半导体纳米光功能材料的合成方法

本文以硫属半导体纳米材料的合成为例，综述了纳米光功能材料的合成方法，各种方法的特点和今后的发展方向。

纳米TiO_2光半导体材料防治植物病害的初步研究

纳米T iO2光半导体材料是一种具有抗菌与环境净化功能的新型环境友好材料,试验首次探索了将其应用于植物病害防治的可能性。在黄瓜霜霉病防治研究的栽培试验中发现,喷施纳米T iO2光半导体溶胶材料可以显著地降低黄瓜霜霉病的发病率和病情指数,减少叶片病斑数量与病斑面积。试验研究结果初步证实了其对黄瓜霜霉病害具有一定的防治作用,为以纳米T iO2光半导体溶胶材料为主要有效成分的植物抗菌剂与保护剂的开发提供了参考依据。

光电子领域中的纳米半导体材料

近年来,纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意。由于纳米半导体材料的量子限域效应、尺寸效应等影响使得它们在光电转移、电子器件等方面有着优异的性能,必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用。详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史,研究情况以及存在的问题等。

半导体超细粒子/聚合物光功能材料的特性及应用进展

介绍了半导体超细粒子的概念、结构及特性,主要是包括量子尺寸效应、体积效应、表面效应;介绍了半导体超细粒子/聚合物复合材料的概念、形态结构控制及性能,特别是作为新型光功能材料的最新应用进展,并对未来的发展作了展望。

半导体Q－粒子及其纳米相复合功能材料研究

半导体Ｑ－粒子及其纳米相精细复合功能材料的研究得到了越来越广泛的重视。本文结合作者几年来在这一领域所取得的结果，介绍半导体Ｑ－粒子的量子尺寸效应，单分散Ｑ－粒子和复合粒子的制备，Ｑ－粒子的有序组装及其纳米相复合功能材料制备的研究及其进展。

纳米TiO2光半导体材料在农业领域的研究进展

纳米TiO2作为一种环境友好型光半导体材料在众多领域具有广泛的应用价值。近年来，纳米TiO2在农业领域的应用与研究已经逐渐引起人们的关注，其在防治植物病害、改善植物光合机能、降解农药污染、延长果蔬储藏保鲜期以及调节高等植物生长发育等众多方面显示出了良好的应用前景。文章重点围绕以上几方面对纳米TiO2在农业领域的研究现状与发展进行综述。

半导体光电信息功能材料的研究进展

半导体信息功能材料和器件是信息科学技术发展的先导和基础,多种技术与材料的进展使之在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面的应用前景更加广泛,而且光纤通信、移动通信和数字化信息网络技术已成为信息技术发展的大趋势。

半导体纳米复合材料的制备及其光电催化CO2还原

本实验通过模拟植物光合作用,设计制备了新颖的光电联合催化池3D-ZnO/Ni BiVO4/FTO,用电化学沉积法制备了泡沫镍负载的ZnO纳米棒光电阴极和BiVO4光电阳极,以0.1 mol·L^−1 KHCO3水溶液作为电解质,1 mmol·L^−1曙红Y为光敏剂,在−0.6 V硅太阳电池的电压下光电催化还原CO2得到了乙醇、乙酸和甲醇,总产率22.5μmol·L^−1·h^−1·cm^−2。实现了将太阳能贮存为化学能并减少了空气中的CO2,加深了学生对绿色化学和植物Calvin循环机理的理解。

半导体纳米材料在光电化学生物传感器中的研究进展

简单、快速、灵敏的生物分子分析方法是分析化学中极其重要且热门的研究课题之一,特别是在疾病诊断、环境监测、药物分析、食品安全分析、生命分析及病原微生物研究等领域极具吸引力。光电化学(photoelectrochemistry,PEC)分析方法是继光学、光化学、电化学方法之后发展起来的一种新型的分析方法。它具有简单、高效、背景信号低、灵敏度高、稳定性好等显著优势,因此受到了广大学者的高度关注及广泛研究。在PEC生物传感器的发展历程之中,筛选性能优良的光电材料、结合高效的信号放大策略、引入特异性强的分子识别元件、发展新颖且实用的分析方法等,对改善PEC生物传感器的各项分析性能、实现对生物分子的高灵敏检测起着重大作用。该文简要介绍了PEC生物传感器的原理,重点评述了近几年半导体纳米材料在PEC生物传感器中的研究进展。

半导体光电信息功能材料的研究探讨

光电子技术的研究和发展给人们的生活带来了巨大的变化,光电信息功能具有独特的性能,在光电信息时代中有着巨大的发展潜力。本文从光电信息功能材料基本知识着手,研究了半导体光电材料、纳米功能材料、光折变功能材料的应用进展,又对制备半导体光电信息功能材料的工艺技术进行了阐述。材料技术是国家生产力的重要支撑,材料技术的成熟与否严重影响了经济的发展进步,对材料技术的研究与发展已经成为各国科研领域关注的焦点。如今,光电子技术的研究和发展给人们的生活带来了巨大的变化,光电信息功能材料同时具备了光子材料和电子材料的性能特点,在光电信息时代中有着巨大的发展潜力。

将“幻想植物”带入现实——纳米材料功能化的“植物光容器”

随着城市的进一步发展,对土地利用效率的要求提高,我们将植物与纳米功能材料结合,赋予了植物神奇的功能,实现了植物的高效利用。通过对文献方案的优化与植物功能的拓展,我们成功设计出“植物光容器”。这些功能化植物便于展示,绿色安全,具有很强的趣味性。本实验开展梯度科普:对象包括从幼儿园小朋友到高中生、本科生及社会大众等不同知识储备的人群。此外,我们还就公众关心的纳米、纳米粒子等前沿概念进行科学解读。通过生动直观的实验,为青少年埋下科学探究的种子,帮助大众体会化学之美和化学之趣,阐释化学使生活更美好的理念。

半导体纳米材料的特性与光电化学

半导体纳米材料因受尺寸量子效应和介电限域效应等特性的影响，往往具有不同于块体材料和原子或分子的介观性质，在材料学，物理学．化学，催化和环保等方面具有广阔地用途。本文介绍了半导体超微粒的基本特性和光电化学性质以及在光能利用方面的应用前景。

新型半导体纳米材料实现高效光化学转化

中国科学技术大学俞书宏教授课题组等设计了一种“脉冲式轴向外延生长”方法,成功制备了尺寸、结构可调的一维胶体量子点-纳米线分段异质结,利用硫化锌(ZnS)纳米线对硫化镉(CdS)量子点的晶面选择性钝化作用,可同时实现量子点表面的有效钝化和光生载流子的有效转移。

新型半导体纳米材料实现高效光化学转化

记者从中国科学技术大学获悉,该校俞书宏教授课题组与合作者合作,设计了一种“脉冲式轴向外延生长”方法,成功制备了尺寸、结构可调的一维胶体量子点-纳米线分段异质结,利用ZnS纳米线对CdS量子点的晶面选择性钝化作用,可同时实现量子点表面的有效钝化和光生载流子的有效转移。

新型半导体纳米材料:让待检分子的拉曼信号放大1000万倍

1928年印度物理学家Raman在研究液态苯的光散射现象时首次发现了物质的拉曼散射光谱.拉曼散射光谱清晰、信噪比高、峰形尖锐、分辨率高,而且不受光源频率的限制,不受样品状态（气体、液体、固体）的限制,也不受样品中水分的干扰限制（因为水的拉曼散射很弱）.20世纪60年代采用激光作为光源后，物质的拉曼光谱信号得到有效地增强．这些特点使激光特别适合检测量少、难于前处理、不能遭受破坏、宜在含水的天然状态下的生物样品，因而人们对其在样品检测（特别是生物痕量样品检测）方面的应用寄予了厚望．

半导体纳米微粒/聚苯胺复合材料的制备和性能研究

简述了近年来新发展的几种半导体纳米微粒/聚苯胺复合材料的构建方法,总结了半导体纳米微粒/聚苯胺复合材料性能表征的部分工作,讨论了半导体纳米微粒的尺寸大小、粒度分布及复合材料的光学和光电化学性能研究等。

半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究

在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。

光功能纳米材料与肿瘤光学治疗展望

近二十年来,光功能纳米材料因其具有优越的光热转化与光敏化能力而被广泛研究用于肿瘤光学治疗,并展现出了良好的临床转化潜力。本文结合作者自身的科研经历,展望了基于光功能纳米材料的肿瘤光学治疗在其未来的临床转化过程中所面临的挑战与机遇,倡导相关科学家直面制约肿瘤光学治疗临床转化的若干问题,共同推进肿瘤光学治疗在临床中的应用,早日造福广大肿瘤患者。

上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展

近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件，如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中，纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收，而其中的电子（空穴）迁移率等也逐渐接近甚至高于相应体材料的最佳值；

(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜的制备及半导体性能

为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。