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半导体光电子材料中的缺陷
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作者 康俊勇 黄启圣 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期267-276,共10页
介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .
关键词 缺陷 Ⅲ氮化物 Ⅲ-Ⅴ化合物 半导体电子材料 黄色发光带 纳米管 穿透位错
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Atomically thin InSe:A high mobility two-dimensional material 被引量:1
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作者 FENG Wei ZHENG Wei +1 位作者 GAO Feng HU PingAn 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第7期1121-1122,共2页
Since silicon is limited by its physical properties,it is challenging and important to find candidate materials for high performance electronic devices.Two-dimensional(2D)semiconductor materials have attracted drama... Since silicon is limited by its physical properties,it is challenging and important to find candidate materials for high performance electronic devices.Two-dimensional(2D)semiconductor materials have attracted dramatically increasing interest due to their unique physical, 展开更多
关键词 challenging promise candidate dramatically outperform compatible phosphorus fabrication extremely attributed
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