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Ga_xIn_(1-x)P缓冲层组分对InP自组装形貌影响的研究 被引量：1
1
作者 王浩 曾谷城 +5 位作者 廖常俊 蔡继业 郑树文 范广涵 陈勇 刘颂豪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1726-1730,共5页
应用缓冲层对自组装结构的作用能Er 和自组装结构表面能Es 的协同作用分析了InP自组装结构在GaxIn1 -xP缓冲层表面的形貌变化 .计算发现缓冲层组分影响自组装结构的形貌 .随着缓冲层与InP自组装结构之间应力的增加 ,InP岛倾向于拉长 .... 应用缓冲层对自组装结构的作用能Er 和自组装结构表面能Es 的协同作用分析了InP自组装结构在GaxIn1 -xP缓冲层表面的形貌变化 .计算发现缓冲层组分影响自组装结构的形貌 .随着缓冲层与InP自组装结构之间应力的增加 ,InP岛倾向于拉长 .理论计算还发现随着自组装结构体积的增大 ,自组装结构也随之拉长 .而且缓冲层的参数决定了自组装结构最小能量状态时的体积大小 .应用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长了不同的InP GaInP体系 ,并对实验得到的自组装体系形貌进行了分析 .实验结果证实了以上的理论分析 . 展开更多
关键词 缓冲层 半导体自组装结构 表面能 金属有机物化学气相沉积
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