一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器

本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器。包括:衬底,衬底的上表面开设有凹槽,衬底的下表面开设有背腔,其中,凹槽与背腔相对设置;介质叠层,位于衬底的上表面和凹槽内,介质叠层的下表面外露于背腔;导电层,位于介质叠层的上表面,导电层上开设有多个开口,开口贯穿导电层.

半导体结构束缚下各向异性施主杂质中的混沌

研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质.

探究低维半导体结构中的电子运输

近几年来,学术界针对低维半导体材料的研究逐渐增多,已经成为半导体科学技术领域中研究的热点问题。电子运输性质是低维半导体结构研究中的一个关键问题,是充分发挥出低维半导体材料作用的必要因素。该文将针对超晶格、量子线和量子点3种低维半导体结构的电子运输进行深入分析。

一种制备金红石型二氧化钛及其形成半导体结构的方法

本发明公布了一种金红石型二氧化钛的制备方法。具体方法：1）将过渡金属（如钒、铬、钨、锰、钌、锇、铑、铱、铂、锗、锡或铅）置于氧气（O2）氛围使之氧化，反应温度为200—400℃；

科学家首次成功地在硅上集成50μm的厚锗——构造单片半导体结构技术取得突破

瑞士和意大利的科学家在2012年3月30日出版的《科学》杂志上指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大的突破，成功地在硅上集成了50μm的厚锗；新结构几乎完美无缺，最新的研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。微电子设备几乎离不开硅，硅价格低廉、储藏丰富且坚固耐用。但硅也并非万能，有些材料的性能也比硅强，因此科学家正在想方设法地让硅同锗等其它半导体材料“联姻”，以获得这两种材料的最好性能，拓展新的应用领域。

英飞凌利用多栅技术取得创新突破:三维制胜——全新半导体结构大幅改善能源效率

与当今的平面单栅技术相比．多栅技术能够在保持高功能性的同时大幅度削减功耗。在这项新技术的一次演示中．英飞凌研究人员成功测试世界上第一个运用全新6Bnm多栅晶体管结构制造的复杂集成电路。与目前具有同等功能与性能的平面单栅晶体管相比．全新晶体瞥的尺寸要小30％．静态电流值降低了10倍。据研究人员计算．这种多栅技术将大大提高移动设备的能源效率和电池工作时间（比已经投产的65nm工艺高出一倍）。对于未来技术节点（32nm及更高水平）．能源效率的提高幅度将更大。

新型功率半导体结构使可持续能源成为可能

最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

新型功率半导体结构使可持续能源成为可能

最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

美科学家研究新奇半导体结构能让光线迷路

美国普林斯顿大学的研究人员发现的新型超材料拥有负折射率，从而让光线也“迷路”。该大学领导的科研团队已经发明了一种可以从计算机集成电路块中很容易获得的物质，这种材料具有独门绝技能够让光线“迷路”，而不是像普通材料那样反射。这一惊人性能可以扩展出许多重要区域，包括高速通讯、医学诊断和检测恐怖分子威胁。

电子在自旋-轨道耦合调制下磁受限半导体纳米结构中的传输时间及其自旋极化

通过考虑构筑在半导体GaAs/Al_(x)Ga_(1–x)As异质结上的磁受限半导体纳米结构中的塞曼效应和自旋-轨道耦合,本文采用理论分析和数值计算相结合的方法研究了电子的传输时间与自旋极化.利用矩阵对角化和改进的转移矩阵方法,数值求解电子的薛定谔方程;采用H.G.Winful理论求电子的居留时间,并计算自旋极化率.由于塞曼效应与自旋-轨道耦合,电子的居留时间明显地与其自旋有关,因此可在时间维度上分离自旋、实现半导体中电子的自旋极化.因为半导体GaAs的有效g-因子很小,电子自旋极化主要源于自旋-轨道耦合,大约为塞曼效应引起的自旋极化的4倍.由于电子的有效势与自旋-轨道耦合的强度有关,电子的居留时间及其自旋极化可通过界面限制电场或应力工程进行有效调控.这些有趣的结果不仅对半导体自旋注入具有参考价值,而且还可为半导体自旋电子学器件应用提供时间电子自旋分裂器.

SrTiO_3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜 .研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体 (MIS)结构的介电和界面特性 .结果表明 ,STO薄膜显示出优异的介电性能 ,在 10kHz处的介电常数约为 10 5 ,损耗低于 0 0 1,这来源于多晶结构和良好的结晶性 ;MIS结构中的固定电荷密度Nf 和界面态密度Dit分别约为 1 5× 10 1 2 cm- 2 和(1 4— 3 5 )× 10 1 2 cm- 2 eV- 1 ,这主要与Si STO界面处形成的低介电常数界面层有关 .

CdS/MS(M=Ag,Pb,Cu,Zn)半导体纳米复合结构的制备

利用金属硫化物在水溶液中溶度积的差异和通过水热及超声波等辅助方式,利用离子置换法与共沉淀法,对CdS纳米棒上金属离子(Cd2+)的部分置换而对纳米微粒进行侵蚀或包覆,形成镶嵌式点缀结构或完全包覆层的异质核-壳结构CdS/MS(M=Ag+,Cu2+,Pb2+,Zn2+)。使用XRD和TEM对所得样品进行了表征。

激光激励下微半导体结构的三维温度响应

论文运用耦合的等离子波和热传导模型研究了在激光激励下的半导体微硅试件的温度响应;采用格林函数方法得到了在热化热源、体复合热源和表面复合热源共同作用下三维微硅试件中载流子浓度和温度的解析解;对均布激光和聚焦激光激励下的微硅试件温度响应进行了计算,得到了温度的空间分布及其随激励频率的变化关系.

半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展

评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于 Si基光电子材料设计方面的重要进展 .着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望 .最近关于 Si纳米晶光增益和纳米硅 /氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义 .对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于 Si/ O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道 .这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破 .

复合结构半导体电极在水溶液中的光电行为

借助于锁相放大技术和其他一些电化学研究方法,探讨了GaAs/Ga1-xAlxAs复合结构半导体材料的光电行为,分别对不同复合结构和同一复合结构、掺杂Al组分不同的半导体材料的开路输出光电压和光电流响应进行了研究。结果表明:采用复合材料代替单一的半导体作光阳极,有助于提高太阳能的光电转换效率,为光电化学太阳能电池的研究开辟了一条新途径。

BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BST/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BST极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BST的平均极化方向仍与Al-GaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究

借助于交流阻抗技术和电化学方法,研究了不同复合结构半导体电极在理论上的最大光电势,为更好地提高光电转换效率提供依据。尝试在高氯酸锂-乙腈非水体系中添加氧化-还原电对,探索抑制光腐蚀的有效途径。

英飞凌利用多栅技术取得创新突破:三维制胜——全新半导体结构大幅度改善能源效率

2006年12月4日，幕尼黑讯多栅场效应晶体管技术有望成为应对集成电路小型化所带来的各种技术挑战的理想解决方案。与当今的平面单栅技术相比，多栅技术能够在保持高功能性的同时大幅度削减功耗。在这项新技术的一次演示中，英飞凌研究人员成功测试世界上第一个运用全新65纳米多栅晶体管结构制造的复杂集成电路。与目前具有同等功能与性能的平面单栅晶体管相比，全新晶体管的尺寸要小30％，静态电流值降低了十倍。据研究人员计算，这种多栅技术将大大提高移动设备的能源效率和电池工作时间（比已经投产的65nm工艺高出一倍）。对于未来技术节点（32nm及更高水平），能源效率的提高幅度将更大。