半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

利用ＳＥＡＭ技术对半导和非半导性的ＢａＴｉＯ３陶瓷材料进行了电声成像观察研究．在半导性的这种材料电声成像中，由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献，使得热波耦合机制起到主要作用；在非半导性的这种材料电声成像中，其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同．

Cr_2O_3-Al_2O_3催化剂半导性对催化性能的影响

在剖析Cr_2O_3-Al_2O_3系催化剂微观结构的基础上,通过对Cr_2O_3 Al_2O_3的电导测定、热磁分析研究了Cr_20_3-Al_2O_3催化剂的半导性及它对临氢脱烷基催化过程的影响。实验结果表明,氧化态Cr_2O_3为p型半导体,在还原气氛中,将转化为n型。其转变温度随Cr_2O_3含量的增加而提高。催化甲苯临氢脱烷基的活性中心为Cr(Ⅱ)。具有尖晶石结构的γ-Cr_2O_3比α-Cr_2O_3的活性更好。在甲苯气氛中,载流子Cr(Ⅱ)越多,活性越高;在苯气氛中,载流子Cr(Ⅱ)相对越少,其对苯的选择性越好。

钛酸锶铅材料半导性研究

目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6

ICO聚合物推出兼具半导和阻燃性能的PE新牌号

材料生产商ICO聚合物北美公司推出一种静电敏感的滚塑产品专用新型可交联、半导性聚乙烯（PE）牌号。这种商品名称为IcoreneCX-1503的产品综合了过去IcoreneC-517和IcoreneC-420牌号的持久抗静电性能和Icorene-1503粉末的高阻燃性及韧性。此外这种新牌号PE材料的热变形小并且具有紫外稳定的特点。

高导性碳纳米管可转换为半导体

据报道,近日,美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式,可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

高导性碳纳米管可转换为半导体

美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式，其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。

高导性碳纳米管可转换为半导体

美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性缡卷管，这嗣发展下一代计算讥芯片具有非凡价值。

高导性碳纳米管司转换为半导体

美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

印刷半导体碳纳米管薄膜晶体管光电性能研究

本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFODBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能。在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管。用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件。印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(10~7)和高迁移率(15.6 cm^2·V^(-1)·s^(-1))。并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性。

高导性碳纳米管可转换为半导体

美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。

高导性碳纳米管可转换为半导体

据英国皇家化学学会网站报道,美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

高导性碳纳米管可转换为半导体

据报道，近日，美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式，可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

高导性碳纳米管可转换为半导体

据英国皇家化学学会网站近期报道，美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

复合表面活性剂分离大直径高纯半导体碳纳米管

为了通过凝胶色谱法分离出高纯度的大直径半导体性单壁碳纳米管,利用胆酸钠(SC)和十二烷基硫酸钠(SDS)复合表面活性剂调控碳纳米管与凝胶间的相互作用,从电弧放电法制备所得大直径碳纳米管(直径为1.3~1.8 nm)混合物中分离高纯半导体碳纳米管.在分离过程中,通过SC对碳纳米管混合物进行充分分散,随后加入SDS配制复合表面活性剂用于增强半导体性碳纳米管与凝胶间的作用力,从而提高半导体碳纳米管的分离纯度和产率.吸收光谱和拉曼光谱测试结果表明利用复合表面活性剂分离所得s-SWCNTs比单一表面活性剂SDS分离所得s-SWCNTs纯度更高,且产量更多.为了测试碳管的纯度是否符合制备器件的要求,将分离所得s-SWCNTs用于制备碳纳米管薄膜场效应晶体管(CNT-TFT)并测试其电学性能,结果表明SWCNT-TFT晶体管的开关比可达10~4以上,说明s-SWCNTs的纯度高,符合器件的需求.

新型稀磁性半导体材料Co_xZn_(1-x)S与Co_xZn-(1-x)Se单晶的制备

本实验首次利用碘做媒介剂,采用化学气相输运法制得稀磁性半导体Co_xZn_(1-x)S和Co_xZn_(1-x)Se(0<X≤0.3)单晶。Co_xZn_(1-x)S随x组份增大,颜色由浅绿变深;Co_xZn_(1-x)Se随x组份增大,颜色由浅棕色变深。单晶组份接近化学计量比,输运率随x值增大而降低。单晶生长速率与温差有关,温差大则生长速率快,但晶粒不易长大,一般宜取温差△T为15℃。用X射线衍射法测得Co_xZn_(1-x)S、Co_xZn_(1-x)Se(0<X≤0.1)晶体为闪锌矿结构,与ZnS、ZnSe结构相同。

浅谈印刷半导体碳纳米管薄膜晶体管光电性能研究

文章说明了PFO DBT聚合物中肥力的半导体碳纳米管薄膜将晶体管光电性能情况,通过超声和离心作用下被,PFO DBT聚合物可以进行先咋行分离,最终得出高纯度的薄膜晶体管。将优质半导体纳米管的同业经过气溶胶配模印刷的方式,得出高性能的薄膜晶体管器件。该物质有着极佳的迁移率与开关闭,并且利用该方式制备出来的薄膜晶体管有着良好的稳定性能,值得推广应用。

清除血浆中LDL用生物活性短肽SDE的合成研究

高脂血症是引起心脑血管疾病的主要原因之一。Ser-Asp-Glu 三肽(SDE)在对血浆中低密度脂蛋白(LDL)的识别及特异性吸附起关键性作用。本实验采用 DCC/HOBt 液相法,合成三肽(SDE)。重点研究反应温度、反应时间和原料配比对 SDE 产率的影响。结果表明本实验成功合成出SDE 三肽。

纯铁膜的阻温特性

采用直流磁控溅射的方法 ,制备了一系列不同厚度的纯铁膜 ,并测量了它们的阻温 (R -T)特性。研究表明 ,样品的R -T特性与镀膜时间 ,即膜的厚度有关。在同一系列中 ,随样品厚度的增加 ,R

LiCoO_2陶瓷的结构与热电性能

利用拉曼光谱和扫描电镜对合成的LiCoO2陶瓷分别进行了结构的鉴定以及组织形貌的观察。此外,分别采用四探针法和温差热电势法进行了电导率和Seebeck系数的测定。结果表明LiCoO2为层状的组织结构,属于P型半导体,在测量温度范围,Seebeck系数及电导率均随温度的升高而增大,其中在800K时,Seebeck系数和电导率均达最大值分别为170uV/K和1.06×102Sm-1。