半导体槽衬涂胶折边工具的设计

针对国外涂胶折边工具价格昂贵,通用性差等问题,改进设计了一种半导体槽衬涂胶折边工具。文中介绍了该工具的结构组成、工作原理、使用方法。

杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ;而随着衬底掺杂浓度的提高 ,器件的抗热载流子性能降低。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅 MOS器件内的分布和拐角效应 。

棒材连轧机精轧出口导卫装置的改进

针对棒材连轧线精轧机组原出口导卫装置在使用中出现的安装不便、检查调整困难、容易堆钢等问题,结合棒材连轧机的结构和轧制工艺特点,对其进行了相应的改进,不但解决了原导卫装置存在的问题,同时也降低了消耗,节约了费用,取得了较好的效果。

红花定子装压下线工艺

红花大型贯流式水轮发电机组为减小高次谐波采用斜螺旋槽铁心新结构,此设计结构属于世界首创,没有任何安装、制造经验,也没有国外可参考制造工艺。针对不向心定位筋焊接及内径质量控制测量新工艺,斜螺旋槽铁心预压紧度及铁心紧度控制新工艺,减小线棒间隙不均匀等新工艺,在实践过程中,摸索出大量的实践经验,总结出了一套可行性高组比较成熟的安装工艺方案,具有很高的创新性,具有一定的研究和推广价值。

应变Si/SiGe沟道功率UMOSFET的模拟分析

提出一种应变Si/SiGe UMOSFET结构,并与Si-UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较;对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真。应变Si/SiGe异质结能够有效地提高沟道区载流子的迁移率,增大IDS,降低Vth及器件的Ron;且应变异质结与载流子有效传输沟道距离的大小,对器件的Vth、Isat、V(BR)DSS及电流-电压特性都有较大的影响。因此在满足击穿电压要求的基础上,应变Si/SiGe沟道异质结的UMOSFET相对Si-UMOSFET在I-V特性和Ron方面有较大的改进。