加强以器件需求为导向的半导体硅及硅基材料的研究

本文阐述了半导体硅及硅基材料的工艺技术研究的进展,介绍了集成电路和器件的新的挑战和需求,展望了以满足器件需要、提高器件性能为导向的半导体硅及硅基材料的研发趋势和技术经济前景。

半导体硅上电沉积Cu/Co层状薄膜

The Cu/Co layer film on the sendconductor silicon was obtained by electrodeposition for the first time. The results of current - time transient curves and STM image showed that the wt of Cu film is two-dimensional while an island three-dimension poth for the Co film was formed. The addition of CrO3 changed the current - time transient curves, and affected the growth of crystal. The addition of CrO3 decreased the nucleation rate of Cu, while it changed the shaPe of current-timetransient curves of the deposition of Co at higher deposition potelltials. For the deposition of Co, addition of CrO3 can form the adhesive film [Co. xCr2O3’ YH2O]ad or [CoOH. nCr(OH)3]ad, which decreased the nucleation rate of Co.

半导体硅上激光诱导化学沉积镍薄膜

由于激光具有高能量密度、高单色性以及良好的相干性，在表面处理技术中的应用越来越广泛．在金属、半导体和高聚物基体上，从水溶液进行激光诱导的化学沉积引起了人们的极大注意，这种工艺在微电子电路及器件上有广泛的应用前景．与传统的化学镀相比，它具有明显的优越性...

半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构

采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出ＮｉＰｄＰ薄膜，结果表明镀液中Ｈ３ＰＯ３含量的增加对Ｐ、Ｎｉ的析出有促进作用，对Ｐｄ的析出有抑制作用．随ｐＨ值的升高，镍含量不断升高，Ｐｄ、Ｐ含量不断下降．Ｐ含量对薄膜内应力有很大影响，含Ｐ质量分数为１４９％的ＮｉＰｄＰ镀层表面上有许多裂缝，当Ｐ含量增加到２６１％时，镀层表面的裂缝已基本消失，继续增加Ｐ含量到３５０％时，裂缝完全消失．ＮｉＰｄＰ镀层的结构与其组成密切相关，Ｐ含量小于２００％的ＮｉＰｄＰ镀层形成的是面心立方结构的固溶体．Ｐ含量大于４００％的薄膜为非晶态结构．

金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究

本文以 n/n^+-Si 和 p/n^+-Si 为基底,通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铂膜修饰电极的光电化学性能.用 p/n^+-Si 电极,在65mW·cm^(-2)的光照射下,最佳电池的输出参数是:开路光电压0.530 V,短路光电流47.6mA·cm^(-2),填充因子0.35,光电转换效率13.6%.连续照光75小时,电池性能基本稳定。

半导体硅材料的新领域——评《硅纳米线分析》

20世纪90年代，纳米产品闯入世人生活，不断有信息向人们展示纳米技术给人们的生活带来的奇妙变化．例如，当咖啡不慎洒在裤子上时，完全不用担心它会弄脏你的裤子，因为这裤子是纳米纤维的料子做的；当你不幸遭遇粉碎性骨折时，用上纳米技术生产的骨头就不用担心走不了路或写不成字，你可以重新拥有自己的腿或胳膊．这就是神奇的纳米技术．从广义上说，纳米技术就是在纳米尺度上研究物质的特性与相互作用，并利用这些特性的多学科交叉的技术．纳米技术具有非常重要的意义，它导致了认知的革命：新物质世界及其特性，相应的新发现与新理论．

半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量

本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量,与Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征.由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型.半导体内有两种导电机制:杂质导电和本征导电.在杂质导电区,可以确定晶格散射因子;在本征导电区,可以确定硅的禁带宽度.

两步激发激光增强电离光谱分析——半导体硅中钠的测定

本工作做了方法原理性实验,给出两步与一步激发激光增强电离(LEI)光谱相比较的钠的标准曲线、检出限以及在不同钠浓度下的相对标准偏差。并将该技术应用到实际样品半导体硅中钠的测定。标准加入回收率在82～125％范围之内。实验证明该技术对实际样品分析是可行的。

我国半导体硅材料工业现状及发展对策

通过对我国半导体硅材料工业现状及面临形势的分析,提出加快发展我国半导体硅材料工业的建议,以加速中国硅材料工业与国际接轨的进程。

国内外半导体硅材料与技术的发展近况(续上期)

4 硅太阳能电池用多晶硅内在纯度的重要性 4.1硅太阳能电池对原始多晶硅内在质量的基本要求4.

先进半导体硅材料:优化纳米集成电路性能的重要基础

本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程,硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律,表面形态与表面质量控制等研究热点;介绍了绝缘体上硅(SOI)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势;展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。

国内外半导体硅材料与技术的发展近况

1半导体硅材料在国民经济中的作用与地位 1．1半导体硅材料在电子信息技术、产业中的应用 人类社会已进入了信息社会，进入了网络文明时代。在全球信息化和经济全球化的进程中，以通信业、计算机业、网络业、家电业为代表的信息技术和信息产业获得了迅猛发展。其中，信息产业早已成为每个发达国家的第一大产业。

中国半导体硅(多晶、单晶)材料发展60年

能源、信息、材料是人类社会的三大支柱。半导体硅（多晶、单晶）材料则是电子信息产业（尤其是集成电路产业）和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料，硅材料的使用量至今仍然占全球半导体材料的95％以上，是第一大电子功能材料，且早已是一种战略性的物资和产业。半个世纪以来，美、日、德等国的10大公司一直垄断着半导体硅材料的技术、市场及售价，对我国进行封锁，严重地制约着我国现代化的进程。

中环股份拟组建半导体硅材料公司

中环股份近日发布公告，公司与北京有色金属研究总院、浙江晶盛机电股份有限公司签署了《半导体硅材料产业战略合作协议》，公司股票已于近日开市起复牌。 三方发挥各自优势和战略协同效能，加强资源整合，组建成立半导体硅材料产业合资公司，以提升半导体硅片规模化生产技术，扩大产能，增强核心竞争力，形成品牌效应，促进我国集成电路半导体硅片产业跨越式发展，努力实现半导体硅材料的自主可控，形成较为完整的产业链。

化学在半导体硅材料制造业的作用与展望

针对半导体集成电路行业的迅猛发展,概述了作为半导体工业基础的半导体硅材料在近20年来的发展状况,着重阐明了当代化学技术及其产品对硅材料制造业发展的重要作用,以及随着硅材料业向更高层次的迈进,给化学化工行业带来的挑战与机遇。

钴析氧催化剂原位制备及其结合半导体硅的光解水制氢性能

将发展成熟的硅光伏电池与析氧催化剂(OEC)结合,在近中性环境下光解水制备了氢气。采用原位制备方法,在硅光伏材料上电沉积钴形成无定形Co-OEC膜,有效促进光生电荷分离,实现了利用AM1.5组合滤波片模拟太阳光照射下水分解制氢气。结果表明,在K2B4O7缓冲溶液(pH=9.2)中,0V(vsNHE)电压下沉积400s形成的无定形Co-OEC具有良好的催化析氧效果,在无外加电压且模拟太阳光照射下,析氧电流密度可达1.7×10-2A/cm2,产氧速率为1.28mol/(h·m2),且具有良好的稳定性。

半导体硅材料最新发展现状

概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求，叙述了近年来国际半导体多晶硅和单晶硅材料的发展状况与趋势。

创新拼搏写传奇 节能减排利万民——记林州市中升半导体硅材料有限公司及其董事长桑中生

林州市中升半导体硅材料有限公司是一家新兴的现代化企业，从2008年元月投入生产以来，生产、销售形势良好。公司员工在董事长桑中生的带领下，以“创新求实、敢为人先、超越自我、追求卓越”为企业理念，取得了一个又一个可喜的成果。

新世纪国内外半导体硅材料的新发展

本文综述了新世纪高速发展的深亚微米级集成电路对硅材料的新要求,以及国内外硅材料的最新研究和发展状况。还叙述了国内外多晶硅和单晶硅材料的生产技术和市场状况。指出了国内存在的差距并提出了发展我国硅材料的建议。

半导体硅材料与信息化社会的高速发展

电子时代将逐步过渡到光电子时代,最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年,硅材料的技术和产业发展将走向极限,第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。这些半导体新材料、新技术以及微电子技术、光电子技术的飞速发展,将代表21世纪新兴工业的特色与未来。