聚合物半导体电致发光显示器件

列举了聚合物半导体发光显示器件（ＰＬＥＤ）近年来取得的主要突破性成果．简要介绍了ＰＬＥＤ的工作原理，阐述了影响ＰＬＥＤ量子效率的因素．以最近常用的多层ＰＬＥＤ为重点，介绍了载流子传输聚合物的设计、合成及其在ＰＬＥＤ中的作用．最后，对ＰＬＥＤ的主要用途。

掺杂空气可让有机半导体更导电

瑞典林雪平大学的研究人员开发了一种新方法,在空气作为掺杂剂的帮助下,可让有机半导体变得更具导电性。发表在最新一期《自然》杂志上的这项研究,是迈向未来生产廉价和可持续有机半导体的重要一步。林雪平大学副教授西蒙娜·法比亚诺表示,这种方法可以显著影响有机半导体的掺杂方式。新方法中所有组件都是实惠的、容易获得的,而且对环境友好,这是未来可持续电子产品的先决条件。有机半导体可用于数字显示器、太阳能电池、发光二极管(LED:Light Emitting Diode)、传感器、植入物和能量存储等领域。为了提高导电性和改善半导体性能,人们通常会引入掺杂剂。这些掺杂剂可促进半导体材料内电荷移动,并且可以定制以诱导正电荷(p掺杂)或负电荷(n掺杂)。

紫外半导体电致发光器件研究进展

概述了紫外半导体电致发光器件的发展历史、现状、趋势及其应用,详述了国内外近两年对 AlGaN 基半导体电致发光器件的研究进展。

有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热 ,不仅使有机物发生结晶现象 ,还使器件产生气体并向外逸出 ,气体集聚在金属电极 /有机层界面 ,从而形成表面气泡 .质谱、色谱分析表明 ,逸出气体的成分除了大量的水汽之外 ,还存在有机杂质气体和有机物分解气体 .在以 8-羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层的器件中 ,当受热温度达到 15 0℃时 ,有机分子会发生分解 ,逸出 8-羟基喹啉气体 .紫外光电子能谱分析进一步证实 ,Alq3薄膜的受热温度达到 15 0℃时 ,其电子结构发生明显变化 。

半导体纳米材料CdSe/ZnS在显示器件中的应用

以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层,ZnO作为电子传输层,用Al和氧化铟锡(ITO)分别作为两极材料,采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管,并对其光学性质进行表征.结果表明:该器件发射黄光,峰位为575nm,半峰宽30nm,最大发光强度2 000cd/m^2;在较高的电流密度下,该器件的电致发光效率无明显衰减;当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时,可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.

有机发光显示技术及有机半导体

近年来有机发光显示技术及其应用的迅速发展，使人们对有机半导体材料和器件有了新的认识，有机半导体材料及器件是近期有望取得重大突破的一个十分活跃的研究领域，有机半导体材料有可能在有机电致发光、有机光电转化、有机场效应管、太阳能电池以及信息存贮器件等领域得到广泛应用，并将促进有机电子产业的进一步发展。

意法半导体与MicroOLED携手创新消费电子高分辨率微型显示器

意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）,宣布与MicroOLED公司签署战略合作协议,并向该公司进行股权投资约600万欧元。MicroOLED公司位于法国格勒诺布尔市,从事先进发光二极管（OLEDs）开发和商用。非常高的分辨率、极低的功耗和目前市场上最高的能效让OLED技术成为各种便携应用微型显示屏的理想选择,例如,数码相机取景器、视频眼镜和医疗仪器及保安设备的显示屏。

电致发光聚合物/纳米半导体材料及其双功能器件

电致发光材料在大屏幕平板显示和移动通讯器件方面有着极大的优越性。Ⅱ-Ⅵ族无机半导体、金属有机化合物及共轭聚合物等都是电致发光材料。由半导体纳米晶体和电致发光聚合物组成的双发光器件中,纳米半导体的发光不仅可以通过掺杂及形成核壳结构来加以调节,而且受到其复合体系类型、纳晶含量、外加电压等因素制约;而无机半导体的高电荷输运特性也将影响聚合物发光层的效率。同时,利用无机纳米半导体的光导特性,这种复合体系也可以制成光导与电致发光双功能器件,且其发光效率可有较大幅度提高。

电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析（英文）

利用电致发光(EL)的方法,研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器。起初,我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD)。然而,通过EL实验,发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤,而内部发生了突然光学灾变(COBD),为工艺的进一步改善指明了方向。对90只发生COD的激光器进行EL成像,发现暗线缺陷(DLD)起始于腔面或是激光器内部。DLD是严重的非辐射复合区,通常沿着有源区延伸出几个分支,造成激光器功率急剧下降。详细分析了不同COD模式的特征并进行了对比。并进一步分析了两种典型COD模式发生的原因,然后给出了抑制COD和提高大功率半导体激光器性能的建议。

磷光染料/宽禁带半导体聚合物高效率能量转移体系的电致发光

小分子磷光染料掺杂的聚合物发光器件具有发光效率高、制备工艺简单等优点,但是应该注意小分子染料的聚集与相分离问题,特别是在高掺杂浓度时更应注意防止相分离现象的发生。我们的思路是通过使用聚芴(Polyfluorene,PF)改性后的母体聚合物材料PC(poly[2,7-(9,9-dihexyl fluorene)-co-alt-2,10-(cyclohex-ane-1-spiro-6/-dibenzo[d,f][1,3]dioxepin)]),由于其发光峰位蓝移到紫外区,这就与作为掺杂分子的Ir(PPY)3配合物的吸收匹配得更好,进而达到提高能量转移效率的目的。在此条件下,可以实现较低掺杂浓度的发光,这对降低小分子染料的聚集以及相分离现象的发生是有帮助的。采用的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-mer:Ir(PPY)3/Ba/Al。当使用传统PF材料作为母体时,Ir(ppy)3需达到4％的掺杂比例才能实现能量的完全转移,而当采用改进后的PF作为母体时,Ir(ppy)3配合物只需达到0.5％的掺杂比例就能实现能量的完全转移,改进后的器件掺杂比例大幅度降低。

基于半导体量子点的电致化学发光试剂的研究进展

电致化学发光因为不需要激发光源,没有杂散光的干扰,实验设备简单且具有背景信号低、灵敏度高的优点,近年来在环境监测、食品安全分析、生物传感和成像等领域都引起了科学家们广泛的关注。在电致化学发光技术中,发光试剂无疑是最重要的组成部件。随着纳米科学和技术的迅猛发展,半导体量子点由于尺寸调控带隙、表面易于改性和表面态依赖性的电子转移、良好的发光强度和单色性而成为一类理想的电致化学发光试剂。首先简要介绍电致化学发光及其机理,接着重点总结各类半导体量子点的电致化学发光特性,最后对基于半导体量子点的电致化学发光试剂存在的挑战和机遇进行讨论。

改善半导体聚合物的电致发光量子效率

某些共轭聚合物具有发光性能，有望作为发光二极管之类应用，其性能主要受最大可能的理论电致发光效率的限制 [1， 2]。若最低能量激发态强束缚激子处于单线态或三线态下的电子－空穴对），则电致发光的理论上限仅为相应光致发光量子效率的 25％：即一个处于π－带内的电子和一个处于π－带的空穴（或缺少电子态）可形成一种自旋多重性为 3的三线态，或一种自旋多重性为 1的单线态。只有单线态才能辐射跃迁而发光 [3]。如果电子－空穴对的束缚能足够 弱的话，电致发光和光致发光的最大量子效率之比理论上可接近于 1。在本文，我们将报导，若在 共轭聚合物内混入电子传输材料，则可改善电子注入特性，所得到的聚合物发光二极管的电致发光效率和光致发光效率之比可接近 50％。若假定它们处于最低激发态，这个值显然高于强束缚单线态和三线态激子的理论极限值。我们的的这个结果意味着，这种激子的束缚能很弱，或者是形成单线态的几率可能要比形成三线态的几率高得多。

Ag-In-Zn-S四元半导体纳米晶的可控制备及其在电致发光二极管中的应用

Ag-In-Zn-S四元半导体纳米晶(以下简称AIZS NCs)不仅具有传统半导体纳米晶带隙可调、发光效率高等优异的发光特性,同时凭借其低毒和合成工艺简单等优点,在发光二极管、生物医学和光电转换等领域得到了广泛应用,成为传统镉基半导体纳米材料的有力竞争者之一。本文通过一步反应法制备出发光性能良好的AIZS NCs,并通过组分调控扩大其发光范围,使其发光颜色从绿光调至红光。在此基础上,采用注射法研究了AIZS NCs的形成过程,证明AIZS纳米晶的形成是阳离子交换反应发生的结果。为了进一步提高其发光性能,采用种子生长法继续在AIZS纳米晶中引入Zn源形成合金型AIZS-ZnS NCs,使其光致发光量子产率达到47%。最后,采用全溶液处理方法以AIZS-ZnS NCs作为发光层构筑了绿、黄和红三色电致发光二极管,其中黄光电致发光二极管的电流效率达到了1.07 cd·A^(-1)。

II-VI族半导体量子点的发光特性及其应用研究进展

半导体量子点由于具有独特的发光特性而具有极高的应用价值。结合本实验室的工作介绍了半导体量子点的发光原理和发光特性,在实验中发现核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点比没有包覆的CdSe半导体量子点的发光稳定性提高,吸收光谱和发射光谱均发生红移,而且粒径不同,半导体量子点所呈现的颜色也不同,随着粒径的增加吸收光谱和发射光谱向长波方向红移。介绍了半导体量子点在光电子器件和生物医学方面的应用,并对其发展前景进行了展望。

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上 ,详细讨论了包括Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅 (PS)等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理、发光二极管的结构与特性 .

电致发光材料超薄型平面动态显示器研究

研究了用交流粉末电致发光材料（ＡＣＥＬ）制作超薄型平面动态显示器（厚的０．５～０．８ｍｍ）的驱动方法，描述了直接用计算机标准显示卡输出控制显示的接口电路设计．

纳米半导体电极及有机-无机电致变色器件

对无机和有机电致变色材料及其在电致变色器件中的应用做了详尽地分析。重点介绍了近年来广泛研究的一种变色子修饰半导体电极的复合型电致变色器件。通过对这种有机-无机复合电致变色器件结构的剖析,分析了变色机理,展望了这种变色器件的发展动向。

薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响

采用丝网印刷技术,在Al_2O_3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL),整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析,结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响,以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。

长寿命电致发光暗室显示器的光谱研究

长寿命电致发光暗室显示器的光谱研究朱宁，孟宪棫，石磐（天津理工学院光电显示研究室，天津３００１９１）利用感光胶片对特种波长感光灵敏度低和电致发光单色性的特点，作出了系列暗室照明光源和显示器件［１．２．３．４］．根据天津感光胶片公司提出航空胶片生产车间...

薄膜式电致发光动态显示器

研究了用电致发光材料（ＥＬ） 制作的薄膜型平面动态显示器的发光特征， 且设计了驱动薄膜型电致发光平面动态点阵的ＣＭＯＳ 电路．