半导体矩形量子阱中电光效应的探讨

通过密度矩阵及坐标变换等方法，导出质量可变的无限深矩阵阶中电光效应的解析表达式，通过对ＧａＡｓ／ＡｌＡＳ量子阱的数值计算，指出电光效应的大小取决于因有效质量变化引起的阱不对称程度。