美对华半导体管制的趋势、实施要点与中国因应

针对不断升级的中美半导体领域争端,本文梳理了美国对华半导体管制的趋势与要点。从特朗普政府到拜登政府,美对华半导体管制呈现出由“有限出口”向“全面出口管制”、由“5G”延伸至“AI”、由“大棒”扩展为“胡萝卜加大棒”、从“单边约束”扩展到“多边合围”的趋势。从管制要点来看,拜登政府在半导体产业链的所有关键环节都设计了阻碍中国技术进步的方案,不但限制高算力芯片成品对华出口,而且限制产业链上游的芯片制造设备、零部件、芯片设计软件出口以及产业链下游的算力租赁服务。针对美政府全方位围堵,本文提出对外强化与非热点半导体国家的联系、重视非传统技术路线半导体开发、借鉴比利时微电子研究中心运作模式发展共性技术机构等产业突围思路。

主题视角下的美国《2022年芯片法案》半导体管理与激励政策研究

美国《2022年芯片法案》是未来一段时期内美国芯片领域的指导性文件,对全球半导体技术发展、产业经济和供应链都将产生重要影响。分析美国《2022年芯片法案》,以隐性狄利克雷分布(Latent Dirichlet A llocation,LDA)模型的15个主题挖掘结果为基础,细粒度解读该法案半导体管理与激励措施,探讨其政策重点。美国《2022年芯片法案》提出由国家指导和授权半导体发展相关计划,其政策重点包括半导体激励措施的审查与监管、创建基金以激励半导体生产、培养半导体人才、优先支持美国关键制造业供应链实体等,结合中国半导体产业实际提出对策与启示。

半导体管特性图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定

0引言 半导体管特性图示仪是一种能在示波器屏幕上观察和测试半导体管特性曲线和直流参数的测量仪器，具有广泛性、直观性、全面性、准确性等特点，使用面极为广泛，晶体管、场效应管、光电管、可控硅、三极管、二极管等，几乎所有的二端、三端的半导体器件均可进行观察和测试。图示仪不是用表头、指针读测数据，而是将半导体管的特性直接显示在示波管的屏幕上，一目了然。可直接读数进行分析、比较、挑选和配对。调整置于器件各端的电压值，可对半导体器件的所有直流参数进行测试。直接读测被测参数，测量准确度较高。图示仪作为一种通用仪器需要进行量值溯源，但是图示仪的检定与其他的通用仪器相比有其特殊之处，尤其是图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定。针对其检定的特殊性和复杂性，下文简要介绍通用的检定方法。

CS4801型半导体管特性图示仪较准仪研制成功

中国电子技术标准化研究院成功研制出CS4801型半导体管特性图示仪校准仪。

孪生半导体管及其应用

本文简单地介绍孪生管的特点与一般晶体管的比较,以及各厂家的型号和封装形式。最后以较大篇幅介绍它的用途以及设计电路时的注意事项和常用的三种电路形式。

基于半导体管壳的封装工艺优化与性能改进研究

半导体管壳封装在现代电子产品中扮演着至关重要的角色,保证器件的稳定性、可靠性和性能对整个电子产品的性能至关重要。本文对半导体管壳封装工艺进行了一定论述,在此基础上,进一步探讨了半导体管壳封装工艺优化,并结合半导体管壳的特点,从散热性能、电气性能以及可靠性等三个方面分析了封装性能改进措施,有助于半导体管壳封装性能的不断提高,进而为半导体的正常运行创造有利条件。

半导体管温度传感器的研究

根据半导体三极管的热敏特性，研制了温度传感器，对其测温原理和电路设计进行了理论及应用的讨论，并将其用于高温脱毒工艺中的温度监控．

瑞萨中国战略:实现舒适的泛网时代的解决方案访瑞萨半导体管理(中国)有限公司董事长兼总裁小仓节生

瑞萨科技(Renesas Technology Corp)是综合性电机生产企业日立公司和三菱电机公司的两个半导体部门合并后所建，成立于2003年4月1日。

基于AT89C51单片机的半导体管自动涂胶机的控制系统设计

详细阐述了基于单片机AT89C51的Ф4×2半导体管自动涂胶机控制系统的设计。该自动涂胶机控制系统采用单片机控制,实现自动涂胶、故障报警、自动计数、振动料斗频率的数字化控制等功能,保证各动作的协调一致性,正确完成半导体管点胶。

瑞萨带领科技无处不在——访瑞萨半导体管理(中国)有限公司董事长、总裁小仓节生先生

2003年4月1日,瑞萨半导体的成立曾经是半导体界轰动一时的重量级消息;也是日本半导体业企图摆脱多年的沉寂局面,振兴产业,整合优化国内半导体企业的力量而采取的重大决策。《半导体技术》作为行业内的主流媒体一直关注着这个重大决策的成果和对业内的影响。世界范围内企业间强强联合、整合之风尚未平息,由此而为半导体业带来的结果更是业内关注的焦点之一。

销售设计与制造三管齐下——访瑞萨半导体管理(中国)有限公司董事长、总裁山村雅宏先生

瑞萨近日发布了新的中国战略：期望到2010财年之前,在中国的销售额增长100%,并且MCU（微控制器）、电视用LSI（大规模集成电路）和汽车半导体等重点领域的产品市场份额同步扩大100％。这一系列宏伟目标，主要从销售、设计与制造三方展开。

逐鹿中国半导体群雄回顾与展望(11)——瑞萨顷力推动ITDM方案加速中国业务的发展——专访瑞萨半导体管理(中国)有限公司董事长兼总裁小仓节生

Renesas瑞萨半导体，这家由日系二大厂Hitachi与Mitusbishi共同合资成立的半导体公司在以新的企业形象面世之后，如同其它大厂对中国市场的重视一般，也展开一连串的行销与投资动作，2004年明显地通过各种展会的高度曝光，展现对此市场的企图心。究竟瑞萨对中国市场发展的潜力的重视程度有多高？已经铺陈以及未来的布局又是如何？本刊特别专访到该公司中国分公司董事长兼总裁小仓节生，提出他的看法。

基于半导体桥芯片的钝感高瞬发底火设计

针对超高速射武器弹药对高频高安全及高一致性点火的发展需求,基于半导体桥芯片点火技术,设计了一种新型钝感高瞬发底火。通过对比研究4种半导体桥芯片及其2种封装结构,选用斯蒂芬酸铅和亚铁氢化铅/高氯酸钾作为两级复合装药,优化形成了模块化结构的半导体桥底火样机。该底火满足了与弹药接口的匹配要求,并达到1 A 1 W 5 min不发火的安全性要求。发火性能试验表明,所研制的半导体桥底火作用时间不大于200μs,散布不大于30μs,与传统桥丝电底火相比瞬发度和作用时间一致性显著提高,综合性能更好。

【行业动态】投资5亿元!又一半导体关键材料项目落地

2025年 1月 3日,西安经开区与唐山控股发展集团举行项目签约仪式。唐山控股发展集团计划投资 5亿元,在经开区建设包括半导体感光剂(PAC&PAG)、酚醛树脂和添加剂等在内的生产线、研发中心及 配套设施。该项目建成后,将进一步完善和延伸半导体产业链条,同时实现多项半导体材料国产化替 代,有效提升电子信息产业链安全和自主可控水平。

半导体激光剜除术对前列腺增生患者尿动力学、血清睾酮、PSA水平的影响

目的探讨半导体激光剜除术对前列腺增生患者尿动力学、血清睾酮、前列腺特异抗原(PSA)水平的影响。方法前瞻性选取2021年2月至2023年2月在大庆龙南医院就诊的90例前列腺增生患者作为研究对象,按随机数字表法将其分为观察组与对照组,每组各45例。观察组行半导体激光剜除术,对照组行前列腺电切术。比较两组围手术期指标、术后并发症及手术前后的残余尿量(PVR)、最大尿流率(Qmax)、睾酮、PSA、国际前列腺症状评分(IPSS)、生活质量量表(QOL)。结果观察组的手术时间、术中出血量、术后膀胱冲洗时间、术后留置导管时间、住院时间分别为(69.88±10.26)min、(40.23±6.28)mL、(20.04±5.19)h、(2.96±0.81)d、(4.29±1.12)d,均显著少于对照组[(77.76±9.74)min、(64.11±8.75)mL、(27.83±8.34)h、(4.61±1.51)d、(6.02±1.45)d],差异均有统计学意义(P<0.05)。两组术后残余尿量均较术前显著降低,Qmax均较术前显著升高,观察组残余尿量为(9.04±2.37)mL,低于对照组[15.08±4.24)mL],Qmax为(26.97±8.02)mL/s,高于对照组[(18.55±7.23)mL/s],差异均有统计学意义(P<0.05)。两组术后血清睾酮、PSA水平均较术前显著降低,观察组血清睾酮、PSA水平分别为(18.71±1.04)mmol/L、(4.36±1.08)ng/mL,均低于对照组[(21.05±1.15)mmol/L、(8.08±1.69)ng/mL],差异均有统计学意义(P<0.05)。两组术后IPSS、QOL评分均较术前显著降低,观察组IPSS、QOL评分分别为(6.10±1.25)、(1.23±0.29)分,均低于对照组[(8.23±1.31)、(1.77±0.56)分],差异均有统计学意义(P<0.05)。观察组术后并发症总发生率为13.33%,显著低于对照组(31.11%),差异有统计学意义(P<0.05)。结论半导体激光剜除术在改善前列腺增生患者尿动力学及血清睾酮、PSA水平等方面效果优于前列腺电切术。

“经济人”还是“政治人”:半导体超级企业的策略选择机制

在美国点名施压之下,为何全球半导体超级企业在中美两国间的策略选择呈现出较为明显的差异?既有研究对于高科技超级企业在大国科技竞争背景下的决策机制关注不足。超级企业的策略选择受到外部大国关系和自身“经济人”“政治人”属性的影响,当体系内大国关系处于合作的良性状态时,“经济人”逻辑占据上风,企业能够在全球市场中自主决策,理性地追求自身利润最大化;当大国关系为竞争甚至走向对抗时,“政治人”逻辑则占据上风,企业“政治人”属性的强弱决定其如何应对美国的政治胁迫,进而决定能否进入下一阶段遵循“经济人”逻辑的决策环节。台积电、英伟达和阿斯麦的策略选择能够为这一分析框架提供经验证据。该研究有助于理解美国对华科技竞争背景下高科技超级企业的决策机制,也对中国和中国企业在技术变革时代分析合作伙伴和竞争对手的行为逻辑具有一定启发意义。

大基金与“卡脖子”行业发展——来自半导体行业上市公司的证据

“解决‘卡脖子’难题,强化科技创新和产业链供应链韧性”是实现高质量发展需要攻克的重点任务。产业投资基金作为政府之手与市场之手相结合的政策工具,已成为扶持行业发展的重要方式。文章以2014年国家集成电路产业投资基金(大基金)成立作为准自然实验场景,以半导体行业为例,建立双重差分模型检验产业投资基金对“卡脖子”行业发展的影响。研究发现:(1)大基金显著促进半导体行业企业发展,该结论在考虑多维度混杂影响、内生性问题等一系列可能的干扰因素后依旧成立。具体表现为企业规模扩张能力、营业收入增长能力和创新能力均显著提升。(2)相比于孵化期、成熟期的企业,大基金对成长期企业的发展促进作用更加显著。此外,上述政策效应尤其体现在所处地区腐败程度较低的企业,进一步突出了“市场化”因素在产业投资基金运行中的重要性。(3)机制检验发现,大基金通过直接投资和引导投资缓解企业融资约束、通过发挥“信号效应”提振投资者信心等渠道助力企业多方位发展。文章的研究丰富了产业投资基金的效应分析及机制讨论,为实现我国科技自立自强提供可行的实施路径,也为进一步优化产业政策、突破国际困局以及保证国民经济稳定发展提供参考。

《半导体光电技术》专栏序言

半导体光电技术是与激光技术、光学工程领域密切相关的重要研究课题,对我国高新科技发展具有重大科学意义和战略价值。半导体光电技术近年来在我国受到了空前重视,取得了巨大进展,产生了一系列重要和重大的科研成果,显示了我国在半导体光电技术领域的科技实力和产业应用潜力。为了及时反映我国半导体光电技术的发展状况,促进广大科技工作者进一步做出更大成绩,《激光技术》出版了本期“半导体光电技术”专栏,报道国内半导体光电技术领域的重要进展和最新研究成果。