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80nm应用中的高数位孔径,双载具193nm TWINSCAN扫描分步投影机
1
作者
程天风
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期7-11,34,共6页
针对次100nm的生产,ASML研发了一个新光刻系统,其中克服了许多底k1解晰度的挑战。其中包含0.85NA双载具193nmTWINSCAN的设计、性能与一些初步的量测数据。80nm的生产必须要有多方面的量测与控制来达到高准确度的线宽(CD)与对准(Overlay...
针对次100nm的生产,ASML研发了一个新光刻系统,其中克服了许多底k1解晰度的挑战。其中包含0.85NA双载具193nmTWINSCAN的设计、性能与一些初步的量测数据。80nm的生产必须要有多方面的量测与控制来达到高准确度的线宽(CD)与对准(Overlay)的要求水平。本机台拥有高成熟度的双载具平台,稳定的系统动态质(MSD),一惯性的光量递输等功能,幷包含了一个内建侦测回送系统来自动调控投影镜的像差(aberrations),来达到最佳的影像保真度。
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关键词
光刻技术
TWINSCAN
光量递输
投影机
半导体线宽控制
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职称材料
题名
80nm应用中的高数位孔径,双载具193nm TWINSCAN扫描分步投影机
1
作者
程天风
机构
ASML阿斯麦光刻设备有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期7-11,34,共6页
文摘
针对次100nm的生产,ASML研发了一个新光刻系统,其中克服了许多底k1解晰度的挑战。其中包含0.85NA双载具193nmTWINSCAN的设计、性能与一些初步的量测数据。80nm的生产必须要有多方面的量测与控制来达到高准确度的线宽(CD)与对准(Overlay)的要求水平。本机台拥有高成熟度的双载具平台,稳定的系统动态质(MSD),一惯性的光量递输等功能,幷包含了一个内建侦测回送系统来自动调控投影镜的像差(aberrations),来达到最佳的影像保真度。
关键词
光刻技术
TWINSCAN
光量递输
投影机
半导体线宽控制
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
80nm应用中的高数位孔径,双载具193nm TWINSCAN扫描分步投影机
程天风
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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