisticated electronic products.The central driving force underlying the remarkable evolution in semic... Over the past half century,the semiconductor chips have deeply influenced our everyday life through increasingly sophisticated electronic products.The central driving force underlying the remarkable evolution in semiconductor industry is Moore’s Law,nowadays referring to a doubling of transistor counts per chip every 18 months.Sustaining Moore’s Law is economically beneficial;while the manufacturing cost per chip has been held constant, 展开更多
关键词 lithography High polystyrene sophisticated economically transistor deeply everyday doubling nowadays
原文传递
Enhancement of adjustable localized surface plasmon resonance in ZnO nanocrystals via a dual doping approach
13
作者 Yusufkadie Yibi Jiawei Chen +2 位作者 Jie Xue Jizhong Song Haibo Zeng 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期693-699,共7页
Recently, the localized surface plasmon resonance (LSPR) concept was expanded from noble metals to doped semiconductor nanocrystals (NCs). However, the strengthening of the intrinsically very weak LSPR in NCs rema... Recently, the localized surface plasmon resonance (LSPR) concept was expanded from noble metals to doped semiconductor nanocrystals (NCs). However, the strengthening of the intrinsically very weak LSPR in NCs remains a great challenge for its applications in optics, electronics and optoelectronics fields. In this work, we report on the remarkable strengthening and controllability of LSPR in ZnO through a dual-doping strategy. First, high quality In-doped ZnO (IZO) NCs with intense LSPR were synthesized by a simple single-pot method. Importantly, the LSPR can be tuned by simply adjusting the concentration of In dopant, as well as by UV light irradiation (photo-induced doping). The pattern of electricity of an IZO NC film matches the shift of LSPR independent of dopant concentration. The UV light irradiation clearly enhanced the electrical properties of the films (350 fl/sq) due to increase carrier density explained by LSPR and confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy, The IZO NCs can be easily dispersed in various organic solvents and serve as inks for assembling uniform films via solution processes. These IZO NC ink is promising for application in next-generation solution-based field effect transistors and other optoelec- tronic devices. 展开更多
关键词 Doped zinc oxide Colloidal nanocrystals LSPR Electrical properties UV treatment Ink
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部