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反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结 被引量：1
1
作者 武慧珍 茹国平 +3 位作者 黄魏 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期81-84,共4页
用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布... 用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级. 展开更多
关键词 半导体电学表征 微分霍耳 超浅结 载流子浓度 载流子迁移率
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