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过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究 被引量:1
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作者 韩聚广 张鹏飞 《科学技术与工程》 2003年第3期310-311,共2页
半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
关键词 半导体 电子结构 电荷转移微观机制 稳定性 过渡金属 AG IR RE 搀杂
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Si团簇的结构特性研究 被引量:2
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作者 孙厚谦 《盐城工学院学报(自然科学版)》 CAS 2003年第4期12-17,共6页
采用由M .Menon等人的非正交紧束缚模型 ,结合遗传算法和分子动力学方法 ,对n =2 - 2 0的中小尺寸Si团簇的结构进行了优化 ,计算了团簇的束缚能Eb、平均配位数CN ,裂化能Efrag,总能的二阶差分△2 E ,HOMO和LUMO的能隙Eg,得出了随着团簇... 采用由M .Menon等人的非正交紧束缚模型 ,结合遗传算法和分子动力学方法 ,对n =2 - 2 0的中小尺寸Si团簇的结构进行了优化 ,计算了团簇的束缚能Eb、平均配位数CN ,裂化能Efrag,总能的二阶差分△2 E ,HOMO和LUMO的能隙Eg,得出了随着团簇尺寸的增加 ,构型发生了近球形 -长椭球形 -近球形的转变、n =4,7,1 0等团簇具有较强稳定性 ,团簇中原子之间共价键性结合占支配地位等主要结论。所得的主要结论与已有的从头计算和实验结果相一致。 展开更多
关键词 非正交紧束缚模型 最低能量结构 半导体硅团簇 束缚能 平均配位数 共价键 结构特性
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