半导体泵浦全固体蓝光激光器的研究进展

由于全固体蓝光激光器的广阔的应用前景和潜在的商业价值 ,使全固体蓝光激光器的研究成为当前激光领域的一个热点。简述了LD泵浦全固体蓝光激光器的发展历史和现状。讨论了产生蓝光的增益介质、倍频晶体、被动调Q晶体和已出现的直腔、“V”型腔及“Z”型腔的结构。指出了LD泵浦固体蓝光激光器面临的镀膜技术与“蓝光噪声问题”两大困难和其大功率。

980nm半导体激光二极管的温度特性

测试并分析了980nm半导体激光二极管(SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光功率随管芯温度的变化基本保持稳定。温度不变的情况下,当注入电流小于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而较快增加,当注入电流大于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而缓慢增加;电流不变时峰值波长、3dB带宽和消光比随温度升高而有所增大。

索尼上市蓝紫色半导体激光二极管

索尼宣布上市了记录及播放用蓝光光盘的蓝紫色半导体激光二极管新产品”SLD3237VF”。该激光二极管脉冲输出高达400mW，还支持大容量蓝光光盘的新规格”BDXL”。

脉冲400mw的蓝紫色半导体激光二极管

日本索尼公司上市了业界首款记录及播放用蓝光光盘的蓝紫色半导体激光二极管新产品“SLD3237VF”其脉冲输出功率高达400mW，

接触式半导体二极管激光经巩膜睫状体光凝治疗晚期难治性青光眼

接触式半导体二极管激光经巩膜睫状体光凝术(Contact transscleral diode laser cyelopho-tocoagulation,DLCPC或TSCPC),是一种新型的睫状体破坏术,应用于难治性青光眼的治疗。本文主要介绍了DLCPC的作用机制、手术方法、适应证、并发症及临床疗效。大量临床资料表明,DLCPC相对安全、有效、简便,是一种治疗晚期难治性青光眼的选择性手术。

基于半导体光二极管CaAsP的实时自相关仪

阐述了利用双光子吸收原理和基于半导体 (CaAsP)光二极管的自相关测量方法 与传统的使用非线性晶体和光电倍增管的二次谐波测量方法相比 ,测量方法更加简单、实用、可靠 在实验中得到了较好的

半导体激光经巩膜睫状体光凝术联合小梁切除术治疗新生血管性青光眼的疗效评估

目的评估半导体二极管激光经巩膜睫状体光凝术(TSCPC)联合小梁切除术治疗新生血管性青光眼(NVG)的疗效。方法选择2013年4月至2014年4月间在解放军105医院接受TSCPC联合小梁切除术治疗的NVG患者56例作为观察组,同期接受单纯TSCPC治疗的NVG患者49例作为对照组,比较两组患者的治疗效果及术后眼压、视力、滤过泡及并发症情况。结果观察组患者接受治疗后的成功率为92.86%(52/56),高于对照组的77.55%(38/49),术后眼压为(18.72±3.05)mm Hg,低于对照组的(36.18±5.93)mm Hg,差异均有统计学意义(P<0.05);观察组患者术后视力0.3~0.5所占比例为55.36%(31/56),>0.5所占比例为25.0%(14/56),有效滤过泡比例为76.78%(43/56),均分别高于对照组患者的42.86%(21/49)、12.25%(6/49)和55.10%(27/49),差异均有统计学意义(P<0.05);观察组患者术后并发症发生率为12.50%(7/56),低于对照组的为42.86%(21/49),差异有统计学意义(P<0.05)。结论 TSCPC联合小梁切除术是治疗NVG的有效方式,有助于降低眼压、提升视力、降低并发症发生率。

半导体激光器减反射膜的制备及其反射率的测量

用真空热蒸发技术,监测被镀器件的自发辐射,在GaAs半导体激光器端面上成功地制备了高效减反射膜。用Kaminow等人提出的间接方法测得其剩余反射率为5×10^(-4)。

半导体激光器应用与发展趋势预测

文中介绍目前半导体激光器的应用现状、九十年代的发展趋势，以及２０００年的开发前景。

半导体二极管激光系统

本发明是一台用连续波半导体二极管激光器的紧凑而经济的微微秒脉冲发生器。此脉冲发生器可以运用在光通讯、超快计算机或光纤试验中，在千兆赫重复率下产生100％调制的激光。很快还会想到其它的一些高速应用：象试验光开关、快响应探测器和光通讯信道等。

日亚欲在2008年3月出货1W连续波纯蓝光半导体激光器

日亚化学将于2008年3月开始试销445nm,1W连续波模式GaN蓝光激光二极管。利用在405nm GaN激光二极管(用于下一代光盘系统)积累的专业知识和经验,以及在440～460nm(全彩显示屏用)范围内更长波长器件的拓展研发基础上。

光泵浦半导体激光器的发展及应用

光泵浦半导体激光器(OPSLs)于2001年被提出,其在光功率扩展性和稳定性、波长可选性、可靠性以及光束质量等方面具有独特优势,并迅速在流式细胞术、共聚焦显微镜、测序分析、医学诊断和治疗、半导体检测、图形艺术、法医学、计量学等领域得到了广泛应用。本文将介绍OPSL的基本原理,并与离子激光器、二极管激光器和标准的固体激光器对比。还将回顾这一新兴技术的过去10年、现状和发展趋势,尤其是波长、光功率、倍频、超窄线宽技术等方面。此外,还将给出对OPSL主要应用领域的研究结果。

激光器件 半导体激光器

半导体激光器 TN248.4 2005020977 大功率半导体激光器应用=Appliearion of high power semiconductor laser[刊，中]/董彦(铁通锦州分公司.辽宁.

化合物半导体材料的光电应用现状

在整个化合物半导体工业中 ,光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD)、太阳电池 (SC)和光探测器 (PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景。量子结构光电器件由于具有一系列独特性能 ,将越来越受到重视。

半导体激光器

TN248.4 2004064104 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁（中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京（100083））,宋国峰…∥半导体学报.—2004,25（5）.—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-xAs的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12（严寒）

光纤光栅可调谐半导体单模超短光脉冲的研究(英文)

本文利用光纤光栅形成外腔反馈 ,得到量子阱半导体激光二极管单模超短光脉冲 .其光谱线宽约为 0 .4nm,脉冲宽度约为 60 ps.并利用调谐装置 ,改变光纤光栅的反射波长 ,得到不同波长的超短光脉冲 ,其波长可长期稳定 .

半导体激光器件市场浅析

随着现代科学技术的发展尤其是信息时代的到来,半导体激光器件(俗称激光二极管或LD)越来越受到人们的重视,这一方面是由于它应用领域快速发展,另一方面也是因为器件本身所涉及理论和工艺的不断完善,性能不断提高。

大功率半导体激光器

该项目用于制造大功率二极管激光器，波长800-1800nm，工作方式为脉冲或恒时。借助于新的异质结结构激光器设计，使得单个光源的光功率超过10瓦特，有效功率达70％以上。主要特性在于在不对称激光器设计中使用了超宽的（2．4微米）波层，对量子活跃区域做出了单独限制。这在俄罗斯属于首创。

大功率半导体激光器

该项目用于制造大功率二极管激光器，波长800—1800nm，工作方式为脉冲或恒时。借助于新的异质结结构激光器设计，使得单个光源的光功率超过10瓦特，有效功率达70％以上。主要特性在于在不对称激光器设计中使用了超宽的（2．4微米）波层，对量子活跃区域做出了单独限制。这在俄罗斯属于首创。