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过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究
被引量:
1
1
作者
韩聚广
张鹏飞
《科学技术与工程》
2003年第3期310-311,共2页
半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
关键词
硅
半导体
团
簇
电子结构
电荷转移微观机制
稳定性
过渡金属
AG
IR
RE
搀杂
下载PDF
职称材料
Si团簇的结构特性研究
被引量:
2
2
作者
孙厚谦
《盐城工学院学报(自然科学版)》
CAS
2003年第4期12-17,共6页
采用由M .Menon等人的非正交紧束缚模型 ,结合遗传算法和分子动力学方法 ,对n =2 - 2 0的中小尺寸Si团簇的结构进行了优化 ,计算了团簇的束缚能Eb、平均配位数CN ,裂化能Efrag,总能的二阶差分△2 E ,HOMO和LUMO的能隙Eg,得出了随着团簇...
采用由M .Menon等人的非正交紧束缚模型 ,结合遗传算法和分子动力学方法 ,对n =2 - 2 0的中小尺寸Si团簇的结构进行了优化 ,计算了团簇的束缚能Eb、平均配位数CN ,裂化能Efrag,总能的二阶差分△2 E ,HOMO和LUMO的能隙Eg,得出了随着团簇尺寸的增加 ,构型发生了近球形 -长椭球形 -近球形的转变、n =4,7,1 0等团簇具有较强稳定性 ,团簇中原子之间共价键性结合占支配地位等主要结论。所得的主要结论与已有的从头计算和实验结果相一致。
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关键词
非正交紧束缚模型
最低能量结构
半导体硅团簇
束缚能
平均配位数
共价键
结构特性
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职称材料
题名
过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究
被引量:
1
1
作者
韩聚广
张鹏飞
机构
中国科学技术大学国家同步辐射实验室
出处
《科学技术与工程》
2003年第3期310-311,共2页
基金
国家自然科学基金(20173055)
文摘
半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
关键词
硅
半导体
团
簇
电子结构
电荷转移微观机制
稳定性
过渡金属
AG
IR
RE
搀杂
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O47 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
Si团簇的结构特性研究
被引量:
2
2
作者
孙厚谦
机构
盐城工学院基础部
出处
《盐城工学院学报(自然科学版)》
CAS
2003年第4期12-17,共6页
文摘
采用由M .Menon等人的非正交紧束缚模型 ,结合遗传算法和分子动力学方法 ,对n =2 - 2 0的中小尺寸Si团簇的结构进行了优化 ,计算了团簇的束缚能Eb、平均配位数CN ,裂化能Efrag,总能的二阶差分△2 E ,HOMO和LUMO的能隙Eg,得出了随着团簇尺寸的增加 ,构型发生了近球形 -长椭球形 -近球形的转变、n =4,7,1 0等团簇具有较强稳定性 ,团簇中原子之间共价键性结合占支配地位等主要结论。所得的主要结论与已有的从头计算和实验结果相一致。
关键词
非正交紧束缚模型
最低能量结构
半导体硅团簇
束缚能
平均配位数
共价键
结构特性
Keywords
Nonorthogonal tight-binding scheme
the gepmetry of the lowest energy
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O561.1 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究
韩聚广
张鹏飞
《科学技术与工程》
2003
1
下载PDF
职称材料
2
Si团簇的结构特性研究
孙厚谦
《盐城工学院学报(自然科学版)》
CAS
2003
2
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职称材料
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